采用SOI技術(shù)的CAN收發(fā)器實現(xiàn)EMC優(yōu)化重大突破
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基于對更高安全性,例如防抱死(ABS)系統(tǒng)和氣囊；更佳的操作性能，例如引擎控制和自動換檔；以及更高的舒適度(如采用自動空調(diào)和座椅調(diào)節(jié))需求的增長，汽車中集成了更多的電子控制器件，而且這一趨勢愈演愈烈。
在各種工業(yè)應(yīng)用中，電子控制電路的復(fù)雜性也提出了日益嚴(yán)格的要求，這使得EMC這種一個電子設(shè)備的運行對另一個設(shè)備功能的影響變得至關(guān)重要。
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圖1：SOI晶圓的橫截面。 |
如今，越來越多的廠商通過CAN數(shù)據(jù)總線將電子控制設(shè)備集成到汽車及其他領(lǐng)域。該總線的EMC性能通常由網(wǎng)絡(luò)節(jié)點和傳輸媒介間接口所采用的CAN收發(fā)器IC決定。現(xiàn)在，采用創(chuàng)新的“A-BCD”SOI技術(shù)，飛利浦推出了EMC性能得到極大改善的CAN收發(fā)器模塊。
飛利浦引領(lǐng)SOI智能功率BCD技術(shù)潮流，目前在該領(lǐng)域已推出超過5億個產(chǎn)品，大多面向汽車應(yīng)用?！癆-BCD”技術(shù)在一顆芯片上集成了雙極、CMOS和高壓DMOS晶體管，能夠?qū)崿F(xiàn)復(fù)雜混合信號SoC設(shè)計。“SOI”是“絕緣體上硅芯片”的縮略語，充分表達(dá)了該半導(dǎo)體工藝的獨特性能：與傳統(tǒng)技術(shù)不同，這種工藝是在硅基板和實際有效硅層之間放一個厚度為1微米的氧化物埋層(如圖1所示)，利用氧化物埋層可以完全隔離芯片上所有的元器件。
SOI保證EMC性能的優(yōu)化
隔離所有的元器件能極大地降低寄生電容。因此，與傳統(tǒng)工藝相比，SOI技術(shù)可以更簡便地實現(xiàn)芯片設(shè)計。這是由于傳統(tǒng)工藝的寄生效應(yīng)只能通過建模來預(yù)測，而且實現(xiàn)難度大，因而不得不采用耗時的、反復(fù)的實驗工藝。
最為重要的是，這是有史以來的第一次，采用SOI工藝，IC設(shè)計者可以同時獨立地優(yōu)化收發(fā)器的抗干擾性及輻射性能，從而開辟了新天地。比較而言，傳統(tǒng)工藝的設(shè)計限制意味著在輻射優(yōu)化和抗干擾優(yōu)化之間必需要進(jìn)行妥協(xié)。而采用SOI技術(shù)，這種雙重妥協(xié)就會成為歷史。
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