二極管工作原理
那是1947年的一個(gè)冬天,貝爾實(shí)驗(yàn)室的三位科學(xué)家發(fā)明了三極管,改變了世界,推動(dòng)了全球的半導(dǎo)體電子工業(yè)。于是10年后又一個(gè)冬天,哥仨一起獲得了諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。然而這三極管可不是被憑空發(fā)明出來的,從結(jié)構(gòu)上看,她是由兩個(gè)二極管組成,絕逼二極管“干兒子”。今天電子產(chǎn)品世界小編為您帶來 “干爹”二極管的傳奇故事。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/267931.htm1 二極管工作原理:二極管=PN結(jié)+馬甲兒
在半導(dǎo)體性能被發(fā)現(xiàn)后,二極管成為了世界上第一種半導(dǎo)體器件,目前最常見的結(jié)構(gòu)是,在PN結(jié)上加上引線和封裝,就成為一個(gè)二極管,甚至可以說二極管實(shí)際上就是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的,因此二極管工作原理約等于PN的工作原理,小編從源頭講講二極管(PN結(jié))到底是怎么來的?
1.1 二極管工作原理:二極管PN節(jié)的好哥倆:P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體
我們一般根據(jù)導(dǎo)電能力(電阻率)的不同將物體來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。更通俗地講,完全純凈的、不含雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。主要常見代表有硅、鍺這兩種元素的單晶體結(jié)構(gòu)。但實(shí)際半導(dǎo)體不能絕對(duì)的純凈,這類半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。
P型半導(dǎo)體
如果我們在純硅中摻入少許的硼(最外層有3個(gè)電子),就反而少了1個(gè)電子,而形成一個(gè)空穴,這樣就形成P型半導(dǎo)體(少了1個(gè)帶負(fù)電荷的原子,可視為多了1個(gè)正電荷)。因三價(jià)雜質(zhì)原子在與硅原子形成共價(jià)鍵時(shí),缺少一個(gè)價(jià)電子而在共價(jià)鍵中留下一個(gè)空穴。
圖1.P型半導(dǎo)體的共價(jià)結(jié)構(gòu)
在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子,它主要由摻雜形成;自由電子是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成??昭ê苋菀追@電子,使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。三價(jià)雜質(zhì)因而也稱為受主雜質(zhì)。
N型半導(dǎo)體
如果在純硅中摻雜少許的砷或磷(最外層有5個(gè)電子),就會(huì)多出1個(gè)自由電子,這樣就形成N型半導(dǎo)體,因五價(jià)雜質(zhì)原子中只有四個(gè)價(jià)電子能與周圍四個(gè)半導(dǎo)體原子中的價(jià)電子形成共價(jià)鍵,而多余的一個(gè)價(jià)電子因無共價(jià)鍵束縛而很容易形成自由電子,如圖1所示。
圖2. N型半導(dǎo)體的共價(jià)結(jié)構(gòu)
在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子,它主要由雜質(zhì)原子提供;空穴是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成。提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子,因此五價(jià)雜質(zhì)原子也稱為施主雜質(zhì)。
1.2 PN結(jié)=P∩N(注:“∩”交集)
在一塊完整的硅片上,用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導(dǎo)體另一邊形成P型半導(dǎo)體后,兩種半導(dǎo)體的交界面附近的區(qū)域?yàn)镻N結(jié),如圖3所示。在空間電荷區(qū),由于缺少多子,所以也稱耗盡層。
