高亮發(fā)光二極管（High brightness light emitting diodes，HBLED）綜合具備了高輸出、高效率和長(zhǎng)壽命等優(yōu)勢(shì)。制造商們正在開(kāi)發(fā)可以實(shí)現(xiàn)光通量更高、壽命更長(zhǎng)、色彩更豐富而且單位功率發(fā)光度更高的器件。要確保其性能和可靠性，就必須在生產(chǎn)的每個(gè)階段實(shí)施精確的、成本經(jīng)濟(jì)的測(cè)試。

　　圖1顯示了典型的二極管的電I-V特性曲線。雖然一個(gè)完整的測(cè)試程序可以包括數(shù)百個(gè)點(diǎn)，但對(duì)一個(gè)有限的樣本的探查一般就足以提供優(yōu)值。許多HBLED測(cè)試需要以一個(gè)已知的電流信號(hào)源驅(qū)動(dòng)器件并相應(yīng)測(cè)量其電壓，或者反過(guò)來(lái)，同時(shí)具備了可同步動(dòng)作的信號(hào)源和測(cè)量功能可以加速系統(tǒng)的設(shè)置并提升吞吐率。測(cè)試可以在管芯層次（圓片和封裝）或者模塊/子組件水平上進(jìn)行。在模塊/子組件水平上，HBLED可以采取串聯(lián)/并聯(lián)方式；于是一般需要使用更高的電流，有時(shí)達(dá)50A或者更高，具體則取決于實(shí)際應(yīng)用。有些管芯級(jí)的測(cè)試所用的電流在5A～10A的范圍內(nèi)，具體取決于管芯的尺寸。

　　正向電壓測(cè)試

　　要理解新的結(jié)構(gòu)單元材料，如石墨烯、碳納米管、硅納米線或者量子點(diǎn)，在未來(lái)的電子器件中是如何發(fā)揮其功效的，就必須采用那

　　光學(xué)測(cè)試

　　光學(xué)測(cè)量中也需要使用正向電流偏置，因?yàn)殡娏髋cHBLED的發(fā)光量密切相關(guān)。可以用光電二極管或者積分球來(lái)捕捉發(fā)射的光子，從而可以測(cè)量光功率。可以將發(fā)光變換為一個(gè)電流，并用電流計(jì)或者一個(gè)信號(hào)源測(cè)量單元的單個(gè)通道來(lái)測(cè)量該電流。

　　反向擊穿電壓測(cè)試

　　對(duì)HBLED施加的反向偏置電流可以實(shí)現(xiàn)反向擊穿電壓（VR）的測(cè)試。該測(cè)試電流的設(shè)置應(yīng)當(dāng)使所測(cè)得的電壓值不再隨著電流的輕微增加而顯著上升。在更高的電壓下，反向偏置電流的大幅增加所造成的反向電壓的變化并不顯著。VR的測(cè)試方法是，在一段特定時(shí)間內(nèi)輸出低反向偏置電流，然后測(cè)量HBLED兩端的電壓降。其結(jié)果一般為數(shù)十伏特。

　　漏電流測(cè)試

　　當(dāng)施加一個(gè)低于擊穿電壓的反向電壓時(shí)，對(duì)HBLED兩端的漏電流（IL）的測(cè)量一般使用中等的電壓值。在生產(chǎn)測(cè)試中，常見(jiàn)的做法是僅確保漏電流不不至于超過(guò)一個(gè)特定的閾值。

　　提升HBLED的生產(chǎn)測(cè)試的吞吐率

　　過(guò)去，HBLED的生產(chǎn)測(cè)試的所有環(huán)節(jié)都由單臺(tái)PC來(lái)控制。換言之，在測(cè)試程序的每個(gè)要素中，必須針對(duì)每次測(cè)試配置信號(hào)源和測(cè)量裝置，并在執(zhí)行預(yù)期的行動(dòng)后，將數(shù)據(jù)返回給PC。控制PC根據(jù)通過(guò)/不通過(guò)的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評(píng)估，并決定DUT應(yīng)歸入哪一類(lèi)。PC發(fā)送指令和結(jié)果返回PC的過(guò)程將耗費(fèi)大量的時(shí)間。