飛思卡爾半導(dǎo)體在生產(chǎn)及銷售分立和集成射頻半導(dǎo)體器件方面具有雄厚實(shí)力。該公司采用HV7工藝的第七代硅RF外側(cè)擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)，在3.8GHz范圍內(nèi)具有滿足WiMAX基礎(chǔ)設(shè)施的輸出功率和線性性能。飛思卡爾面向工業(yè)、科學(xué)以及醫(yī)療(ISM)應(yīng)用的高電壓HV7工藝支持48V工作電壓，該公司還將其大功率GaAs PHEMT器件的工作頻率擴(kuò)展到6GHz，可用于WiMAX放大器。

最近，飛思卡爾半導(dǎo)體宣布推出第一款具有100W輸出功率的兩級(jí)射頻集成電路(RF IC)。當(dāng)由該公司高性價(jià)比的MMG3005N通用放大器(GPA)驅(qū)動(dòng)時(shí)，MWE6IC9100N和MW7IC181 00N RF IC構(gòu)成了工作在900和1,800MHz的無(wú)線基站100W功率放大器完整解決方案。

雖然這些分立以及集成RF功率器件的性能非常優(yōu)異，但將這些器件交至客戶手中僅僅是開始。事實(shí)上，每次交付使用都將由飛思卡爾的技術(shù)人員提供各種測(cè)試、建模、封裝以及應(yīng)用支持。

RF功率特性

負(fù)載拉移測(cè)量技術(shù)在最近幾年愈來(lái)愈受歡迎，該技術(shù)通常被用來(lái)測(cè)量RF功率放大器的參數(shù)，比如峰值輸出功率、增益，以及在器件參考平面出現(xiàn)的各種復(fù)雜負(fù)載條件下的效率。在同一測(cè)量環(huán)境中采用多種復(fù)雜的調(diào)制信號(hào)也越來(lái)越普遍。對(duì)大功率RF半導(dǎo)體生產(chǎn)商而言，準(zhǔn)確表征產(chǎn)品的特性還存在困難，與此同時(shí)開發(fā)這類器件還必須采用大的外圍設(shè)備。這類設(shè)備一般為60mm，終端阻抗低于0.5Ω，品質(zhì)因數(shù)(Q)在8至10之間。

飛思卡爾公司的射頻部門已開發(fā)出幾種增強(qiáng)精度的技術(shù)和以及多種自動(dòng)定制測(cè)量技術(shù)。該部門具有高反射(高γ)負(fù)載拉移實(shí)驗(yàn)室，測(cè)試頻率覆蓋250MHz至8GHz，測(cè)試功率高達(dá)100W連續(xù)功率(CW)(或者500W脈沖功率)，可為該公司的GaAs、GaN和LDMOS器件、建模、應(yīng)用和其它功能小組提供服務(wù)(圖1)。飛思卡爾具有對(duì)0.5Ω以及更低阻抗器件實(shí)現(xiàn)先進(jìn)測(cè)量的能力，為此該公司開發(fā)出了一系列專門測(cè)試設(shè)備來(lái)優(yōu)化阻抗變換比，將50Ω系統(tǒng)特性阻抗轉(zhuǎn)變?yōu)榇蠊β示w管負(fù)載拉移測(cè)量所需的低阻抗。

除基于夾具的系統(tǒng)外，飛思卡爾還采用基于商用晶圓探針測(cè)試設(shè)備的晶圓上負(fù)載拉移系統(tǒng)，該系統(tǒng)主要用于器件的研究、開發(fā)及建模。晶圓上負(fù)載拉移系統(tǒng)采用獨(dú)特的三維抗振動(dòng)機(jī)制來(lái)減小調(diào)諧振動(dòng)的影響，從而將探針到晶圓的接觸損傷降至最小。

飛思卡爾半導(dǎo)體公司的負(fù)載拉移系統(tǒng)具有很高的精度，通常在γ值最大(0.93至0.95或Smith圖邊沿)的情況下，傳感器差分增益ΔG_t小于0.25dB，并且在測(cè)量區(qū)域內(nèi)小于0.1dB。這一精度水平是通過(guò)在所有測(cè)量參考面采用高精度的7mm同軸連接器來(lái)實(shí)現(xiàn)的，這些連接器的在2GHz下的電壓駐波比(VSWR)一般為1.008:1。另外一些特性也為達(dá)到這個(gè)精度提供了保障，這些特性包括：中心接觸阻抗小于0.1mΩ、良好的校正特性、單元至單元阻抗變化小于0.1%、在18GHz頻率下的相變小于0.21度。

