在工業(yè)控制、高壓測量及醫(yī)療設備等應用中，出于安全性的考慮，有必要在信號傳輸的過程中引入電氣隔離，以達到減小各設備地線之間電氣特性的相互影響及干擾噪聲的目的。根據所需傳輸信號的類型，可將隔離器分為模擬信號隔離器和數字信號隔離器[1].其中，數字信號隔離器具有抗干擾能力強、結構簡單及功耗低等特點，用做二進制信號或邏輯電平信號的隔離。模擬信號隔離器是用來隔離隨時間連續(xù)變化的模擬信號。一般地，傳感器的輸出幾乎都是微弱的模擬信號，因此，在模擬信號隔離之前要先對其進行放大。隔離放大器是一種高共模抑制比的低噪聲放大電路，其比較適用于輸入模擬信號與數據采集系統(tǒng)之間的隔離。

在隔離器外圍設計相應的放大電路，就構成了隔離放大器。常見的隔離放大器有變壓器隔離、電容隔離和光電隔離三種類型。其中，變壓器隔離放大器有如美國ADI 公司的AD202,電容隔離放大器如BURR BROWN公司的ISO122,它們都需要外加調制解調電路模塊，使其結構變得復雜，而光電隔離放大器線性度較差及傳輸速率較低。

美國NVE 公司在1998 年最先推出單片式GMR 隔離器,采用的是線圈產生磁場來實現隔離耦合，但只應用于數字信號隔離領域。國內GMR技術發(fā)展還處于起步時期，基于GMR技術的隔離器研究尚未成熟。在此，本文設計了一種自旋閥GMR 隔離放大器，適用于微弱的模擬信號隔離，具有靈敏度高、線性度好及結構簡單等特點。

1 巨磁阻隔離放大器基本原理

巨磁阻隔離器是基于巨磁阻(GMR)效應的一種隔離器，所謂的巨磁阻效應，即指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現象[3].如圖1所示，輸入電壓信號經過隔離器前端V/I 放大及轉換電路，輸出的電流流過線圈產生與電流大小成正比的磁場，磁場被GMR傳感器感應接收，電橋將輸出與磁場強度成線性的電壓信號，最后通過接收電路進行放大與噪聲抑制，提供給后續(xù)電路處理。信號在整個隔離與傳輸的過程中，始終保持著完整的線性。

在圖1 的GMR 隔離器結構中，位于底端的惠斯通電橋采用的是自旋閥GMR傳感器，它具有較大的GMR效應、較低的飽和場、較高的靈敏度及較好的線性度[4];隔離柵為數十微米厚的聚合物或氮化硅高絕緣介電薄膜，可耐壓3 000~6 000 V;處在隔離柵上面的螺旋矩形平面線圈，其電流方向相反的兩個部分分別正對應下方電橋的兩對角位上的巨磁電阻，線圈產生的磁場透過隔離柵，改變兩對角位上的電阻的電阻態(tài)，使一個對角位上的兩電阻同時為高阻態(tài)(低阻態(tài))，而另一個對角位上的兩電阻同時為低阻態(tài)(高阻態(tài))[5].

根據以往經驗線圈的設計尺寸，線圈效率(即穿過隔離柵在GMR電橋上產生的磁場強度與流過輸入線圈的電流比值[7])為1.7 Oe/mA.當流過線圈的電流為-10~10 mA 時，電橋輸出電壓的線性誤差小于0.05%,靈敏度達到[7]1.27 mV/V·mA.

2 電路設計與分析

圖1中自旋閥GMR隔離放大器整體結構包括輸入級、隔離級和輸出級三部分。本文主要設計的是輸入級的V/I 轉換電路和輸出級后端接收電路，并對各電路進行各種參數仿真及驗證。

2.1 V/I 轉換放大電路由于傳感器輸出的大多是微弱的模擬電壓信號，因此在輸入隔離器線圈之前，需要對其進行放大和V/I 轉換，其轉換電路如圖2所示。它是將輸入的電壓信號轉換成滿足一定關系的電流信號，在一定的負載變化范圍內輸出電流能夠保持穩(wěn)定(與負載無關)，即具有恒流源特性。

為了降低功耗和保證輸出良好的線性度，本電路將輸入幅值為0~5 V 的電壓信號轉換為0~10 mA 的電流信號。設放大器A的同相端電壓為V+,反相端電壓為V-,晶體管Q1的基極電流為Ib,流過負載RL 的電流為Io,根據晶體管Q1三端電流關系得到：

式中VCM為輸入偏置電壓。從式(4)中可以看出，輸出電流僅與輸入電壓和電阻RW 有關，與負載RL 無關，因此，當輸入不同頻率的的信號時，輸出電流不會因為線圈阻抗的變化而發(fā)生改變，在保證信號傳輸線性度的同時，也為后端接收電路恢復原信號的設計提供了條件。

滿足式(3)的前提條件是A 必須為理想運算放大器，即要求其具有無窮大的開環(huán)增益、高輸入阻抗、低輸出電阻及高共模抑制比等，本運算放大器采用的是簡單兩級放大電路，如圖3所示。

簡單兩級運算放大器輸入共模范圍和輸出擺幅大及增益高，但頻率特性差、增益帶寬小和速度慢。