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          600W雙管正激變換器中高頻變壓器的設計方案

          作者: 時間:2013-12-18 來源:網(wǎng)絡 收藏

          1、 引言

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/227423.htm

          在高頻開關(guān)變換器中磁性元件的應用非常廣泛,主要有變壓器和電感器兩大類:當變壓器用時,可起電氣隔離、升降壓及磁耦合傳遞能量等作用;當電感器用時,起到儲存能量、平波與濾波等功能。并且其性能的好壞對變換器的性能產(chǎn)生重要影響,特別對整個裝置的效率、體積及重量起舉足輕重的作用。因此,磁性元件的設計是高頻開關(guān)變換器設計中的重要環(huán)節(jié)。

          高頻開關(guān)變換器中的磁性元件設計,通常是根據(jù)鐵芯的工作狀態(tài),合理選用鐵芯材料,正確設計計算磁性元件的鐵芯及繞組參數(shù)。但由于磁性元件所涉及的參數(shù)太多,其工作狀態(tài)不易透徹掌握,因此常規(guī)的設計方法不能全面反映其實際工作情況和考慮其它因素的影響,也就很難達到所需的性能指標和滿足設計要求。

          針對高頻開關(guān)變換器中的磁性元件設計的重要性、必要性及其復雜性,筆者采用IntuSOFt公司的 “Magnetics Designer”軟件根據(jù)磁性元件的實際工作情況進行計算設計,獲得較理想的效果。本文首先介紹了磁性元件設計中應考慮、注意的一些問題,并針對 中的高頻變壓器給出了具體的設計方法和設計過程,最后通過仿真加以驗證。

          2、 磁性元件設計中應考慮的要點

          2.1 鐵芯瞬態(tài)飽和

          在高頻開關(guān)變換器啟動瞬間,由于雙倍磁通效應,其磁性元件的鐵芯可能瞬態(tài)達到飽和,從而產(chǎn)生很大的浪涌電流,導致與磁性元件相連的開關(guān)器件損壞。因此,為防止鐵芯瞬態(tài)飽和,可采用的方法:一是把工作磁感應強度值減小,但這樣會降低鐵芯的利用率;二是增加軟啟動環(huán)節(jié),啟動時減小功率管的導通脈沖寬度,然后逐漸增大磁感應強度到穩(wěn)態(tài)值。

          2.2 繞組的漏感

          繞組的漏感對高頻開關(guān)變換器產(chǎn)生很大的負面效應,影響其正常運行。例如當功率開關(guān)關(guān)斷時,繞組的漏感儲能釋放,在主開關(guān)上產(chǎn)生電壓尖峰,使功率器件電壓應力增大;另外,一臺開關(guān)變換器中有多個磁性元件,因而有多個寄生電感,造成嚴重的電磁干擾(EMI)。為減少繞組的漏感,可采取的措施有:一是選擇合適的鐵芯結(jié)構(gòu)和形狀;二是繞組設計成瘦高型,增加繞組高度,減小繞組厚度;三是繞組采用絞合銅線或?qū)挶°~箔,使銅占因子升高;四是采用分層交叉繞制方法,使繞組耦合緊密。

          2.3 集膚效應

          磁性元件在高頻工作時,導線中通過交變電流會產(chǎn)生集膚效應,即導線橫截面上的電流分布不均勻,內(nèi)部電流密度小,邊緣部分電流密度大,使導線有效橫截面積減小,電阻增大。為使集膚效應的影響減小,導線直徑應不大于兩倍滲透深度。3、 中的高頻變壓器設計

          圖1為組合的電路原理圖,M1,M2,D1,D2與副邊拓撲構(gòu)成1#雙管正激變換器,M3,M4,D3,D4與副邊拓撲構(gòu)成2#雙管正激變換器。工作時,2#變換器的控制脈沖相對于1#變換器移相了1800,雙路變換器交替工作,向副邊傳輸能量,通過二極管D1,D2或D3,D4向原邊輸入電源回饋能量,實現(xiàn)鐵芯磁復位。

          600W雙管正激變換器中高頻變壓器的設計方案

          圖1 組合雙管正激變換器的電路原理圖

          下面針對圖1中的高頻變壓器進行具體的分析與設計,電路的參數(shù)如下:輸入電壓VCC = 12v,輸出電壓Vo = 120v,輸出電流Io = 5A,開關(guān)頻率f = 100K,工作占空比D = 0.45,濾波電感Lf = 50uH.

          3.1 高頻變壓器的磁分析

          由于加在變壓器原邊的激磁電壓為單向脈沖,鐵芯的磁狀態(tài)工作于局部磁滯回線上,如圖2所示。當功率管導通時,t∈[0,DT],變壓器原邊正脈沖電壓序列激磁,鐵芯內(nèi)磁感應強度B沿局部磁滯回線從Br磁化到Bm;關(guān)斷時,t∈[DT,T],變壓器原邊電壓為零,鐵芯通過二極管實現(xiàn)磁復位,磁感應強度B沿局部磁滯回線從Bm去磁至Br。

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