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          “一點(diǎn)接地”布局實(shí)現(xiàn)PSR電源設(shè)計(jì)之EMC設(shè)計(jì)技巧

          作者: 時(shí)間:2013-12-23 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          0px; padding: 0px; word-wrap: break-word; text-indent: 2em; line-height: 24px; color: rgb(62, 62, 62); font-family: Tahoma, Arial, sans-serif; font-size: 14px; text-align: justify; ">在前部分有提到VCC電壓的升高對EMC有惡性影響。因IC內(nèi)部的檢測有采用積分電路,所以當(dāng)VCC電壓設(shè)置過高,就需要更長的積分時(shí)間,在周期不變的情況下,TON的時(shí)間就會增加,輸出功率不變的情況下MOS的峰值電流就會增加,在RCD和D4的吸收R7,C11上的峰值都會增加,且D3,R3,C2也對VCC有下拉和吸收作用,會使輸出電壓的過沖加劇,同時(shí)影響延時(shí)檢測的開啟時(shí)間。這一系列的變化對EMC的影響是不可忽視的。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/227306.htm

          根據(jù)經(jīng)驗(yàn),結(jié)合變壓器漏感考慮,VCC電壓在滿載事最大值不宜超過19V,所以為使空載時(shí)VCC不至于太低導(dǎo)致蕩機(jī),建議VCC電壓設(shè)計(jì)在15V,變壓器漏感最大不宜超過15%.

          6.C5

          C5是IC內(nèi)部延時(shí)檢測補(bǔ)償設(shè)置端。C5的取值大了會導(dǎo)致電壓檢測的周期加長,小了會導(dǎo)致電壓檢測的周期變短。檢測周期的變化會影響電壓的采樣率,也就會影響整個(gè)產(chǎn)品各處的電流紋波,對EMC也會造成一定影響,一般選取0.01~0.1uF。

          7.C3,C7

          前面提到C3和C7的容量取值對輸出電壓過沖的抑制作用和維持產(chǎn)品的穩(wěn)定性。但C3,C7的容量也不是越大越好,它會對EMC起消極作用。C3,C7容量的加大同樣會導(dǎo)致第5點(diǎn)講到的峰值電流加大,所以不能盲目選擇。

          原邊反饋控制開關(guān)電源的設(shè)計(jì)和調(diào)試經(jīng)驗(yàn)講解到此就告一段落了,希望能給大家的實(shí)際設(shè)計(jì)帶來幫助。-

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