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          采用高性能SRAM提高DSP密集型應(yīng)用的性能

          作者:Suhail Zain 時(shí)間:2014-05-28 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            下表對(duì)比QDR-IV SRAM與DDR3 AM存儲(chǔ)器技術(shù)的主要性能參數(shù)。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/247534.htm

            表1說(shuō)明了在相同頻率運(yùn)行時(shí),QDR-IV可以提供超過(guò)DDR3 AM兩倍的帶寬。此外,QDR-IV SRAM的雙獨(dú)立端口在獲取輸入信號(hào)的同時(shí)生成輸出信號(hào),易于滿足的實(shí)時(shí)處理功能對(duì)數(shù)據(jù)的需求。因此可以減輕向存儲(chǔ)器傳輸數(shù)據(jù)以及從其提取數(shù)據(jù)時(shí)的瓶頸問(wèn)題。

            SAR雷達(dá)透視

            負(fù)責(zé)以高分辨率觀察地表的SAR雷達(dá)需要進(jìn)行轉(zhuǎn)置存儲(chǔ)器存取,其中對(duì)距離方向和方位方向進(jìn)行轉(zhuǎn)置,以便進(jìn)行重建處理。距離與方位壓縮處理之間的高效FFT與IFFT()運(yùn)行可以實(shí)現(xiàn)此目的。QDR SRAM的架構(gòu)優(yōu)勢(shì)能夠通過(guò)實(shí)現(xiàn)快速、一致的存儲(chǔ)器存取時(shí)間而提高SAR雷達(dá)的性能。圖5說(shuō)明了SAR圖像重建相關(guān)的轉(zhuǎn)置問(wèn)題:

            采用傳統(tǒng)AM存儲(chǔ)器時(shí),寫(xiě)入SAR圖像數(shù)據(jù)(如圖所示)會(huì)造成不連續(xù)的地址空間,從而導(dǎo)致處理器性能降低(此情況下估計(jì)大約降低5倍)。由于QDR-IV的獨(dú)立讀取與寫(xiě)入端口支持并行運(yùn)算和隨機(jī)存儲(chǔ)器存取,因此可以降低對(duì)處理能力的影響。

            QDR SRAM為基于的應(yīng)用中片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)提供了對(duì)傳統(tǒng)SDRAM的高性能替代方案。通過(guò)級(jí)聯(lián)多個(gè)器件能夠消除QDR SRAM的密度限制。由于能夠?qū)崿F(xiàn)速度更快的存儲(chǔ)器存取而提高DSP性能,這種方法成為需要更高隨機(jī)存取吞吐量的應(yīng)用的理想選擇。


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          關(guān)鍵詞: DSP SDR FPGA

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