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          低損耗混合饋電波導(dǎo)慢波線頻掃陣列設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2014-05-06 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/259472.htm

          1引言

          隨著雷達(dá)、通信、移動電視技術(shù)的不斷發(fā)展,電掃描天線得到了快速發(fā)展。數(shù)字波束形成天線陣列和可重構(gòu)天線都可以實(shí)現(xiàn)電掃描,但與頻掃天線相比,他們的成本和復(fù)雜度要高得多??芍貥?gòu)天線可實(shí)現(xiàn)口徑的復(fù)用 ,但它不適合大型陣列。在頻掃天線的設(shè)計(jì)中,要考慮以下四個(gè)主要因素:(1)掃描范圍,(2)所需要的工作帶寬,(3)復(fù)雜度,(4)慢波線損耗。為了克服慢波線損耗大的缺點(diǎn),漏波天線應(yīng)運(yùn)而生,而漏波天線的缺點(diǎn)是掃描范圍有限。因此便產(chǎn)生了雙波束等一些技術(shù)。用這些方法實(shí)現(xiàn)的天線口徑大、增益小。為了提高效率,并有效地結(jié)合波導(dǎo)饋電和微帶饋電的優(yōu)勢,提出了混合饋電技術(shù)。我們在前期的工作中將混合饋電技術(shù)應(yīng)用于頻掃陣列,并設(shè)計(jì)了一個(gè)22×2的陣列天線,其仿真和實(shí)際測試性能良好。本文在此基礎(chǔ)上,擴(kuò)大陣列規(guī)模,完成了二維陣列的設(shè)計(jì)。

          為了實(shí)現(xiàn)低損耗高增益的要求,本文設(shè)計(jì)的陣列采用低損耗E面彎曲波導(dǎo)作頻掃慢波線,微帶貼片天線作頻掃輻射單元。實(shí)測結(jié)果表明在X波段1GHz帶寬內(nèi),該22單元頻掃陣列能實(shí)現(xiàn)(-46°,48°)的波束掃描,副瓣電平均低于-11.5dB,最大增益為24dBi。

          2頻掃陣列結(jié)構(gòu)

          本文設(shè)計(jì)的天線陣列結(jié)構(gòu)如圖1所示,其工作頻帶為8.85-9.85GHz。此陣列采用E面彎曲波導(dǎo)作頻掃慢波線,微帶貼片陣列作為輻射天線。該E面彎曲波導(dǎo)頂部開口,金屬地板作為該開口波導(dǎo)的一個(gè)窄壁。耦合縫隙開在共用地板上,天線陣列位于縫隙上層。通過耦合實(shí)現(xiàn)能量從慢波線至輻射單元的傳輸。改變耦合縫隙的尺寸,可以獲得不同的耦合系數(shù),實(shí)現(xiàn)所需的陣列口徑分布。本設(shè)計(jì)所用的波導(dǎo)型號為WR-90標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo),波導(dǎo)內(nèi)口徑尺寸為22.86×10.16mm2,彎曲波導(dǎo)頂部金屬接地板厚1mm。

          圖2中給出了陣列單元結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的參數(shù)。微帶貼片天線呈中心對稱放置在耦合貼片的兩側(cè)以保證各輻射單元電流方向相同。圖3為混合饋電結(jié)構(gòu)的耦合系數(shù)隨頻率的變化曲線,混合饋電結(jié)構(gòu)各參數(shù)與耦合系數(shù)的具體變化關(guān)系可參閱文獻(xiàn)。圖4給出了窄邊開縫波導(dǎo)傳輸線的等效電路圖。陣列口徑采用-20dB的泰勒分布,當(dāng)負(fù)載吸收功率占輸入功率的百分之十時(shí),陣列各單元?dú)w一化耦合系數(shù)曲線如圖5所示。

          本設(shè)計(jì)單元間的長158.3mm,掃描維單元間距為16.74mm。所用的介質(zhì)材料為Arlon公司的Diclad880,介電常數(shù)為2.2,介質(zhì)基片厚度為40mil(約1mm),介質(zhì)損耗角為0.0009。基于工程應(yīng)用的需要,陣列單元數(shù)為22個(gè)單元,該頻掃天線陣列的總尺寸為380×220×25mm3。

          圖1混合饋電的微帶貼片頻掃陣列結(jié)構(gòu)圖

          圖2陣列單元結(jié)構(gòu)參數(shù)圖

          圖3混合饋電結(jié)構(gòu)的耦合系數(shù)隨頻率變化曲線

          圖4窄邊開縫波導(dǎo)傳輸線等效電路

          圖522單元串饋頻掃陣各單元耦合系數(shù)

          3仿真及實(shí)測結(jié)果

          本設(shè)計(jì)利用商用仿真軟件HFSS12進(jìn)行仿真。陣列單元結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)置如下:微帶輻射貼片的長、寬分別為lsp、wsp?;旌橡侂娊Y(jié)構(gòu)中矩形縫隙長、寬分別為lst、wst,縫隙傾斜角為θs,耦合微帶貼片的長、寬分別為lcp、wcp。優(yōu)化過程中,保持wcp=3mm和wst=1mm不變,改變縫隙和貼片的長度及縫隙傾角,來獲得所需的各單元的耦合系數(shù)。優(yōu)化后的22單元混合饋電結(jié)構(gòu)尺寸如表1所示。該頻掃陣列的仿真結(jié)果表明在8.85GHz-9.85GHz頻率范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)(-46°,+48°)的波束掃描,波束較好,陣列增益均高于20dBi,最大增益為27dBi,仿真得到的增益曲線見圖10。圖6中給出了該頻掃陣列仿真的各頻點(diǎn)的副瓣電平,除個(gè)別頻點(diǎn)外,頻帶內(nèi)的副瓣電平均低于-13dB。仿真的副瓣電平與理論值有一定偏差,這主要是由于各單元的耦合系數(shù)并不能在整個(gè)頻帶內(nèi)完全符合設(shè)計(jì)要求。加工好的陣列如圖7所示,終端接匹配負(fù)載。圖8給出了該頻掃陣列測試的掃描方向圖,結(jié)果表明在8.85GHz-9.85GHz頻率范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)(-46°,+48°)的波束掃描,且掃描波束較好。圖6中給出了該頻掃陣列各頻點(diǎn)測試的副瓣電平,頻帶內(nèi)的副瓣電平均低于-11.5dB,最低副瓣電平達(dá)-14dB。根據(jù)圖9所示的各掃描頻率點(diǎn)的增益大小可以看出,除個(gè)別頻點(diǎn)外陣列增益均在20dBi左右,最高達(dá)24dBi。可見實(shí)測的增益要比仿真值低,可能是因?yàn)榧庸ふ`差及中間地板層與下層波導(dǎo)組裝的不夠緊密造成,需進(jìn)一步分析。


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