結(jié)合使用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀與負(fù)載拉移測(cè)試系統(tǒng)，并采用穿透-反射-線(TRL)校正法，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)于45dB的源匹配。與其VNA校正方法，如短路-開路-負(fù)載-穿透(SOLT)法相比，TRL校正法不受高頻下校正負(fù)載標(biāo)準(zhǔn)的寄生電路元件(固有的額外電容及電感)的影響。

通常，對(duì)每個(gè)調(diào)諧器要測(cè)試5,000至6,000個(gè)阻抗點(diǎn)，從而確保阻抗點(diǎn)在源和負(fù)載阻抗平面內(nèi)均勻分布。當(dāng)非匹配外圍設(shè)備的終端阻抗很低時(shí)，這些設(shè)備對(duì)很小的阻抗變化非常敏感，因此對(duì)它們的測(cè)試需要高密度的測(cè)試點(diǎn)。在評(píng)估包含封裝匹配部分的阻抗較高的產(chǎn)品時(shí)，不要求如此高的測(cè)試密度，此時(shí)可以進(jìn)行測(cè)試點(diǎn)稀疏的負(fù)載拉移測(cè)試。

典型的負(fù)載拉移設(shè)置如圖2所示。在飛思卡爾，采用負(fù)載拉移系統(tǒng)來(lái)評(píng)價(jià)器件的峰值脈沖壓縮、AM-AM轉(zhuǎn)換、AM-PM轉(zhuǎn)換、頻率響應(yīng)以及大信號(hào)器件輸入阻抗等。該系統(tǒng)也可以用于復(fù)合信號(hào)的測(cè)量，以確定平均和峰值功率、鄰道功率(ACP)、雙音和多音交調(diào)失真(IMD)測(cè)試等，并評(píng)估器件在EDGE信號(hào)不同負(fù)載條件下的行為。飛思卡爾還進(jìn)行器件信號(hào)功率的互補(bǔ)累積分布函數(shù)(CCDF)分析。CCDF測(cè)試是常見的第二代(2G)和第三代(3G)無(wú)線測(cè)量。實(shí)現(xiàn)CW、脈沖以及調(diào)制信號(hào)測(cè)量的要求來(lái)自于這些信號(hào)在器件上產(chǎn)生不同熱負(fù)載的事實(shí)，因此，對(duì)每個(gè)調(diào)制格式優(yōu)化的負(fù)載阻抗也是不同的，如圖3所示。除這一廣泛的測(cè)量能力以外，飛思卡爾已開發(fā)了獨(dú)具價(jià)值的數(shù)據(jù)輸入和后處理工具，使用戶能夠快速分析二維或三維平面下被測(cè)試器件(DUT)的行為(圖4)。

脈沖VNA負(fù)載拉移技術(shù)被用來(lái)測(cè)量飛思卡爾公司廣泛的功率晶體管產(chǎn)品，包括170W WCDMA器件MRF7S21170H。該器件的負(fù)載拉移功率等高線顯示，1dB壓縮點(diǎn)的脈沖輸出功率高于+53dBm(200W)，2.14GHz頻率下的增益為19.94dB(圖5)。由于具有這些技術(shù)，MRF7S21170H的最終匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)變成非常簡(jiǎn)單，只需為同時(shí)優(yōu)化功率密度、增益、效率，以及綜合的匹配網(wǎng)絡(luò)而選擇負(fù)載和源阻抗。

功率器件的建模

設(shè)計(jì)面向現(xiàn)代通訊和廣播系統(tǒng)、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用，以及航空電子和雷達(dá)市場(chǎng)的RF功率放大器(PA)是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，設(shè)計(jì)工程師必須滿足提高RF功率放大器能效的目標(biāo)，并同時(shí)滿足嚴(yán)格的調(diào)節(jié)(比如線性)和對(duì)更低成本放大器的需求。