圖3.PN結(jié)原理圖
PN結(jié)的每端都帶電子,這樣排列使電流只能從一個(gè)方向流動(dòng)。當(dāng)沒有電壓通過二極管時(shí),電子就沿著過渡層之間的匯合處從N型半導(dǎo)體流向P型半導(dǎo)體,從而形成一個(gè)耗盡區(qū)。在損耗區(qū)中,半導(dǎo)體物質(zhì)會(huì)回復(fù)到它原來的絕緣狀態(tài)--所有的這些“電子空穴”都會(huì)被填滿,所以就沒有自由電子,也就沒有電流流動(dòng)。
2 二極管工作原理:二極管PN節(jié)的正向偏置
。必須說明,當(dāng)加在二極管兩端的正向電壓很小時(shí),二極管仍然不能導(dǎo)通,流過二極管的正向電流十分微弱。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值(這一數(shù)值稱為“門檻電壓”,鍺管約為0.2V,硅管約為0.6V)以后,二極管才能直正導(dǎo)通。導(dǎo)通后二極管兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3V,硅管約為0.7V),稱為二極管的“正向壓降”。將二極管的正極(P區(qū))接在低電位端,負(fù)極(N區(qū))接在高電位端,此時(shí)二極管中幾乎沒有電流流過,此時(shí)二極管處于截止?fàn)顟B(tài),這種連接方式,稱為反向偏置。二極管處于反向偏置時(shí),仍然會(huì)有微弱的反向電流流過二極管,稱為漏電流。當(dāng)二極管兩端的反向電壓增大到某一數(shù)值,反向電流會(huì)急劇增大,二極管將失去單方向?qū)щ娞匦裕藭r(shí)二極管被擊穿,這就是二極管的反向擊穿特性,將在下一節(jié)介紹。
2.2 二極管上升到理論
為了除掉耗盡區(qū),就必須使N型向P型移動(dòng)和空穴應(yīng)反向移動(dòng)。為了達(dá)到目的,將PN結(jié)N極連接到電源負(fù)極,P極連接到正極。這時(shí)在N型半導(dǎo)體的自由電子會(huì)被負(fù)極電子排斥并吸引到正極電子,在P型半導(dǎo)體的電子空穴就移向另一方向。當(dāng)電壓在電子之間足夠高的時(shí)候,在耗盡區(qū)的電子將會(huì)在它的電子空穴中和再次開始自由移動(dòng),耗盡區(qū)消失,電流流通過二極管,如圖4所示。
圖4. PN結(jié)加正向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況
若P極接到電源負(fù)極,N型接到正極。這時(shí)電流將不會(huì)流動(dòng)。N型半導(dǎo)體的負(fù)極電子被吸引到正極電子。P型半導(dǎo)體的正極電子空穴被吸引到負(fù)極電子。因?yàn)殡娮涌昭ê碗娮佣枷蝈e(cuò)誤的方向移動(dòng),所以就沒有電流流通過匯合處,耗盡區(qū)增加,如圖5所示。
圖5. PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況
PN結(jié)V-I 特性表達(dá)式(伏安特性曲線如圖6所示)
其中,IS ——反向飽和電流;
VT ——溫度的電壓當(dāng)量;
且在常溫下(T=300K)時(shí),
圖6. PN結(jié)的伏安特性曲線
2.3總結(jié)
PN結(jié)加正向電壓時(shí),呈現(xiàn)低電阻,具有較大的正向擴(kuò)散電流;
PN結(jié)加反向電壓時(shí),呈現(xiàn)高電阻,具有很小的反向漂移電流。
圖7.PN結(jié)的反向擊穿
雪崩擊穿
當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí),空間電荷區(qū)中的電場隨著增強(qiáng)。通過空間電荷區(qū)的電子和空穴,在電場作用下獲得的能量增大,在晶體中運(yùn)動(dòng)的電子和空穴,將不斷地與晶體原子發(fā)生碰撞,當(dāng)電子和空穴的能量足夠大時(shí),通過這樣的碰撞,可使共價(jià)鍵中的電子激發(fā)形成自由電子—空穴對(duì),這種現(xiàn)象稱為碰撞電離。新產(chǎn)生的電子和空穴與原有的電子和空穴一樣,在電場作用下,也向相反的方向運(yùn)動(dòng),重新獲得能量,又可通過碰撞,再產(chǎn)生電子—空穴對(duì),這就是載流子的倍增效應(yīng)。當(dāng)反向電壓增大到某一數(shù)值后,載流子的倍增情況就像在陡峻的積雪山坡上發(fā)生雪崩一樣,載流子增加得多而快,使反向電流急劇增大,于是PN結(jié)就發(fā)生雪崩擊穿。
