估今年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出增12.2%
國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner表示,2014年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出總額預(yù)測(cè)為375億美元,較2013年的335億美元成長(zhǎng)12.2%。隨著產(chǎn)業(yè)開(kāi)始從近年來(lái)的經(jīng)濟(jì)衰退中復(fù)蘇,2014年資本支出亦將增加5.5%,且各領(lǐng)域的整體支出直至2018年皆將呈現(xiàn)遞增的趨勢(shì)。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/246187.htmGartner研究副總裁BobJohnson表示:「雖然2013年資本支出超越了晶圓設(shè)備(WFE)支出,但2014年的情勢(shì)將有所轉(zhuǎn)變。資本支出總額將成長(zhǎng)5.5%,晶圓設(shè)備則將增加13%,肇因于制造廠(chǎng)減少新晶圓廠(chǎng)的興建,而是全力沖高新的產(chǎn)能。2013年第四季格外強(qiáng)勁的銷(xiāo)售動(dòng)能已延續(xù)到第一季,且預(yù)期會(huì)持續(xù)在2014年接下來(lái)平緩的成長(zhǎng)曲線(xiàn)上來(lái)回波動(dòng)。長(zhǎng)期而言,成長(zhǎng)將延續(xù)至2015年,而2016年會(huì)稍微下滑,接著又一路成長(zhǎng)至2018年。」
邏輯支出仍是資本支出于預(yù)測(cè)期間最主要的成長(zhǎng)動(dòng)力,然受到行動(dòng)市場(chǎng)轉(zhuǎn)弱的預(yù)期影響,其成長(zhǎng)幅度將低于記憶體。2018年之前,記憶體將是資本支出最大的成長(zhǎng)來(lái)源,尤以NAND快閃記憶體為主要?jiǎng)恿Α?/p>
資本支出高度集中于少數(shù)幾家廠(chǎng)商,前三大廠(chǎng)──英特爾(Intel)、臺(tái)積電(TSMC)及三星(Samsung)──將繼續(xù)囊括總支出的一半以上。前五大半導(dǎo)體制造商合計(jì)支出即超過(guò)2014年預(yù)測(cè)總支出的64%,前十大廠(chǎng)商則達(dá)總支出的78%。Gartner預(yù)測(cè),2014年半導(dǎo)體資本支出將增加5.5%,2015年再成長(zhǎng)10%。2016年則因周期性循環(huán)而小跌3.3%,2017和2018年將再度回升(如下表)。
2013至2018年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備支出預(yù)測(cè)(單位:百萬(wàn)美元) (來(lái)源:Gartner,2014年4月)
半導(dǎo)體庫(kù)存加上整體市場(chǎng)疲弱壓低了2013年底產(chǎn)能利用率。盡管智慧型手機(jī)與平板為邏輯制造帶來(lái)亮眼的需求,但仍不足以將整體利用率拉抬至期望水準(zhǔn)。隨著晶片制造需求回溫,Gartner預(yù)期,2014年產(chǎn)能利用率將再度攀升,整體利用率將在2014年內(nèi)回復(fù)正常水準(zhǔn),持續(xù)刺激資本投資。
2013年底,晶圓廠(chǎng)整體產(chǎn)能利用率因庫(kù)存升高而徘徊在80%低段區(qū)間。2014年,隨著庫(kù)存降回較正常水準(zhǔn),整體產(chǎn)能利用率將于年底時(shí)升至近90%的水準(zhǔn)。2014年,尖端產(chǎn)能利用率將維持在90%中段區(qū)間,提供一個(gè)有利的資本投資環(huán)境。
Gartner的資本支出預(yù)測(cè)系統(tǒng)計(jì)半導(dǎo)體制造商所有形式的總資本支出,包含晶圓廠(chǎng)及后端組裝與封測(cè)服務(wù)商;此數(shù)據(jù)系基于產(chǎn)業(yè)為滿(mǎn)足預(yù)測(cè)之半導(dǎo)體生產(chǎn)需求而帶來(lái)之新增設(shè)施及升級(jí)需求。資本支出代表產(chǎn)業(yè)花費(fèi)在設(shè)備與新設(shè)施上的總額。晶圓設(shè)備預(yù)測(cè)系根據(jù)未來(lái)生產(chǎn)半導(dǎo)體裝置所需晶圓之設(shè)備的全球銷(xiāo)售營(yíng)收。晶圓設(shè)備需求的變因包括營(yíng)運(yùn)中晶圓廠(chǎng)數(shù)量、產(chǎn)能利用率、晶圓廠(chǎng)之規(guī)模及其技術(shù)條件。
評(píng)論