基于AB類工作模式的傳統(tǒng)放大器正被采用Doherty和包絡(luò)跟蹤等結(jié)構(gòu)的效率更高的設(shè)計(jì)所代替，后者可以工作在非線性模式下，例如D類、E類、F類以及其它工作模式等。效率更高、線性度更高、成本更低，這些相互矛盾的要求意味著設(shè)計(jì)工程師必須進(jìn)行多方面的折衷。如此艱巨的任務(wù)只能采用基于經(jīng)驗(yàn)或“試湊”的辦法來(lái)完成。設(shè)計(jì)工程師必須轉(zhuǎn)向計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(CAD)技術(shù)以及電路仿真來(lái)優(yōu)化設(shè)計(jì)。在射頻功率放大器設(shè)計(jì)中越來(lái)越多地采用CAD方法，使得設(shè)計(jì)更多地依賴于精確晶體管模型。越來(lái)越多的公司利用CAD方法來(lái)顯著縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，并增加設(shè)計(jì)的魯棒性以應(yīng)對(duì)工藝和生產(chǎn)參數(shù)的變化。對(duì)半導(dǎo)體生產(chǎn)商而言，及時(shí)提供精確、非線性、電熱模型已成為在可相互替代的供應(yīng)商中脫穎而出的關(guān)鍵。

采用飛思卡爾的大功率射頻晶體管的功率放大器設(shè)計(jì)工程師，可以得到飛思卡爾具有全面經(jīng)驗(yàn)的射頻建模團(tuán)隊(duì)的技術(shù)支持，并獲得非線性電熱晶體管模型?？梢詮脑摴镜腞F大功率模型庫(kù)www.freescale.com/rf/models在線獲得模型。很多CAD工具都支持這些模型，包括安捷倫的EEsof ADS和Genesys、Advanced Wave Research公司的Microwave Office、AWR公司的Analog Design Tool、Ansoft公司的Ansoft Designer。

具有封裝內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)的典型分立射頻晶體管如圖6所示。這個(gè)匹配網(wǎng)絡(luò)通過(guò)將晶體管裸片的低輸入阻抗和輸出阻抗轉(zhuǎn)換為更實(shí)用的輸入阻抗和輸出阻抗值，來(lái)提高產(chǎn)品的易用性及性能。這些匹配網(wǎng)絡(luò)采用小直徑邦定線和金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)電容來(lái)構(gòu)建，最大的射頻/微波功率晶體管包含有100到200個(gè)邦定線和幾個(gè)MOS電容。大功率RF IC則采用片內(nèi)螺旋電感、電容和傳輸線來(lái)構(gòu)建匹配網(wǎng)絡(luò)。

匹配網(wǎng)絡(luò)引入了高Q值諧振電路，以進(jìn)行所需的阻抗變換。邦定線陣列的輕微變化會(huì)導(dǎo)致諧振頻率偏移，這可能影響匹配網(wǎng)絡(luò)的特性。在許多應(yīng)用中，由于邦定線僅提供封裝引腳和封裝內(nèi)半導(dǎo)體器件之間的導(dǎo)電互連，所以被看作是寄生元件的一部分。但在RF功率晶體管中，邦定線不再是寄生元件，而是設(shè)計(jì)不可分割的一部分，因此必須對(duì)其進(jìn)行準(zhǔn)確建模。

大功率RF和微波半導(dǎo)體晶體管一般采用氣腔封裝或超模壓塑料封裝(OMP)。這些封裝可保護(hù)內(nèi)部電路免于外界環(huán)境的影響，并有助于消除晶體管有源電路區(qū)所產(chǎn)生的熱量。此外，這些封裝還是低損耗匹配網(wǎng)絡(luò)的組成部分。在所有半導(dǎo)體器件中，用在無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的晶體管產(chǎn)生的熱量最大，而且重要的是，這種自熱效應(yīng)已體現(xiàn)在非線性晶體管模型中。

開發(fā)這些封裝晶體管的非線性電熱模型，使最復(fù)雜的測(cè)量和仿真技術(shù)成為可能。成功的建模還必須解決一些問(wèn)題，包括匹配網(wǎng)絡(luò)中組成部分之間以及邦定線陣列之間的電磁交互作用、熱管理、器件熱模型與電模型的自相容集成，以及建立晶體管本身的非線性模型等。

飛思卡爾采用分割的方法來(lái)開發(fā)模型，在這種方法中，封裝晶體管被認(rèn)為是可以分為更小組成部分的系統(tǒng)，如圖7所示。每個(gè)組件被分別建模，然后獨(dú)立的模型被集成到代表封裝器件的單一模型中。這種方法降低了計(jì)算負(fù)荷并建模復(fù)雜性，并表征了內(nèi)部器件耦合的特性。這些特性包括在最終的模型中，以提高仿真精度。

