2014年半導體產(chǎn)業(yè)好年冬，各廠紛紛調(diào)升資本支出，半導體三巨頭臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)資本支出維持高檔，GlobalFoundries、SK海力士(SKHynix)、中芯國際、東芝(Toshiba)、華亞科、華邦等也都調(diào)升資本支出，晶圓代工廠產(chǎn)能滿載，DRAM和NANDFlash產(chǎn)業(yè)未來一年內(nèi)也是供需健康，芯片價格走揚。

　　晶圓代工廠2013年資本支出即明顯攀升，2014年眼見先進制程的戰(zhàn)局越來越激烈，28納米產(chǎn)能吃緊，20納米制程加入戰(zhàn)場，16/14納米制程卡位戰(zhàn)開打，各大半導體廠資本支出戰(zhàn)爭更是不手軟。

　　臺積電2014年資本支出接近百億元，2015年也接近此水準，將是連續(xù)3年資本支出大手筆，日前在28納米世代不論是ploySiON或是HKMG制程都大獲全勝，大客戶搶下單使得產(chǎn)能極度吃緊，南科Fab14廠第六、七期將開始加入營運，20納米制程也開始為蘋果生產(chǎn)A8處理器芯片，業(yè)界預計臺積電年底20納米制程將擴產(chǎn)至6萬片上下。

　　韓系半導體大廠三星、海力士日前都傳出將擴產(chǎn)DRAM芯片，三星被臺積電搶去蘋果的處理器芯片訂單后，空出來的邏輯產(chǎn)能填不滿，也考慮要轉(zhuǎn)去生產(chǎn)DRAM芯片，日前已決定原本要生產(chǎn)移動處理器芯片的華城Line17產(chǎn)線S3，第一階段將轉(zhuǎn)去生產(chǎn)DRAM芯片，預計2015年開始生產(chǎn)，勢必會再擴大資本支出。

　　GlobalFoundries陸續(xù)投資紐約州廠房，以及新加坡廠升級為12吋晶圓廠，2014年資本支出較前一年45億美元提升至55億美元。GlobalFoundries和三星電子針對14納米FinFET制程合作，2015年會有更近一步的效益。

　　存儲器大廠美光(Micron)2014年資本支出約30.5億美元，較前一年19億美元成長，近3年來投資超過70億美元。

　　美光旗下華亞科2014年準備轉(zhuǎn)進下世代的20納米先進制程技術，預計資本支出為新臺幣220億美元水準，業(yè)界預期2015年資本支出也維持高檔。

　　華亞科2014年上半獲利高達新臺幣218億元，毛利率56%，2014年第3季將再攀升，預計沒有新臺幣升值造成匯損影響，第3季獲利將再攀高峰，營運越走越穩(wěn)也使得公司持續(xù)大膽擴大資本支出，轉(zhuǎn)進20納米制程搶進DDR4芯片世代商機。

　　華邦轉(zhuǎn)型有成，2014年第2季毛利率和獲利攀上近年來新高點，利基型存儲器(SDRAM)、NORFlash芯片市占率均提升，2014年也將擴大旗下12吋晶圓廠產(chǎn)能，從單月4萬片拉升至4.4萬片，因此資本支出二度調(diào)升至新臺幣138億元，預計2015年第1季產(chǎn)出可達4.4萬片水準。

　　華邦日前也成功搶進車用市場，根據(jù)2014年第2季各產(chǎn)品線營收比重，車用市場已攀升至7%，其他為電腦31%、通訊產(chǎn)品34%、消費性電子產(chǎn)品28%，在產(chǎn)能有限下極力調(diào)升產(chǎn)品組合，帶動毛利率攀升，旗下三大產(chǎn)品線營收貢獻分別為SDRAM占營收51%、快閃存儲器Flash占36%，移動式存儲器MobileDRAM占營收13%，預計移動式存儲器本季比重攀至20%。

　　另外，中芯國際2014年也擴大資本支出，從2013年6.51億美元，提升至8.8億美元。根據(jù)市調(diào)機構ICInsights統(tǒng)計，全球前十大半導體廠2014年資本支出超過500億美元，較前一年成長10%，累計2012年到2014年資本支出為1,411億美元。