2.2 單結晶體管伏安特性參數的讀取

　　游標是圖形的特殊個性化特征，利用圖形的游標能夠準確地讀出曲線上任何一點的數據，如圖7所示。這里增加了兩個游標，分別命名為P：VPIP和V：VV＆IV，且可以設置成在圖中顯示，這樣既可直觀地看出具體點的標記。名稱后面的數據分別表示橫坐標電壓和縱坐標電流的數值，且數據精度可以根據需要設置。因單結晶體管的反向漏電流很小，只是微安級，所以應將精度設置大些，才能體現(xiàn)出數據的變化。移動游標，可以讀出任意點的坐標，這樣方便于讀數，游標的形狀、顏色均可以改變，增加了使用的靈活性。

　　2.3 單結晶體管伏安特性分析

　　截止區(qū) 當加在第二基極與第一基極間的電壓VBB固定時，等效電路中A點對B1的電壓UA=ηVBB為定值；當VE較小，且VEA時，PN結反偏，此時只有很小的反向漏電流IEO(幾微安)，如前面板中顯示的前幾個電壓值很小時，電流值為負，即圖中曲線的起始段；當VE增大，且VE=VA時，PN結處于零偏，IE=0。當VE繼續(xù)增大，且VE>VA時，IE開始大于零。由于硅二極管的正向壓降為0.7 V，所以IE不會顯著的增加，該電壓稱為峰值電壓VP，圖中顯示為VP=6.538 54 V，對應的電流稱為峰值電流IP，圖中顯示為IP=0.00 249 A=0.25 mA，這一區(qū)域稱為截止區(qū)，即P點前區(qū)。因為數值太小，從曲線上看不出來變化趨勢。

　　負阻區(qū) 當VE繼續(xù)增加，且VE>VA時，管子轉向導通，PN結電流開始顯著增加，這時將有大量的空穴進入基區(qū)，使E，B1間的載流子大量增加，Re1迅速減小，而RB1的減小又使VA降低，導致IE又進一步加大，這種正反饋的過程，使IE急劇增加，VA下降，此時單結晶體管呈現(xiàn)了負阻特性，如圖中曲線的P～V段。到了“V”點，負阻特性結束，V點電壓Vv稱為谷點電壓。前面板中V點坐標顯示為Vv=0.867 417 V，對應的電流稱為谷點電流Iv(Iv=0.057 295 A=57.29 mA)。

　　飽和區(qū) 過了谷點V之后，繼續(xù)增加VE，IE～VE曲線的形狀接近二極管導通時的正向特性曲線，如曲線“V”點向上段，此時稱為飽和區(qū)。

　　當改變VBB電壓時，即改變了閾值電壓VA，此時曲線的峰點電壓也隨之改變。

　　3 結 語

　　Muhisim 10與LabVIEW相結合，利用子程序做成測試單結晶體管弛張振蕩電路中電容器的充放電尖脈沖波形，可以彌補普通示波器測試頻帶窄而不能顯示這些波形的缺陷。這種方法還可以推廣到測試并顯示任何電路中任意兩個量之間的關系，這對分析電路的伏安特性、傳輸特性等具有很大的意義。