封裝晶體管模型的核心是本征晶體管的非線性模型，這個(gè)非線性模型是從與偏置有關(guān)的S參數(shù)測(cè)量中提取出來(lái)的。精密的分層(deem-bedding)技術(shù)被用來(lái)描述和去除多重性以及外部組成部分，從而提取非線性模型。飛思卡爾采用Root模型和MET型來(lái)描述非線性模型。MET模型的熱模型是通過(guò)改變裸片溫度范圍的測(cè)量來(lái)決定的，并且與非線性點(diǎn)模型自相容地耦合。在普通CAD工具中，MET模型是RF功率晶體管的事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)非線性模型。

在封裝內(nèi)匹配網(wǎng)絡(luò)中，無(wú)源器件的模型是由線性S參數(shù)測(cè)量和電磁仿真決定的。利用高精度紅外(IR)顯微鏡的測(cè)量結(jié)構(gòu)生成封裝和散熱器的熱模型。

當(dāng)模型生成之后，通過(guò)比較模型預(yù)測(cè)與在模型生成中未被采用的獨(dú)立測(cè)量數(shù)據(jù)，開始確認(rèn)模型工作的最后步驟。飛思卡爾基于其負(fù)荷拉移測(cè)量能力，制訂出一套行之有效的方法來(lái)確認(rèn)它的大信號(hào)模型。本質(zhì)上說(shuō)，CAD工具被用來(lái)模仿大功率器件在負(fù)載拉移測(cè)試期間觀察到的環(huán)境。在非線性諧波平衡仿真過(guò)程中，對(duì)基頻和諧波頻率下的待測(cè)器件(DUT)的負(fù)載拉移S參數(shù)進(jìn)行同步，以提出負(fù)載阻抗。測(cè)量和建模能力的配合有助于優(yōu)化模型，以匹配測(cè)量結(jié)果。

圖8和圖9是與圖6類似的硅LDMOS晶體管模型確認(rèn)的例子。該器件已經(jīng)被設(shè)計(jì)用于860和960MHz頻段N-CDMA、GSM和GSM/EDGE基站應(yīng)用，且在典型的GSM應(yīng)用中具有28V電源電壓和1,200mA靜態(tài)漏電流。該晶體管在1dB壓縮點(diǎn)能提供160WCW功率。該晶體管包括三個(gè)有源裸片，具有大約270mm的柵長(zhǎng)。封裝中包括了輸入匹配網(wǎng)絡(luò)，這個(gè)T型網(wǎng)絡(luò)采用78個(gè)邦定線和MOS電容。組成組成部分的模型如前所述，然后利用這些組成部分構(gòu)建完整的模型。確認(rèn)部分包括了大信號(hào)模型和雙音仿真，它在脈沖條件下實(shí)現(xiàn)，以提供恒溫環(huán)境。在同樣熱條件以及輸入和輸出負(fù)載條件下進(jìn)行了負(fù)載拉移測(cè)量，并將測(cè)試結(jié)果與仿真結(jié)果比較。輸出功率、三階互調(diào)失真(IM3)、功率附加效率(PAE)以及轉(zhuǎn)換器增益的測(cè)量和仿真如圖8和9所示。采用分別在最大功率附加效率和最大輸出功率下諧振的已封裝晶體管，來(lái)實(shí)現(xiàn)功率掃描或拉升測(cè)量。在測(cè)試條件范圍內(nèi)，測(cè)量和仿真結(jié)果非常吻合。

塑料封裝

大功率RF和微波半導(dǎo)體晶體管一般采用OMP封裝或氣腔封裝封裝。用于大功率RF和微波應(yīng)用的晶體管要消耗大量的功率，因此它工作時(shí)的結(jié)溫很高。在封裝設(shè)計(jì)過(guò)程中，必須遵守嚴(yán)格的熱機(jī)械設(shè)計(jì)要求，以確保該封裝可以發(fā)散晶體管產(chǎn)生的大量熱量，而不會(huì)使其電性能下降。此外，封裝必須堅(jiān)固，具有很高的機(jī)械強(qiáng)度以保證蜂窩基站和廣播系統(tǒng)的可靠性。

典型的氣腔封裝和OMP封裝如圖10所示。塑料封裝晶體管的內(nèi)部成分是超模壓低損耗塑料材料。雖然新的功能性更強(qiáng)的多級(jí)大功率RF IC具有更多引腳，但大部分大功率晶體管封裝采用兩個(gè)或四個(gè)引腳。封裝針對(duì)引腳而設(shè)計(jì)，以便放置在PCB頂層微帶傳輸線上。法蘭焊盤的背面一側(cè)接觸功率放大器的散熱器，形成與微帶線底面連接器相連的導(dǎo)電連接，以及與散熱器連接的導(dǎo)熱連接，后者使得熱量從封裝晶體管傳導(dǎo)出去。

