教你如何選擇最優(yōu)的190W纖薄PFC電源段方案
大多數(shù)功率因數(shù)校正(PFC)電源段采用臨界導(dǎo)電模式(CrM)工作,這種模式控制電感電流從零躍升至期望的峰值電平,然后又降至零。由于這種模式依賴于電流周期的時(shí)長(zhǎng),故開(kāi)關(guān)頻率以交流線路電流需求的函數(shù)形式變化。不利的是,功率需求較低時(shí),從交流線路流入的電流較小,開(kāi)關(guān)頻率“飆升”。這樣一來(lái),采用大電感就是將開(kāi)關(guān)損耗和干擾降到可接受水平的唯一方式。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/227256.htm頻率鉗位臨界導(dǎo)電模式(FCCrM)是安森美半導(dǎo)體NCP1606或NCP1631等控制器嵌入的一種技術(shù)。采用這種模式工作時(shí),在高負(fù)載條件下,功率因數(shù)校正段以CrM工作,但在中等負(fù)載/輕載條件下( ),限制開(kāi)關(guān)頻率以提升能效。與傳統(tǒng)CrM電路相比,F(xiàn)CCrM支持使用更小的電感。實(shí)際上,交錯(cuò)式FCCrMPFC似乎進(jìn)一步縮減了磁性元件的尺寸及成本。這些優(yōu)勢(shì)在190W低高度電源中得以展現(xiàn)。
本文基本技術(shù)上進(jìn)一步推進(jìn)研究,在相同的190W寬主電源輸入范圍、最大厚度13mm的應(yīng)用中探究總體PFC成本問(wèn)題。
電感考慮事項(xiàng)表1提出了主要結(jié)論。由于FCCrM鉗位開(kāi)關(guān)頻率,就不需要大電感來(lái)拉低CrM開(kāi)關(guān)頻率范圍。因此,F(xiàn)CCrM大幅減小PFC段電感尺寸,采用交錯(cuò)式FCCrM方案時(shí)尤為如此。事實(shí)上,如表1所述,可以選擇下述磁性元件用于190W(輸入功率)、寬主電源范圍、最大厚度13 mm的電視應(yīng)用:
?CrM方案:兩個(gè)EFD30串聯(lián)
?FCCrM方案:?jiǎn)蝹€(gè)EFD30
?交錯(cuò)式FCCrM方案:兩個(gè)EFD20(每個(gè)支路一個(gè))
橫向比較
下一步,為了比較不同方案,我們以300W的46英寸液晶電視電源參考板作實(shí)驗(yàn)來(lái)比較這三種PFC方案。此參考板由安森美半導(dǎo)體開(kāi)發(fā),嵌入了由NCP1631驅(qū)動(dòng)的FCCrM交錯(cuò)式PFC。我們利用這電路板來(lái)比較我們190 W應(yīng)用的三種方案。由于本應(yīng)用中集成的電感與表1中定義的電感不同(本應(yīng)用中原線圈尺寸針對(duì)的是300 W功率),首要修改此應(yīng)用,確保能夠使用2個(gè)EFD20元件。第二步, 動(dòng)態(tài)地調(diào)節(jié)電路,測(cè)試CrM和FCCrM單相方案。就每項(xiàng)測(cè)試而言,PFC段的設(shè)計(jì)要使得三種方案的能效保持在接近相同的水平。
在圖1中,我們可以看到采用調(diào)整后的交錯(cuò)式配置的電路板,這可從兩個(gè)“飛跨”(flying)電感得到證實(shí);圖2顯示的則是如何應(yīng)用CrM控制器,而非原有的NCP1631交錯(cuò)式驅(qū)動(dòng)器。
各種方案參數(shù)對(duì)比
不同的方案中,電感并不必然是唯一需要修改的元件。PFC段必須根據(jù)所測(cè)試的方案來(lái)調(diào)整。表2小結(jié)了構(gòu)建這三種方案使用的經(jīng)過(guò)了實(shí)際測(cè)試驗(yàn)證的主要設(shè)計(jì)指引。
交錯(cuò)式PFC包含兩個(gè)支路,每個(gè)支路各傳輸總功率的50%。因此,這種方案采用的元器件數(shù)量更多,但尺寸更小。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn),這里就不具體的交錯(cuò)式設(shè)計(jì)準(zhǔn)則。但如參考資料[5]中所詳細(xì)介紹的,交錯(cuò)式技術(shù)能夠優(yōu)化下列元器件:
-功率MOSFET:在每個(gè)支路,MOSFET均方根(rms)電流僅為單相CrM或FCCrM PFC段中使用的11A MOSFET的電流的一半。兩顆5A MOSFET替代了11A MOSFET。
-升壓二極管:同樣,每個(gè)支路的升壓二極管傳輸?shù)碾娏魇强傠娏鞯囊话?。因此,各個(gè)支路就有可能使用較小的MUR160。
-大電容:交錯(cuò)式方案迫使兩個(gè)支路異相(out-of-phase)工作,旨在大幅降低大電容的均方根電流(降至0.8A而非1.3A)。這樣,就可能使用2個(gè)39μF/450V電容,而非3個(gè)。
評(píng)論