因IC內(nèi)部一般內(nèi)置VDS耐壓600~650V的MOS，考慮到漏感尖峰，需留50~100V的應(yīng)力電壓余量，所以反射電壓需控制在100V以內(nèi)，

得：(Vout+VF)*n100,即：n100/(5+1),n16.6,

取n=16.5,得初級(jí)匝數(shù)NP=15*16.5=247.5

取NP=248，代入上式驗(yàn)證，(Vout+VF)*(NP/NS)100,

即(5+1)*(248/15)=99.2100,成立。

確定NP=248Ts。

拆下變壓器測(cè)量電感量，此時(shí)所測(cè)得的電感量作為最大值依據(jù)，再根據(jù)廠商制造能力適當(dāng)留+3%~+5%的誤差范圍和余量，如：測(cè)量為2mH，則取2-2*0.05=1.9mH，誤差為+/-0.1mH。

現(xiàn)在再來驗(yàn)證以上參數(shù)變壓器BOBBIN的繞線空間。

已知：E1和E2銅線直徑為0.1mm,實(shí)際外徑為0.12mm;

NP銅線直徑為0.12mm,實(shí)際外徑為0.14mm;

NS銅線直徑為0.4mm,實(shí)際外徑為0.6mm;

TAPE采用0.025mm厚的麥拉膠紙。

A.

NV若采用銅線直徑為0.2mm,實(shí)際外徑為0.22mm

線包單邊厚度為：E1+TAPE+NP+TAPE+E2+TAPE+NS+TAPE+NV+TAPE

=0.12+0.025+0.14*4+0.025+0.12+0.025+0.6+0.025+0.22+0.025*2=1.77mm.

B.

NV若采用銅線直徑為0.1mm雙線并饒,實(shí)際外徑為0.12mm

線包單邊厚度為：E1+TAPE+NP+TAPE+E2+TAPE+NS+TAPE+NV+TAPE

=0.12+0.025+0.14*4+0.025+0.12+0.025+0.6+0.025+0.12+0.025*2=1.67mm.

測(cè)量或查EFD15的BOBBIN的單邊槽深為2.0mm，所以以上2種方式繞制的變壓器都可行。

2.EPC13的變壓器設(shè)計(jì)

依然沿用以上設(shè)計(jì)方法，測(cè)量或查BOBBIN資料可得EPC13BOBBIN幅寬為6.8mm，

次級(jí)匝數(shù)為：6.8/0.6=11.3Ts,取11Ts.

初級(jí)匝數(shù)為：11*16.5=181.5Ts,取182Ts.

反饋匝數(shù)為：15/(5+1)*11=27.5Ts,取28Ts.

EPC13的繞線方式同EFD15，在這里就不再重復(fù)了。

以上變壓器設(shè)計(jì)出的各項(xiàng)差數(shù)是以控制漏感為出發(fā)點(diǎn)的，各項(xiàng)參數(shù)(肖特基的VF,MOS管的電壓應(yīng)力余量……)都是零界或限值，實(shí)際設(shè)計(jì)中會(huì)因次級(jí)繞線同名端對(duì)應(yīng)輸出PIN位出現(xiàn)交叉，或輸出飛線套鐵氟龍?zhí)坠?，或供?yīng)商的制程能力，都會(huì)使次級(jí)線圈減少1~2圈，對(duì)應(yīng)的初級(jí)和反饋也需根據(jù)匝比減少圈數(shù)；另，目前市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)導(dǎo)致制造商把IC內(nèi)置MOS管的VDS耐壓減小一點(diǎn)來節(jié)省成本，為保留更大的電壓應(yīng)力余量，需再減少初級(jí)匝數(shù);以上的修改都會(huì)對(duì)EMC輻射造成負(fù)面影響，對(duì)應(yīng)的取舍還需權(quán)衡，但前提是必須使產(chǎn)品工作在DCM模式。

從08年市場(chǎng)上推出PSR原邊反饋方案到現(xiàn)在我一直都有在用此方案設(shè)計(jì)產(chǎn)品，回顧看看，市場(chǎng)上也出現(xiàn)了很多不同品牌的PSR方案，但相對(duì)以前剛推出的PSR控制IC來說，有因市場(chǎng)反映不良而不斷改進(jìn)的部分，但也有因?yàn)閻盒愿?jìng)爭(zhēng)而COSTDOWN的部分。主要講講COSTDOWN的部分。

因受一些品牌在IC封裝工藝上的專利限制，所以目前大部分的內(nèi)置MOS的IC(不僅是PSR控制IC，也包括PWM控制IC)采用的是在基板上置入控制晶圓和MOS晶圓，之間用金線作跳線連接，這樣就有2個(gè)問題產(chǎn)品了：

1.金線帶來的EMC輻射。