在ARM公司發(fā)布全新的MCU內(nèi)核ARM Cortex-M7僅幾個(gè)小時(shí)之后，意法半導(dǎo)體聯(lián)合ARM在北京也公開發(fā)布了其對應(yīng)的產(chǎn)品STM32 F7微控制器(MCU)。作為全球第一款采用ARM Cortex-M7內(nèi)核的處理器，STM32 F7系列性能遠(yuǎn)超其他STM32系列產(chǎn)品，較之前最強(qiáng)大的STM32 F4，F(xiàn)7通過無縫升級將處理性能和DSP性能的方式提高一倍。

　　ARM嵌入式市場營銷副總裁Richard YORK與意法半導(dǎo)體微控制器市場總監(jiān)Daniel Colonna分別介紹了Cortex-M7的創(chuàng)新優(yōu)勢和STM32 F7帶來的全新性能優(yōu)勢。Cortex-M7性能測試結(jié)果高達(dá)5 CoreMark/MHz，能同時(shí)提供高性能與數(shù)字信號(hào)控制功能，這讓基于 Cortex-M7的MCU可用于智能控制系統(tǒng)，其適用范圍包括馬達(dá)控制、工業(yè)自動(dòng)化、先進(jìn)語音功能、圖像處理、各類連網(wǎng)交通工具應(yīng)用及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)相關(guān)應(yīng)用。Daniel Colonna特別強(qiáng)調(diào)，STM32F7雖然性能提高了，但并沒有影響。盡管功能更多，新系列運(yùn)行模式和低功耗模式(停止、待機(jī)和VBAT)的功耗與STM32F4保在同一水平線上，工作模式能效為7 CoreMarks/mW;在低功耗模式下，當(dāng)上下文和SRAM內(nèi)容全都保存時(shí)，典型功耗最低120 uA;典型待機(jī)功耗為1.7uA;VBAT模式典型功耗為0.1uA。目前采用90納米嵌入式非易失性存儲(chǔ)器CMOS制造工藝200MHz的STM32F756NG高性能微控制器樣片已經(jīng)開始提供給主要客戶，這證明意法半導(dǎo)體正在履行“加快創(chuàng)新，加快上市”的承諾。

　　意法半導(dǎo)體微控制器市場總監(jiān)Daniel Colonna表示：“我們強(qiáng)大的開發(fā)生態(tài)系統(tǒng)結(jié)合多元化的微控制器、傳感器、功率器件和通信產(chǎn)品組合，以及貼心的客戶技術(shù)支持服務(wù)，讓我們的STM32 F7成為業(yè)界領(lǐng)先的STM32微控制器產(chǎn)品家族的高端產(chǎn)品。”

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