高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設計
1. 4 其他設計考慮
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/266583.htm根據(jù)參考文獻 , 我們在電路設計過程中做了以下考慮。從轉(zhuǎn)換增益考慮, △VLO必須較小, 而 βRFN和 βRFP必須較大。當 βRFN和βRFP大到一定程度時, MRFN 和MR FP 將進入弱反型區(qū), 當MRFN和MRFP都處于弱反型區(qū)時, 轉(zhuǎn)換增益將會急速增加, 但是同時, 線性度將急劇惡化。幸運的是, 我們可以通過增加LO 的功率來同時提高轉(zhuǎn)換增益和線性度。
這與吉爾伯特混頻器有所不同, 對于吉爾伯特結(jié)構(gòu)來說, 增加LO功率只能使轉(zhuǎn)換增益增加, 但是線性度會惡化。所以在設計過程中, 必須考慮使用適當?shù)腖O 功率和△VLO, 電流復用對晶體管的尺寸和偏置要折中。我們可以設置偏置, 使△VLO處于弱反型區(qū)來得到低功耗, 同時從電流復用對上補償線性度,并通過設置合適的LO功率得到適當?shù)霓D(zhuǎn)換增益。
2 電路仿真
本文混頻器電路設計基于SM IC0. 18 m 標準CMOS工藝庫, 運用ADS進行了仿真?;祛l器工作在1. 8 V 電源電壓下, 射頻輸入頻率1. 575 GH z, 功率為- 30 dBm; 本振頻率789. 5 MH z, 功率為- 5 dBm。
圖4給出了轉(zhuǎn)換增益和三階交調(diào)截至點( IIP3)隨本振信號功率和射頻信號功率變化曲線。圖4( a)顯示了固定射頻信號為- 30 dBm, 本振信號功率為- 5 dBm時轉(zhuǎn)換增益達最大為20. 848 dB; 本振信號功率從- 8 dBm到- 5 dBm, IIP3緩慢增加到- 3 dBm, 然后開始下降。圖4 ( b) 顯示了固定本振信號功率為- 5 dBm, 轉(zhuǎn)換增益在射頻輸入信號大于- 20 dBm 時開始下降, IIP3在- 11 dBm 到- 2. 297 dBm 波動。仿真結(jié)果顯示, 該混頻器具有高增益、高線性度的優(yōu)點。
增益和IIP3隨本振功率和射頻功率變化的曲線
圖4 增益和IIP3隨本振功率和射頻功率變化的曲線
表1給出了本設計的仿真結(jié)果與近期發(fā)表的論文中混頻器電路結(jié)果的比較, 可以看到, 該混頻器電路在轉(zhuǎn)換增益和線性度上具有一定的優(yōu)勢。
表1 混頻器性能總結(jié)與比較
混頻器性能總結(jié)與比較
設計的混頻器版圖用C adence進行了繪制, 如圖5所示。面積為0. 751mm 0. 88mm。
混頻器版圖設計
圖5 混頻器版圖設計
3 總結(jié)
本文采用電流復用和偶次諧波技術(shù)設計了CMOS偶次諧波混頻器, 經(jīng)過對電路優(yōu)化設計, 仿真結(jié)果表明, 該拓撲結(jié)構(gòu)具有高轉(zhuǎn)換增益、高線性度、低功耗的優(yōu)點, 在便攜式無線通信系統(tǒng)中具有較好的應用前景。
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