近年來安裝在移動通信終端的移動通信天線的設(shè)計難度逐漸增高。隨著LTE這種新型通信方式的增加，寬頻帶的使用越來越廣泛。另一方面，由于二次電池 等大型化的因素，可使用空間（天線/領(lǐng)域）縮小了。因此，天線的小型化成了當務(wù)之急。但是，如果天線被小型化的話，就意味著天線的阻抗和RF電路的輸入和 輸出阻抗（50Ω系）相比的話會變低，這就意味著將RF電路跟天線阻抗通過全通信帶寬整合起來是非常困難的。

目前在實施阻抗整合時，一般使用電感器（L）、電容器（C）等LC元器件。但是，LC元器件電抗中具有頻率特性，整合阻抗后的天線Q值會劣化，頻帶寬會減小。

這里阻抗轉(zhuǎn)換時對于頻率特性難以呈現(xiàn)的材料來說，就以主要在低頻領(lǐng)域中使用的變壓器來舉例吧。變壓器是通過結(jié)合磁場的2個線圈（變壓器、線圈）的電感（L值）的比率達到變換阻抗，所以不能保障理想狀態(tài)下的頻率特性。因此我們考慮到將其使用到阻抗的整合當中。

移動通信的天線中使用變壓器會遇到3點問題。

　　1）微波頻段中由于“磁性材料的滲透性≒1”，因此很難達到高結(jié)合系數(shù);

　　2）天線的輸入阻抗很小會導致變壓器損耗影響大;

　　3）天線輸入阻抗值會因為頻帶不同而產(chǎn)生變化。

正因為存在這些問題，至今為止移動通信天線的阻抗整合中一直不使用變壓器。而我們通過獨有的方法解決了這一問題。

結(jié)合系數(shù)是指構(gòu)成變壓器的2個變壓器、線圈間的距離以及由線圈導致的磁束形狀相關(guān)性而產(chǎn)生的變化。一邊維持高結(jié)合系數(shù)一邊控制變壓比，因此變壓、線圈的形狀達到了統(tǒng)一的狀態(tài)，從而開發(fā)了每個線圈的L值都能自由控制的構(gòu)造。

這種構(gòu)造在LTCC（低溫共燒陶瓷）內(nèi)構(gòu)造而成，可在變壓器和線圈間的距離為數(shù)十μm的情況下制成。即使在微波頻帶中也可將變壓器的結(jié)合系數(shù)控制在0.7以上。

把高頻變壓器跟具有10Ω阻抗的天線連接，由于變壓器本身的材料特性產(chǎn)生的插入損耗（插入損耗）比起跟50Ω連接的高頻器件相對較大。因此，一般低頻中使用的具有大L值和阻抗成分的變壓器在高頻下難以使用。

為了削減這種阻抗成分并維持變壓比，我們采用了圖1所示的高頻變壓器的構(gòu)造。該構(gòu)造跟普通的變壓器構(gòu)造相反，它將接地連接端口跟天線連接端口完全逆 反。因此，才能達到如圖1所示的變壓比。使用該構(gòu)造的話，因結(jié)合產(chǎn)生的互感M值會反應(yīng)到變壓器，變壓器中使用的線圈L值會減小，由于高頻變壓器的阻抗成分 I.L.可以被抑制得很小。

移動通信天線中使用的通信帶寬以1GHz為界限分為低領(lǐng)域“lowband”和高領(lǐng)域“highband”兩種。開放型天線中一般來說lowband 中為天線的基本波而highband中為天線的高頻波。天線內(nèi)部沒有安裝短針等組抗整合功能時，lowband的阻抗為10Ω左右，highband的阻 抗為 19Ω左右。

如果在這樣的天線中安裝一定變壓比的變壓器，是不能只整合一個band的阻抗的。所以，天線用變壓器，必備的設(shè)計需求是要使變壓比適應(yīng)天線的阻抗頻率特性。這種適應(yīng)方法如圖2所示，是一種將理想的變壓部分和寄生成分部分分解開來的等效電路。

此次開發(fā)的變壓器構(gòu)造的寄生成分分為“串聯(lián)L”和“并聯(lián)L”兩種。在這之中，串聯(lián)寄生成分可通過增高結(jié)合系數(shù)減少影響，而并聯(lián)寄生成分則可能會發(fā)生 “結(jié)合系數(shù)=1”的情況。必要的小L值設(shè)計的高頻變壓器中，是不可能排除并聯(lián)寄生成分的影響的。但是，可通過控制這種并聯(lián)寄生成分的值使變壓比適應(yīng)天線的 阻抗頻率特性。并聯(lián)寄生成分的值可通過轉(zhuǎn)換變壓器線圈的L值來達到控制。此次，我們就發(fā)現(xiàn)了能夠很好地控制并聯(lián)寄生成分的L值和結(jié)合系數(shù)K的組合。

有了上述的構(gòu)造，以天線的組抗整合的簡易化為目的試制高頻變壓器并評價。試制品的尺寸為2.0mm 1.25mm 0.6mm的表面貼裝元器件（SMD）（圖3）。在試作品的RF電路側(cè)連接50Ω系的測定器，天線連接側(cè)的阻抗和動畫如圖4所示。試制變壓器將 lowband（892MHz）轉(zhuǎn)換成12→50Ω，highband（1940MHz）裝換成了19→50Ω。