氣腔封裝是最昂貴的功率晶體管封裝形式，這歸結(jié)于氣腔封裝所采用的材料。由于功率晶體管是RF功率放大器中最貴的組成部分，所以這些氣腔封裝通常是設(shè)計(jì)和材料開發(fā)過(guò)程中降低成本的目標(biāo)。

過(guò)去六年以來(lái)，飛思卡爾已經(jīng)系統(tǒng)地重新對(duì)氣腔封裝進(jìn)行工程化，采用新的材料進(jìn)行設(shè)計(jì)，以提高性能并將降低封裝成本。2004年，飛思卡爾在其封裝中對(duì)散熱器材料做了改變，將熱性能提高了15-35%。這一性能改善使業(yè)界很快接受了改善后的封裝設(shè)計(jì)。

隨著用于大功率RF晶體管塑料封裝技術(shù)的創(chuàng)新開發(fā)，飛思卡爾進(jìn)一步降低了封裝成本。采用OMP封裝解決方案，飛思卡爾可以提供在2.1GHz下具有130W功率的RF晶體管，與金屬陶瓷氣腔封裝產(chǎn)品進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)。迄今為止，已有超過(guò)3,000萬(wàn)個(gè)超模壓封裝RF功率晶體管交付使用。此外，飛思卡爾提供超過(guò)12個(gè)不同封裝方案以及OMP封裝技術(shù)中的引腳配置，可實(shí)現(xiàn)各種功率RF IC產(chǎn)品。

這些OMP晶體管完全適用于傳統(tǒng)的大功率RF應(yīng)用。封裝、材料和生產(chǎn)工藝的基本設(shè)計(jì)來(lái)自于飛思卡爾為最苛刻的環(huán)境條件而設(shè)計(jì)的大功率汽車和工業(yè)用封裝技術(shù)。這些封裝設(shè)計(jì)可達(dá)到超過(guò)1,900年的平均故障間隔時(shí)間(MTBF)。OMP封裝的機(jī)械公差很小，相對(duì)傳統(tǒng)的氣腔封裝，其公差指標(biāo)有很大改善(高達(dá)50%)。很小的尺寸公差以及優(yōu)異的濕度靈敏度等級(jí)(MSL)額定值使這些封裝適合于放大器裝配的自動(dòng)化PCB生產(chǎn)。

有了氣腔外殼，OMP封裝可以可靠地工作在器件結(jié)溫度超過(guò)+200℃的情況下。集成的銅散熱器提供良好的耐熱性和散熱性，并且該封裝支持無(wú)鉛引腳(RoHS)互連工藝，在+260℃回流焊工藝中具有3或更高的MSL額定值?？紤]到與標(biāo)準(zhǔn)的符合性，OMP封裝已注冊(cè)成為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。

飛思卡爾在專門配備的熱分析實(shí)驗(yàn)室評(píng)估了不同封裝類型的性能。封裝晶體管的熱性能是完整的無(wú)線基站收發(fā)信臺(tái)(BTS)所要求的系統(tǒng)級(jí)冷卻性能的一個(gè)主要因素。封裝的散熱能力由其熱阻決定，熱阻即為由消耗功率所產(chǎn)生的兩點(diǎn)之間的溫度差。

為獲得封裝晶體管的熱阻，飛思卡爾制訂了一套嚴(yán)格的方法，采用紅外線(IR)顯微鏡來(lái)測(cè)量工作在實(shí)際節(jié)點(diǎn)阻抗和信號(hào)激勵(lì)下的晶體管裸片的溫度。在顯微鏡下，裸片的溫度分布可以被看成是功率大小、偏置、匹配條件、頻率，甚至是所選擇的調(diào)制方式(例如WCDMA或IS-95)的函數(shù)。晶體管消耗60W功率的IR圖像照片如圖11所示。

