滿足開關(guān)電源要求的功率MOSFET
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為減少在工作頻率高時的開關(guān)管損耗，要求開關(guān)管的柵極電容小、導通電阻??；并且要求輸出漏極電流大，不少功率MOSFET廠家紛紛開發(fā)出各種低Qg、低RDS（on）及大ID的專用開關(guān)電源MOSFET。本文介紹Infineon公司在2007年7月推出的為開關(guān)電源設(shè)計的N溝道高開關(guān)速度功率MOSFET。它的型號是BSCO16NO3LSG。它的產(chǎn)品摘要為：VDS=30V、RDS（on）=1.6mΩ、ID=100A。
主要特點及有關(guān)參數(shù)
BSCO16NO3LSG的主要特點及有關(guān)參數(shù)：
1. 可采用TTL邏輯電壓控制；
2. 在TTL邏輯高電壓時，其導通電阻RDS（on）很小。如VGS=5V時，RDS（on）=1.7mΩ；VGS=4.5V時，RDS（on）=1.8 mΩ；VGS=4V時，RDS（on）=2mΩ；并且ID在0～50A范圍內(nèi)變化，RDS（on）不變，如圖1所示；
圖1 BSCO16NO3LSG的典型漏-源導通電阻
柵極電荷Qg×RDS（on）的乘積小，有利于工作于高頻率時減小損耗及具有良好的開關(guān)特性；
3. 熱阻RJC低，RJC=1℃/W；并且在40mm×40mm×1.5mm單層敷銅板（環(huán)氧樹脂PCB），其銅層面積為6cm2（銅層厚70μM），PCB垂直在靜止空氣中的熱阻RJA=50℃/W。這說明在一定工作條件下，功率MOSFET所需的冷卻散熱的PCB面積不大，可以減少PCB面積；
4. 小尺寸PG—TDSON—8封裝（一種封裝背面有較大面積散熱墊的結(jié)構(gòu)），其尺寸為：6mm×5mm×1mm。其背面形狀如圖2所示；
圖2 BSCO16NO3LSG的封裝背面有較大面積散熱墊
5. 在足夠大的散熱面積條件下，VGS=4.5V，該器件散熱墊的溫度TC在25℃～100℃范圍，其最大的連續(xù)ID可達100A。如果在其散熱敷銅層面積為6cm2的條件下（RJA=50℃/W），VGS=10V、TA環(huán)境溫度=25℃，其最大連續(xù)ID為32A。如果要求連續(xù)ID大于32A，可增加散熱面積或采用雙層敷銅層的PCB。
漏極電流ID與MOSFET散熱墊的溫度TC的關(guān)系表明：在VGS≥10V時，即使TC=120℃，也可保證ID=100A，脈沖漏極電流可達400A；
6. 該MOSFET的最大功耗在TC=25℃時，Ptot=125W。這與散熱條件有關(guān)。如果在TA=25℃，RJA=50℃/W的條件下（即散熱面積僅6cm2層敷銅層）時，其最大允許功耗僅2.5W。如果要增加最大允許功耗時可增加散熱面積或采用雙層銅層的PCB；
7. 該MOSFET的輸出特性如圖3所示，轉(zhuǎn)移特性如圖4所示。
圖3 輸出特性
圖4 轉(zhuǎn)移特性
滿足同步整流的工作安全
在同步整流的電路中，它由高端MOSFET（HS）及低端MOSFET（LS）組成，如圖5所示。HS及LS由驅(qū)動器驅(qū)動，在正常工作時：HS導通時，LS截止；HS截止時，LS導通。為防止HS沒有關(guān)斷、LS開始導通的情況發(fā)生，在HS截止時有個死區(qū)時間后LS才導通。
圖5 同步整流電路
由于MOSFET管內(nèi)存在極間電容Cgd及Cgs，在HS開始導通時，有電流Icgd流經(jīng)Cgd、經(jīng)過Rgate+Rdrive后到地而產(chǎn)生一個△VGS、△VGS=（Rgate+Rdrive）×Icgd，如果△VGS大于LS的VGS（th），則可能使LS導通，即產(chǎn)生HS及LS都導通的情況，這將使MOSFET造成損壞。若LS中的Cgd和Cgs的比值Cgd/Cgs≤1時，這種HS及LS同時導通的事故可避免。BSCO16NO3LSG在工藝上可做到Cgd/Cgs≈0.48的最佳比值，使同步整流的工作很安全（資料中給出Qgd典型值為10nC，Qgs典型值為21nC，其比值為0.476）。
引腳排列
該MOSFET采用散熱良好、熱阻RJC小的PG—TDSON—8封裝，其引腳排列如圖6所示。為保證良好散熱，在印制板設(shè)計時，4個漏極并聯(lián)引腳D的焊盤與其背面散熱墊的焊接面連接在一起，3個源極并聯(lián)的焊盤尺寸也盡量的大，有利于散熱。一種印制板圖形設(shè)計如圖7所示。
圖6 引腳排列
圖7 一種印制板圖形設(shè)計
BSCO16NO3LSG的參數(shù)較多，并相應(yīng)的有很多特性曲線。在OptiMos系列功率MOSFET有各種封裝的N-MOSFET，適用于各種開關(guān)電源。
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