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          L6562功率因數(shù)校正器及應(yīng)用

          作者: 時(shí)間:2011-12-18 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          1.引言
          從220V交流電網(wǎng)經(jīng)整流供給直流是電力電子技術(shù)及電子儀器中應(yīng)用極為廣泛的一種基本變流方案,但因?yàn)檎髌魇且环N非線性元件和儲(chǔ)能元件的組合,使得輸入電流波形發(fā)生嚴(yán)重畸變,呈脈沖狀。脈沖狀的輸入電流含有大量諧波電流,一方面對(duì)電網(wǎng)造成嚴(yán)重污染,另一方面使輸入電路功率因數(shù)下降。為了提高電網(wǎng)的供電質(zhì)量和可靠性,同時(shí)也為了提高功率因數(shù)、實(shí)現(xiàn)節(jié)能,需采取有效的技術(shù)措施減少輸入端諧波分量。
          提高功率因數(shù)的方法主要有兩種:一種是無(wú)源功率因數(shù)校正法,在整流器和電容之間串聯(lián)一個(gè)濾波電感,或在交流側(cè)接入諧振濾波器,來(lái)擴(kuò)大輸入電流的導(dǎo)通角;另一種是有源功率因數(shù)校正(APFC)法,在整流器和負(fù)載之間接一個(gè)DC-DC變換器,應(yīng)用電流反饋技術(shù),使輸入端電流波形跟蹤交流輸入正弦波形,從而把功率因數(shù)提高到0.99或更高。有源功率因數(shù)校正控制芯片種類(lèi)繁多,本文介紹峰值電流控制模式的功率因數(shù)校正控制芯片,同時(shí)分析它在功率因數(shù)校正電路中的功能,建立了實(shí)際電路并測(cè)試其典型波形,驗(yàn)證了該芯片的可靠性。

          2.的特點(diǎn)和引腳
          2.1特點(diǎn)

          的主要特點(diǎn)為:內(nèi)部的乘法器帶有THD最優(yōu)化專(zhuān)門(mén)電路,能有效控制AC輸入電流的交越失真和誤差放大器輸出紋波失真,從而提高功率因數(shù)和降低THD。
          L6562的其它特點(diǎn)如下:
          ⑴ 具有10.3V~22V的寬電源電壓范圍;
          ⑵ 具有低于70MA的啟動(dòng)電流和低于4mA的工作電流,并且含有截止功能,因而特別適用于遙控開(kāi)/關(guān)控制,并且能滿(mǎn)足“藍(lán)天使”、“能源之星”和“Energy2000”等標(biāo)準(zhǔn);
          ⑶ 借助于電壓誤差放大器和1%的內(nèi)部精密電壓參考,可控制PFC的DC輸出電壓并使其高度穩(wěn)定;
          ⑷ 具有過(guò)電壓保護(hù)功能,能安全處理啟動(dòng)和負(fù)載斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓;
          ⑸ 在電流感測(cè)腳內(nèi)嵌RC低通濾波電路,可減少外部元件數(shù)量和PCB面積;
          ⑹ 帶有源電流/灌電流為600mA/800mA的推挽式輸出級(jí),并帶有欠壓鎖定(UVID)下拉和15V的電壓鉗位,可驅(qū)動(dòng)功率MOSFET或IGBT,從而可使變換器輸出功率高達(dá)300W。
          2.2L6562的引腳說(shuō)明
          L6562采用8引腳DIP和SO封裝,其引腳排列如圖1所示。L6562的引腳功能介紹如下:

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/231450.htm

          當(dāng)負(fù)載突然變小而導(dǎo)致輸出電壓變化DV0>0時(shí),1腳的電壓通過(guò)誤差放大器的反饋仍然保持在2.5V左右,1腳和2腳之間的RC網(wǎng)絡(luò)使電路達(dá)到非常高的PF,結(jié)果流過(guò)電阻R2的電流仍為,但是流過(guò)R1的電流變?yōu)椋?/span>,則,這個(gè)微小電流通過(guò)芯片外圍的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò),流入到芯片的2腳,

          并且被內(nèi)部電流監(jiān)測(cè)。當(dāng)達(dá)到37MA時(shí),芯片內(nèi)部的乘法器輸出電壓將變小,這樣也將導(dǎo)致電路輸出電壓變小。當(dāng)超過(guò)40MA時(shí),OVP被觸發(fā),門(mén)極電壓驅(qū)動(dòng)強(qiáng)制被拉低關(guān)斷外部晶體管,芯片處于靜止?fàn)顟B(tài)。這種狀況一直保持到直到電流降為10MA左右,這時(shí),芯片內(nèi)部啟動(dòng)電路重新啟動(dòng),允許開(kāi)關(guān)重新打開(kāi),DV0=R1*40*10-6.

          3.2.2L6562的THD最優(yōu)化電路
          L6562在其內(nèi)部乘法器單元中嵌入了THD最優(yōu)化專(zhuān)門(mén)電路,該電路能處理AC輸入電壓過(guò)零附近積聚的能量,從而使橋式整理器之后的高頻濾波器電容得以充分放電,以減少交越失真,降低THD。
          結(jié)合高線性乘法器中的THD最優(yōu)化電路,L6562允許在誤差放大器反相輸入端INV和輸出端COMP之間連接RC串聯(lián)補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò),以減少誤差放大器輸出紋波和乘法器輸出的高次諧波。

          4、L6562的電路實(shí)驗(yàn)
          采用L6562作為反激式電路的控制芯片,它的典型應(yīng)用電路見(jiàn)圖3。圖4、圖5和圖6分別為空載、有負(fù)載和過(guò)流時(shí)驅(qū)動(dòng)管MOSFET漏源間的電壓波形。

          表2為不同負(fù)載、不同輸入電壓下得到的電路功率因數(shù)的大小。從表中可以看到,負(fù)載為滿(mǎn)載的50%,輸入電壓為180V時(shí),電路的功率因數(shù)最大,達(dá)到98.1%
          表2功率因數(shù)

          輸入電壓(V

          負(fù)載條件(%

          180

          200

          220

          250

          25

          0.976

          0.973

          0.979

          0.954

          50

          0.981

          0.977

          0.965

          0.957

          75

          0.978

          0.982

          0.971

          0.964

          100

          0.976

          0.975

          0.970

          0.969


          5、結(jié)論
          本文介紹了功率因數(shù)控制芯片L6562的特點(diǎn)、引腳,工作原理以及內(nèi)部電路,并設(shè)計(jì)了反激式功率因數(shù)校正電路,測(cè)試了其工作波形和不同輸入電壓、負(fù)載條件下的功率因數(shù)。各項(xiàng)性能指標(biāo)均比較理想。



          評(píng)論


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