基于封裝天線（AiP）的過孔分析
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圖4封裝天線等效電路圖
以上討論的均為過孔沿縱向布置，當(dāng)其他參數(shù)不變，僅將過孔沿橫向布置時(shí)，天線性能沒有明顯改善甚至惡化，且某些情況下在預(yù)期頻帶不出現(xiàn)通帶。由于篇幅有限，沒有將具體數(shù)值給出。
4等效電路
按照空腔模型理論，將天線問題分為內(nèi)場(chǎng)和外場(chǎng)。分析內(nèi)場(chǎng)時(shí)，把同軸或者微帶饋電等效為從天線地流向貼片的且不隨流動(dòng)方向變化的電流源，從而得到微帶天線的等效電路為一RLC并聯(lián)電路。
封裝天線由于其結(jié)構(gòu)的特殊性，存在天線地和系統(tǒng)地。貼片、天線介質(zhì)、天線地可以等效為RLC并聯(lián)電路，但封裝天線的饋電接地端是系統(tǒng)地，系統(tǒng)地通過過孔與天線地鏈接，為此提出了圖4所示等效電路。該等效電路主要包括貼片天線、饋電部分、連接天線地與系統(tǒng)地的過孔部分。由于過孔的存在，使得天線地上的電流分布發(fā)生了變化，這種變化用電感Lgnd表示，兩金屬地平面之間的電容效果由Cgnd表示，Lvia和Rvia分別代表過孔的電感和電阻。Lgnd與Cgnd的值是通過電路仿真軟件優(yōu)化得到。最終的電路參數(shù)值在表5中給出。
表5電路參數(shù)值
Rant | Cant | Lant | Lfeed |
134.9Ohm | 4.9pF | 0.19nH | 0.43nH |
Lfeed1 | Cfeed1 | Cfeed | Cgnd |
1.31nH | 0.4pF | 0.24pF | 0.25pF |
Lgnd | Lvia | Rvia | |
0.1nH | 0.87nH | 0.2Ohm |
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