使用IR顯微鏡可以定位出測(cè)量區(qū)域的最大裸片表面溫度。在熱測(cè)量期間，可以確定封裝晶體管的底部的溫度，并通過(guò)熱電偶進(jìn)行監(jiān)測(cè)，或者直接在晶體管的活動(dòng)單元或產(chǎn)生熱的區(qū)域進(jìn)行定位，如圖12所示?？赏ㄟ^(guò)在晶體管的陶瓷蓋上鉆孔，或者除去蓋子來(lái)直接觀察裸片表面。對(duì)OMP封裝，可以刻蝕掉模壓封裝使裸片的表面暴露出來(lái)。

應(yīng)用工程

飛思卡爾的大功率RF器件支持團(tuán)隊(duì)包括富有創(chuàng)造力和經(jīng)驗(yàn)的應(yīng)用工程師，他們協(xié)助客戶對(duì)廣泛的商用工業(yè)、醫(yī)療、航空電子、廣播以及蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用進(jìn)行電路設(shè)計(jì)與故障診斷。由于現(xiàn)代RF功率放大器的系統(tǒng)級(jí)復(fù)雜性很高，這種任務(wù)已成為一種必然，并隨著通常設(shè)計(jì)周期時(shí)間的急劇減少而增加。飛思卡爾的RF應(yīng)用團(tuán)隊(duì)重點(diǎn)關(guān)注這些復(fù)雜問(wèn)題，并幫助客戶在應(yīng)用中使用這些器件，使飛思卡爾的晶體管方便、快速、無(wú)縫地集成到客戶的設(shè)計(jì)中。

為縮短客戶的設(shè)計(jì)周期，飛思卡爾的應(yīng)用團(tuán)隊(duì)已經(jīng)著手開發(fā)經(jīng)過(guò)優(yōu)化的適合GSM、CDMA、WCDMA、TD-SCDMA和WiMAX等特定大容量應(yīng)用的RF器件示范電路。這些系統(tǒng)級(jí)電路采用小尺寸的普通和商用RF器件，以及典型的組裝流程，例如回流焊、表面貼裝或器件夾具法，證明了全部RF器件系列的性能。此外還采用了電路級(jí)效率和線性增強(qiáng)技術(shù)，比如Doherty以及模擬預(yù)矯正(APD)方法，以便讓客戶能更好地理解不同設(shè)計(jì)方法的優(yōu)勢(shì)。

圖13為其中一個(gè)示范電路。這個(gè)電路被用來(lái)演示完整的1,800MHz GSM產(chǎn)品系列，包括驅(qū)動(dòng)MW7IC18100N大功率RF的ICMMG3005 GPA。MMG3005是A類偏置InGaP HBTC，在1dB壓縮下具有+30dBm額定輸出功率。MW7IC18100N是HV7 LDMOS兩級(jí)RF IC，在1dB壓縮下具有100W(+50dBm)的額定輸出功率。綜合來(lái)看，這兩個(gè)器件創(chuàng)建了高性能的1,800MHz GSM系統(tǒng)，具有近50dB的增益、37%的線路效率，以及+46dBm輸出功率下的1.5% EVM性能，如圖14和15所示。低成本塑料封裝、緊湊的電路版圖以及使用最少的RF器件使得這一應(yīng)用為成本敏感的GSM市場(chǎng)提供了理想的解決方案。

圖16是針對(duì)TD-SCDMA應(yīng)用的RF示范電路的典型性能。該電路包括驅(qū)動(dòng)MRF6S21100H分立晶體管的MW6IC2215N RF IC。MW6IC2215N是一款兩級(jí)HV6 LDMOS RF IC，而MRF6S21100H是一款HV6 LDMOS分立陶瓷晶體管。這些器件在1dB壓縮下分別具有15W和100W的額定輸出功率。盡管這些器件不是專門用于TD-SCDMA市場(chǎng)，但評(píng)估表明它們具有優(yōu)異的六載波TD-SCDMA性能。在+38dBm輸出功率下，線路增益為43dB，未經(jīng)校正的鄰道功率為-51.4dBc，未經(jīng)校正的相間信道功率為-52.3dBc。

除示范電路、電路設(shè)計(jì)輔助以及系統(tǒng)故障診斷之外，飛思卡爾的工程應(yīng)用團(tuán)隊(duì)還與建模和測(cè)量團(tuán)隊(duì)密切合作，以充分展示飛思卡爾RF功率產(chǎn)品的大信號(hào)性能。由于具有RF特性、建模、封裝以及工程應(yīng)用的這四個(gè)團(tuán)隊(duì)，飛思卡爾不僅僅是一個(gè)器件供應(yīng)商，更是一家提供全套工具來(lái)幫助客戶取得成功的公司。