雪崩擊穿多發(fā)生在雜質(zhì)濃度較低的二極管,一般需要比較高的電壓(>6V),擊穿電壓與濃度成反比。
齊納擊穿
在加有較高的反向電壓下,PN結(jié)空間電荷區(qū)中存在一個(gè)強(qiáng)電場,它能夠破壞共價(jià)鍵將束縛電子分離出來造成電子—空穴對(duì),形成較大的反向電流。發(fā)生齊納擊穿需要的電場強(qiáng)度約為2*105V/cm,這只有在雜質(zhì)濃度特別大的PN結(jié)中才能達(dá)到,因?yàn)殡s質(zhì)濃度大,空間電荷區(qū)內(nèi)電荷密度(即雜質(zhì)離子)也大,因而空間電荷區(qū)很窄,電場強(qiáng)度就可能很高。一般整流二極管摻雜濃度沒有這么高,它在電擊穿中多數(shù)是雪崩擊穿造成的。
齊納擊穿多數(shù)出現(xiàn)在雜質(zhì)濃度較高的二極管,如穩(wěn)壓管(齊納二極管)。
必須指出,上述兩種電擊穿過程是可逆的,當(dāng)加在穩(wěn)壓管兩端的反向電壓降低后,管子仍可以恢復(fù)原來的狀態(tài)。但它有一個(gè)前提條件,就是反向電流和反向電壓的乘積不超過PN結(jié)容許的耗散功率,超過了就會(huì)因?yàn)闊崃可⒉怀鋈ザ筆N結(jié)溫度上升,直到過熱而燒毀,這種現(xiàn)象就是熱擊穿。所以熱擊穿和電擊穿的概念是不同的。電擊穿往往可為人們所利用(如穩(wěn)壓管),而熱擊穿則是必須盡量避免的。
小問題
1) PN結(jié)的反向擊穿電壓是多少?
采取適當(dāng)?shù)膿诫s工藝,將硅PN結(jié)的雪崩擊穿電壓可控制在8~1000V。而齊納擊穿電壓低于5V。在5~8v之間麗種擊穿可能同時(shí)發(fā)生。
2) 二極管三極管和穩(wěn)壓管是否一樣呢?
不一樣,BC結(jié)的反向擊穿電壓低的幾十伏,高的數(shù)百伏,但有一點(diǎn)是一樣的,就是NPN管的BE結(jié)反向擊穿電壓都是6V左右,因此NPN管的BE結(jié)可當(dāng)6V穩(wěn)壓管用。
補(bǔ)充:應(yīng)該是所有硅材料管(PNP和NPN)的BE結(jié)都有反向擊穿電壓都是6V這特性,利用這特性可鑒別管子的C和E腳,用10K檔分別測BC和BE的反向電阻,擊穿的是BE結(jié)。
4 二極管工作原理:二極管PN結(jié)的極間電容
PN結(jié)的P型和N型兩快半導(dǎo)體之間構(gòu)成一個(gè)電容量很小的電容,叫做“極間電容”(如圖所示)。由于電容抗隨頻率的增高而減小。所以,PN結(jié)工作于高頻時(shí),高頻信號(hào)容易被極間電容或反饋而影響PN結(jié)的工作。但在直流或低頻下工作時(shí),極間電容對(duì)直流和低頻的阻抗很大,故一般不會(huì)影響PN結(jié)的工作性能。PN結(jié)的面積越大,極間電容量越大,影響也約大,這就是面接觸型二極管(如整流二極管)和低頻三極管不能用于高頻工作的原因。
5 二極管工作原理:數(shù)字萬用表測試二極管好壞
二極管比較容易損壞的元件,其燒壞容易造成線路短路或斷路的情況,影響電器正常工作,因此需要掌握測試二極管好壞的方法。
關(guān)于如何使用數(shù)字萬用表,請(qǐng)參考小編的《數(shù)字萬用表使用方法》,這里主要介紹數(shù)字萬用表測試二極管好壞。
1) 辨別出二極管的正負(fù)極,有白線的一端為負(fù)極,另一端為正極。
2) 將萬用表上的旋鈕撥到通斷檔位,并將紅黑表筆插在萬用表的正確位置。
3) 將紅表筆接二極管正極,黑表筆接負(fù)極。然后觀察讀數(shù),如果滿溢(即顯示為1),則二極管已壞。若有讀數(shù),則交換表筆,若還有讀數(shù)而不滿溢,則二極管壞。
4) 如果是發(fā)光二極管,若二極管正常,則可以看到微弱的亮光,長腳為正極。
6 二極管工作原理:二極管的主要參數(shù)
1) 額定正向工作電流
二極管長期連續(xù)工作時(shí)允許通過的最大正向電流值。因?yàn)殡娏魍ㄟ^管子時(shí)會(huì)使管芯發(fā)熱,溫度上升,溫度超過容許限度(硅管為140左右,鍺管為90左右)時(shí),就會(huì)使管芯過熱而損壞。所以,二極管使用中不要超過二極管額定正向工作電流值。
2) 最高反向工作電壓
加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時(shí),會(huì)將管子擊穿,失去
