靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其具有錯(cuò)誤校正代碼(ECC)的16Mb低功耗異步SRAM 已開(kāi)始出樣。全新MoBL® (More Battery Life™，更久電池續(xù)航) SRAM的片上ECC功能可使之具有最高水準(zhǔn)的數(shù)據(jù)可靠性，而無(wú)需另外的錯(cuò)誤校正芯片，從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并節(jié)省電路板空間。該MoBL器件可延長(zhǎng)工業(yè)、軍事、通訊、數(shù)據(jù)處理、醫(yī)療和消費(fèi)電子等應(yīng)用領(lǐng)域里手持設(shè)備的電池續(xù)航時(shí)間。

　　背景輻射造成的軟錯(cuò)誤可損壞存儲(chǔ)內(nèi)容，丟失重要數(shù)據(jù)。賽普拉斯新型異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有錯(cuò)誤校正動(dòng)作，無(wú)需用戶干預(yù)，因而具有業(yè)界最佳的軟錯(cuò)誤率(SER)性能，錯(cuò)誤率僅有0.1 FIT/Mb(1個(gè)FIT相當(dāng)于器件每工作十億小時(shí)發(fā)生一個(gè)錯(cuò)誤)。這些新器件與現(xiàn)有的異步低功耗SRAM管腳兼容，客戶不必更改電路板設(shè)計(jì)即可提高系統(tǒng)可靠性。16Mb MoBL 異步SRAM還具有可選的錯(cuò)誤指示信號(hào)，可指示單位(Single-Bit)錯(cuò)誤的發(fā)生和校正。

　　賽普拉斯異步SRAM事業(yè)部高級(jí)總監(jiān)Sunil Thamaran說(shuō)：“自從我們?nèi)ツ晖瞥鰩CC的快速SRAM以來(lái)，客戶反響非常強(qiáng)烈。在這一系列中增加MoBL器件，可使更多的應(yīng)用受益于我們的片上ECC技術(shù)。賽普拉斯致力于不斷開(kāi)發(fā)SRAM新技術(shù)，更好地為客戶服務(wù)，鞏固我們毫無(wú)爭(zhēng)議的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位。”

　　賽普拉斯的16Mb MoBL異步SRAM具有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的x8, x16 和 x32配置。器件具有多種工作電壓(1.8V， 3V和5V)，工作溫度范圍為-40?C 至 +85?C(工業(yè)級(jí))和-40?C 至 +125?C(汽車級(jí))。

　　供貨情況

　　這些全新SRAM目前已有工業(yè)溫度范圍的樣片，預(yù)計(jì)2014年11月份量產(chǎn)。這些器件以符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的48-pin TSOP I、 48-ball VFBGA、 119-ball BGA方式封裝。