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          紅外探測器正瞄準長波長應(yīng)用

          作者: 時間:2013-05-06 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          的工作原理是在電子領(lǐng)域復(fù)制人眼桿狀細胞的工作機理:當施加適當偏壓時,納米注入?yún)^(qū)內(nèi)的電子在內(nèi)部電場的作用下,將向大面積的吸收區(qū)運動。然而,在納米注入?yún)^(qū)的末端會形成勢壘阻礙電子的這種運動,并且會擋住大多數(shù)電子。當一個光子入射到大面積的厚吸收區(qū)時,它將以極高概率產(chǎn)生一個電子-空穴對,空穴在內(nèi)建電場的作用下會立即被吸引到納米注入?yún)^(qū)。當光激發(fā)的空穴到達納米注入?yún)^(qū)時,將導(dǎo)致勢壘降低。由于納米勢壘的電容極低,所以它對總電荷的任何變化都極為敏感,即便只有一個額外的空穴,電壓也會顯著降低。勢壘的降低將允許更多的電子到達吸收區(qū),并且隨著電勢的改變,注入電子的數(shù)量會呈指數(shù)增長。因此,如果具有適當?shù)膬?nèi)部增益機理和能帶結(jié)構(gòu),在俘獲到一個單一光子的情況下,就能使注入電流發(fā)生顯著改變。

          器件制作與實驗結(jié)果

          研究人員采用三維非線性有限元方法(FEM)進行數(shù)值模擬,來設(shè)計層結(jié)構(gòu)和FOCUS器件架構(gòu),然后,采用金屬有機化學(xué)氣相沉積的方法生長外延層,利用電子束刻蝕的方法構(gòu)造晶片的納米尺度特征。電子束蒸發(fā)器用于將金屬沉積在這些納米特征上,金屬膜同時還在接下來的刻蝕步驟中起到硬質(zhì)掩膜的作用:首先對特征進行反應(yīng)離子刻蝕,然后進行濕法刻蝕,最終形成納米注入?yún)^(qū)。納米注入?yún)^(qū)周圍的空白區(qū)充滿鈍化以及平化藥劑(聚酰亞胺或氧化物),以改善表面質(zhì)量和結(jié)構(gòu)完整性。最后的鍍金屬步驟用于制作電子集成所需的金屬電極。

          研究人員制作了直徑從100nm到5祄的圓形FOCUS器件并進行了測試。這些器件的目標應(yīng)用主要在近紅外波段。在一套定制的準直系統(tǒng)中,研究人員對暗電流、光電流、光增益、空間靈敏度、帶寬、瞬態(tài)響應(yīng)以及額外噪聲等參數(shù)進行了測量。被測FOCUS器件均在低于2V的偏壓下工作。

          在暗電流以及光電流測試中,研究人員使用準直的連續(xù)波激光器作為光源。測量結(jié)果表明:FOCUS器件的光學(xué)響應(yīng)得到了顯著提高,同時暗電流的值與目前最先進的雪崩光電探測器相近(見圖2)。在低偏壓條件下,小型FOCUS器件可以獲得超過4000的穩(wěn)定增益,這比現(xiàn)有的其他單光子探測器提高了幾個數(shù)量級。此外,F(xiàn)OCUS探測器所必需的偏置電壓要比雪崩光電探測器所需的偏置電壓(可以高達50V)低很多。對于空間靈敏度的測量,研究人員使用了一套自動裝置,測量結(jié)果顯示:FOCUS探測器能夠收集到距納米注入?yún)^(qū)6~7祄處的載流子,這一結(jié)果也進一步證實了研究人員之前的理論模擬預(yù)言。

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          圖2. 電流-電壓特性曲線顯示了直徑為5祄的圓形FOCUS探測器(在室溫下工作,未冷卻)在不同光照條件下的工作性能研究人員在不同的加工階段對FOCUS探測器的帶寬進行了測試,發(fā)現(xiàn)帶寬對表面質(zhì)量具有明顯的依賴關(guān)系,這與具有極高表體比的納米器件的預(yù)期相符。非鈍化器件的帶寬可達到400kHz,而某些特殊鈍化器件的帶寬可超過300MHz。然而,帶寬的增加通常伴隨著增益的下降,這意味著增益帶寬積為一常數(shù),該值超過3GHz。雪崩光電探測器由于載流子在深勢阱中壽命較長,以及相關(guān)的后脈沖會導(dǎo)致帶寬受限;與之相比,F(xiàn)OCUS探測器并沒有顯示出這種不期望的副作用。
          由于不同形式的鈍化之間存在差別,因此可以在增益和帶寬之間進行權(quán)衡。與帶寬結(jié)果相關(guān)聯(lián),研究人員還使用超快飛秒脈沖激光器以及光學(xué)衰減器進行了瞬態(tài)響應(yīng)測量。取平均之后,便能區(qū)分出對應(yīng)于五光子光電效應(yīng)的電脈沖。

          研究人員使用定制的非線性FEM模擬程序在近紅外波段對FOCUS器件進行設(shè)計以及數(shù)值模擬。我們相信:隨著人們對納米尺度效應(yīng)的進一步理解、改進相應(yīng)的制作步驟,以及將加工過程拓展到長波紅外和遠紅外波段,F(xiàn)OCUS器件將得到進一步改善。

          參考文獻:
          1. A. Rogalski, Progress in Quant. Electronics 27(2-3) 59 (2003).
          2. A. Lacaita et al., Applied Optics 35(16) 2986 (1996).
          3. F. Rieke and D.A. Baylor, Rev. of Modern Physics 70(3) 1027 (1998).
          4. S. Hecht et al., J. Gen. Physiol. 25(6) 819 (1942). (end)


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