原理:又叫齊納二極管,是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點(diǎn)上,反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值,在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定
用途:穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用,通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。
2) 發(fā)光二極管(LED)
電路符號(hào):在普通二極管電路符號(hào)的邊上加兩個(gè)向外發(fā)射的箭頭。
原理:利用自由電子和空穴復(fù)合時(shí)能產(chǎn)生光的半導(dǎo)體制成,采用不同的材料,可分別得到紅、黃、綠、橙色光和紅外光。常用元素周期表中Ⅲ、Ⅴ族元素的化合物,如砷化鎵、磷化鎵等。制作材料決定光的顏色(光譜的波長)。
特點(diǎn):通以正向電流發(fā)光,光亮度隨著電流的增大而增強(qiáng),工作電流為幾個(gè)毫安到幾十毫安,典型工作電流為10mA左右。正向?qū)妷狠^大。
用途:一般作為電子產(chǎn)品的指示燈
3) 光電二極管
電路符號(hào):在普通二極管電路符號(hào)的邊上加兩個(gè)朝向管子的箭頭。
原理:普通二極管在反向電壓作用時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài),只能流過微弱的反向電流,光電二極管在設(shè)計(jì)和制作時(shí)盡量使PN結(jié)的面積相對(duì)較大,以便接收入射光。光電二極管是在反向電壓作用下工作的,沒有光照時(shí),反向電流極其微弱,叫暗電流;有光照時(shí),反向電流迅速增大到幾十微安,稱為光電流。光的強(qiáng)度越大,反向電流也越大。光的變化引起光電二極管電流變化,這就可以把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào),成為光電傳感器件
特點(diǎn):無光照時(shí)與普通二極管一樣具有單向?qū)щ娦?。使用時(shí),光電二極管的PN結(jié)應(yīng)工作在反向偏置狀態(tài),在光信號(hào)的照射下,反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而上升(這時(shí)的反向電流叫光電流)。光電流也與入射光的波長有關(guān)。
用途:用于測量光照強(qiáng)度、做光電池。
4) 變?nèi)荻O管
電路符號(hào):在普通二極管電路符號(hào)的邊上加一個(gè)電容符號(hào)。
原理:當(dāng)外加順向偏壓時(shí),有大量電流產(chǎn)生,PN(正負(fù)極)結(jié)的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴(kuò)散電容效應(yīng);當(dāng)外加反向偏壓時(shí),則會(huì)產(chǎn)生過渡電容效應(yīng)。但因加順向偏壓時(shí)會(huì)有漏電流的產(chǎn)生,所以在應(yīng)用上均供給反向偏壓。
用途:用于電子調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相和自動(dòng)控制電路等.
5) 肖特基二極管
電路符號(hào):與普通二極管的電路符號(hào)稍有區(qū)別。
原理:貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。
特點(diǎn):為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航祪H0.4V左右。
用途:多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管,也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。
文章至此,二極管的工作原理就介紹完了。小編還介紹了二極管好壞的測量方法,后續(xù)還將持續(xù)更新,介紹二極管電路基本電路等。如需要了解關(guān)于二極管的其他知識(shí),歡迎在電子產(chǎn)品世界論壇綜合技術(shù)板塊留言(小編是該板版主zhuwei0710),謝謝O(∩_∩)O!
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