(2)開關器件的選取

在調(diào)壓及逆變電路中，開關器件起著核心的作用。開關器件有很多種，如按功率等級來分類，有微功率器件、小功率器件、大功率器件等等：按制造材料分類有鍺管、硅管等;按導電機理分類有雙極型器件、單極型器件、混合型器件等;按控制方式來分類，可分為不可控器件、半可控器件和全可控器件三類器件：不可控器件包括整流二極管、快速恢復二極管、肖特基二極管等：半可控器件包括普通晶閘管、高頻晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管等;全可控器件包括功率晶體管(BJT)、功率場效應管功率場效應管(Power MOSFET)，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、

靜電感應晶體管(SIT)、可關斷晶閘管(GTO)、靜電感應晶閘管(SITH)等。在選取開關器件時，主要可從以下五個方面考查電器件的性能特點：①導通壓降，②運行頻率，③器件容量，④耐沖擊能力，⑤可靠性。

在本系統(tǒng)中，需要全控性的(能夠自關斷)開關器件，IGBT是具有功率MOSFET高速開關特性和雙極晶體管的低導通電壓特性的兩者優(yōu)點并存的電力半導體器件，可以高速開關、耐高壓和大電流，所以本設計選取MOSFET作為開關器件。

(3)主要參數(shù)計算及仿真波形

一般輸出公率500W以下時，考慮采用半橋仿真逆變電路如圖7所示。

仿真波形如圖8所示，兩個MOSFET受給定的脈沖信號控制，一個開通一個關斷，并且有一段死區(qū)時間，經(jīng)過半橋逆變電路后，輸出給高頻變壓器的電壓為交流70V左右。

3)高頻變壓器的設計

高壓電源高頻化的優(yōu)點是裝置小型化，系統(tǒng)的動態(tài)反應快;電源裝置效率高;有效抑制環(huán)境噪聲污染。但高壓電源高頻化發(fā)展的阻礙主要體現(xiàn)在高頻高壓變壓器上，其主要問題是：一、高頻變壓器體積減小，但絕緣問題突出。二、電壓輸出高則變壓器的變比較高，而大變比必然使變壓器的非線性嚴重，使其漏感和分布電容大大增加。

圖9為高頻高壓變壓器等效電路簡化模型，它由漏感LD、副邊分布電容Cp 和理想變壓器組成。漏感同樣時工作于高頻fs下的感抗較工頻下增加fs /50倍，嚴重限制了功率輸出;分布電容相同時高頻下的容抗較工頻下減小至50/fs ，導致空載電流大，功率因數(shù)低，空載發(fā)熱問題突出。對上述問題的處理方法是變壓器真空浸油處理(受實驗條件所限，本設計并未采用)，并采用大磁芯保證足夠的絕緣距離，以減小分布電容Cp及其影響，但Cp減小必使LD 增加。

4)倍壓電路的設計

(1)倍壓電路

本設計在升壓變壓器輸出后采用了倍壓電路二次升壓，這樣可以減小變壓器的體積，提高效率。倍壓整流不僅可以將交流電轉(zhuǎn)換成直流電(整流)，而且不需要再增加濾波電容。它能夠在一定的電壓之下，得到高出若干倍的直流電壓(倍壓)。只要倍壓電路中使用電容的總體積不是很大，就可以減小整個電源設備的體積。

現(xiàn)就圖10所示四倍壓整流電路進行分析。在分析過程中，均假設各電容的充電速度遠大于放電速度，并將導通的二極管用短路線來代替。

開始工作后，在第一周期的正半周，電壓u經(jīng)二極管VD1給電容C1充電到um，在負半周u與C1 上的電壓串聯(lián)起來給C2 充電。在下一周期的正半周，電壓u在給C1充電的同時，由于VD1已導通，C3 上尚無電壓，故C3將通過VD1、VD3向C3充電;在負半周，u與C1在向C2充電的同時C3也向尚無電壓的C4 充電。四倍壓電路在這個周期正、負半周的工作過程如圖11所示。

由此可看出，在這種倍壓整流電路中其能量是由前向后逐步傳遞的，每過半個周期便向后傳遞一步。四倍壓整流電路經(jīng)過4個半周期，即兩個周期就有一部分能量傳到最后的電容C4 上。在以后的各周期中，正半周重復圖11(a)的過程，負半周重復圖11(b)的過程。經(jīng)過若于個周期后，除電容C1 上的電壓為um外，其余電容上的電壓均為2um 。負載RL上得到的電壓為C2、C4上電壓之和即4um 。以此類推，對于四級級(八倍壓)整流電路，也可以得到相同的結論。本設計所用的八倍壓整流電路如圖12所示：

(2)仿真波形

由高頻變壓器輸入給倍壓電路的交流電壓大約2千伏，經(jīng)八倍壓整流電路的倍壓整流，最后輸出