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          基于DS4303為L(zhǎng)DMOS RF功率放大器提供偏置

          作者: 時(shí)間:2013-09-09 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          LDMOS RF功率放大器因其極高的性?xún)r(jià)比在GSM和CDMA基站市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。使用LDMOS放大器時(shí),保證高性能的一個(gè)關(guān)鍵因素是補(bǔ)償柵極偏置電壓,以在 溫度變化時(shí)保持恒定的靜態(tài)電流。Maxim的是目前眾多的LDMOS RF功放偏置方案中的一款。這篇應(yīng)用筆記對(duì)采用實(shí)現(xiàn)模擬偏置方案進(jìn)行了說(shuō)明。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/259716.htm

          概述

          (圖1)是采樣和無(wú)限保持電壓基準(zhǔn),可接受模擬輸入電壓并利用一個(gè)12位數(shù)/模轉(zhuǎn)換器(DAC)在其輸出端恢復(fù)該電壓。一旦輸出端恢復(fù)了輸入電壓,芯片將 輸出編碼保存至EEPROM,產(chǎn)生非易失模擬基準(zhǔn)電壓。輸出電壓由內(nèi)部低溫度系數(shù)的基準(zhǔn)產(chǎn)生,并通過(guò)滿擺幅運(yùn)放進(jìn)行緩沖。

          圖1. DS4303功能框圖

          DS4303 LDMOS偏置電路

          圖 2所示電路可用于對(duì)LDMOS的柵極電壓進(jìn)行溫度補(bǔ)償。該電路的輸出電壓等于DS4303的VOUT乘以2再加上PNP的VBE。經(jīng)過(guò)兩倍壓后的 DS4303電壓是具有低溫度系數(shù)的電壓源。PNP管VBE的溫度系數(shù)大約為+2mV/°C,為L(zhǎng)DMOS提供溫度補(bǔ)償。假定PNP管與LDMOS具有良 好的導(dǎo)熱通道,則該電路可以為L(zhǎng)DMOS提供良好的溫度補(bǔ)償。 為對(duì)該電路進(jìn)行較準(zhǔn),將所要求的DS4303輸出電壓接至VIN引腳,并調(diào)節(jié)信號(hào)拉低以觸發(fā)DS4303更新輸出電壓。一旦DS4303完成更新,采用電 流檢測(cè)放大器測(cè)量靜態(tài)電流;并重復(fù)該過(guò)程,直到達(dá)到合適的偏置電壓。必須保持連接到DS4303的輸入穩(wěn)定,以保證其輸出電壓達(dá)到正確數(shù)值。

          圖2. DS4303 LDMOS

          RF功放偏置電路

          DS4303 偏置電路與方案的比較 DS4303模擬電路解決方案的主要優(yōu)勢(shì)是簡(jiǎn)便、成本低。如果該電路靠近LDMOS放置,PNP管與LDMOS之間良好的導(dǎo)熱通道可以使柵極電壓隨著溫度 正確變化。相對(duì)于查找表來(lái)說(shuō),該解決方案的另一優(yōu)點(diǎn)是易于編程,因?yàn)榫幊提槍?duì)的是單個(gè)溫度偏置點(diǎn)。該方案在初始化編程完成后為全模擬方式,所以一旦系統(tǒng)校 準(zhǔn)完畢,更新查找表不會(huì)造成輸出瞬變。

          提供的方案可以實(shí)現(xiàn)靈活的校準(zhǔn)過(guò)程,可針對(duì)不同應(yīng)用進(jìn)行定制。該芯片能夠根據(jù)溫度和漏極 電壓對(duì)LDMOS柵極電壓進(jìn)行偏置??筛鶕?jù)需要提供非線性或線性增益補(bǔ)償。因?yàn)镈S1870具有不同增益,即使芯片與LDMOS之間沒(méi)有很好的導(dǎo)熱通道, 也可以進(jìn)行有效的溫度補(bǔ)償。與其它混合信號(hào)LDMOS偏置電路不同,DS1870可由工廠編程,作為獨(dú)立的偏置電路工作。通過(guò)I²C兼容的串行總線訪問(wèn)芯 片內(nèi)部的5路ADC,監(jiān)控系統(tǒng)的運(yùn)行狀態(tài);此外,還可以根據(jù)需要設(shè)置監(jiān)控參數(shù),產(chǎn)生報(bào)警信號(hào),用來(lái)驅(qū)動(dòng)處理器中斷或關(guān)閉放大器。有關(guān)DS1870的詳細(xì)資 料,可從Maxim網(wǎng)站下載。



          評(píng)論


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