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          VDMOS器件損傷的DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射預兆單元設(shè)計

          作者: 時間:2013-06-17 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          der=0 sizset="false" sizcache027861493069699683="2.0.7">VDMOS器件損傷的DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射預兆單元設(shè)計
          由于電路采用抗輻射加固設(shè)計,其他器件輻射損傷對輸出影響不大,仿真結(jié)果沒有變化,在此不再給出仿真結(jié)果。航天用DC/DC工作在很大的溫度范圍內(nèi),預兆單元溫度變化仿真結(jié)果,如圖6所示,輸出電壓不受影響,跳變點微小變化對報警影響不大。仿真結(jié)果證實所設(shè)計的預兆單元電路和預警方案是合理可行的。

          VDMOS器件損傷的DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射預兆單元設(shè)計

          VDMOS器件損傷的DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射預兆單元設(shè)計
           
          4 結(jié)束語

          文中把預警和健全管理(PHM)方法用于DC/DC抗輻射可靠性研究,研究了VDMOS器件和DC/DC之間的輻射損傷關(guān)系。結(jié)合輻射損傷關(guān)系和預兆單元技術(shù)原理設(shè)計了基于的DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射預兆單元,仿真結(jié)果證實所設(shè)計的預兆單元可以對DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射損傷失效提前報警。

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