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          化學(xué)機械拋光 Slurry 的蛻與進

          作者: 時間:2009-05-31 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          Slurry急需“與時俱進”

          盡管CMP工藝在0.35μm節(jié)點就被廣為采用,但是其發(fā)展和進步還是隨著IC集成的發(fā)展“與時俱進”,特別是新材料和新結(jié)構(gòu)為其帶來了不少進步良機。

          “CMP工藝相當復(fù)雜,其發(fā)展速度一直處于工藝的前沿。”Entrepix的總裁兼CEO Tim Tobin說,“新材料包括了摻雜氧化物、稀有金屬、聚合物、高k/低k材料以及III-V族半導(dǎo)體材料等,比較熱門的前沿結(jié)構(gòu)則有MEMS、TSV、3D結(jié)構(gòu)以及新的納米器件等(圖3),所有這些新興技術(shù)都是擺在CMP面前亟待解決的課題。也正因為如此,CMP在半導(dǎo)體整個制造流程中的重要性不言而喻,成本與性能的博弈是未來不得不面對的問題。”

          那么,所有這些芯片制造的“新寵兒”對于來說意味著什么呢?“隨著芯片制造技術(shù)的提升,對性能的要求也愈發(fā)的嚴格。除了最基本的質(zhì)量要求外,如何保證CMP工藝整體足夠可靠、如何保證在全部供應(yīng)鏈(包括運輸及儲藏)過程中穩(wěn)定等,一直是slurry過去和現(xiàn)在面對的關(guān)鍵。摩爾定律推動技術(shù)節(jié)點的代代前進,這將使slurry的性能、質(zhì)量控制、工藝可靠性及供應(yīng)穩(wěn)定性面臨更大的挑戰(zhàn)。”王淑敏博士說。

          對于新材料來說,slurry不僅要有去除材料的能力,還要保證能夠適時恰當?shù)耐A粼谒蟮谋∧由稀τ谀承┬虏牧?,如低k材料,其親水性差,親油性強,多孔性和脆性等特點還要求slurry的性能要足夠溫和,否則會造成材料的垮塌和剝離。因此,如何去除線寬減小和低k材料帶來的新缺陷,如何在減低研磨壓力的情況下提高生產(chǎn)率等也是研發(fā)的重點?!癈abot目前傳統(tǒng)材料的slurry就包括氧化物(D3582和D7200)、Cu(C8800)、Barrier (B7000)等,”吳國俊博士說,“同時,其它一些新材料,如Ru、Nitride、SiC等的slurry也有所涉足?!?



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