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          V波段近距探測(cè)毫米波功率放大器設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2015-02-04 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            是毫米波頻段發(fā)射機(jī)不可缺少的關(guān)鍵部件,輸出功率的大小決定了整個(gè)系統(tǒng)的作用距離和抗干擾能力。在毫米波系統(tǒng)中,隨著頻率的升高,單個(gè)MMIC芯片的輸出功率已經(jīng)不能滿足實(shí)際的使用要求,尤其是非大氣窗口頻段,由于該頻段電磁波的傳輸受氧分子和水蒸氣分子吸收而衰減嚴(yán)重。一般應(yīng)用于軍用保密工作及近距雷達(dá)探測(cè)、通訊系統(tǒng)中,相應(yīng)的器件輸出功率也較小,因此,多采用功率合成的方法,將多個(gè)放大器單元組合在一起實(shí)現(xiàn)較大的功率輸出。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/269457.htm

            放大器工作在,用于一種彈上近距探測(cè)系統(tǒng),充分利用非大氣窗口波段的衰減特性實(shí)現(xiàn)保密和抗干擾。

            1 的設(shè)計(jì)

            1.1 技術(shù)指標(biāo)要求

            按照系統(tǒng)的基本要求,放大器主要技術(shù)指標(biāo):工作帶寬2 GHz;輸出功率≥200 mW;增益20~25 dBm;輸入輸出口WR15。

            1.2 功率器件的選取

            為滿足技術(shù)指標(biāo)的要求,選用工作頻帶較寬的三端FET件。選取Eudyna Devices公司的FMM5715X作為功率合成單元,F(xiàn)MM5715X是端口阻抗內(nèi)匹配為50 Ω的多管合成功率單片。工作頻率為57~64 GHz;工作溫度范圍:-45~+85℃,存儲(chǔ)溫度范圍-55~+125℃;最大允許輸入功率3 dBm;可單電源工作,在直流偏置3 V/150 mA條件下,60 GHz頻率處典型性能P1 dB為16 dBm,飽和功率17 dBm,小信號(hào)增益17 dB。特性參數(shù)如圖1所示。

            

           

            1.3 合成網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)

            1.3.1 合成網(wǎng)絡(luò)總體方案

            在,單管輸出功率遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到功率輸出需求,即使是采用多管合成的MMIC功率器件,單器件也滿足不了技術(shù)指標(biāo)。于是,采用多器件的功率合成技術(shù)是完成本項(xiàng)目的必然選擇,目前比較成熟的功率合成技術(shù)是采用端口駐波較好的兩路電橋,由多級(jí)級(jí)聯(lián)實(shí)現(xiàn)多路合成。設(shè)計(jì)的放大器即采用基于波導(dǎo)低損耗傳輸線結(jié)構(gòu)的兩路二進(jìn)制多級(jí)功率合成技術(shù),該合成網(wǎng)絡(luò)由兩部分組成,功率驅(qū)動(dòng)級(jí)和功率放大合成級(jí),每部分包括3級(jí)二進(jìn)制網(wǎng)絡(luò),由波導(dǎo)分支線電橋和波導(dǎo)-微帶過(guò)渡組成。合成網(wǎng)絡(luò)框圖如圖2所示。

            

           

            8路功率分配時(shí),每一級(jí)網(wǎng)絡(luò)損耗計(jì)為0.3 dB,路徑損耗計(jì)為0.5 dB;若要使得所有合成時(shí)功率器件飽和工作,F(xiàn)MM5715X輸入功率應(yīng)>2 dBm,計(jì)入以上損耗后,折算到功率分配網(wǎng)絡(luò)輸入端的功率為12.4 dBm,顯然,驅(qū)動(dòng)級(jí)由單路FMM5715X足以滿足這—要求。

            當(dāng)合成網(wǎng)絡(luò)中所有功率器件均處于飽和工作狀態(tài)時(shí),對(duì)單級(jí)損耗為0.3 dB,3級(jí)功率合成,由損耗引起的合成效率為80%;若計(jì)合成支路間最大幅度和相位不平衡程度分別為3 dB、30°,引起相應(yīng)合成效率為90%;對(duì)8路功率合成,總的合成效率為

            

           

            

           

            當(dāng)器件飽和工作時(shí),8路合成輸出為17+7.07=24.07 dBm或255 mW,滿足技術(shù)指標(biāo)要求。電路各部分損耗為4 8 dB,整個(gè)合成放大器小信號(hào)增益約為29.2 dB。

            1.3.2 兩路功率分配/合成網(wǎng)絡(luò)

            在毫米波固態(tài)集成功率合成技術(shù)的研究中,有一種兩路波導(dǎo)微帶集成功率分配/合成網(wǎng)絡(luò),如圖3所示。該結(jié)構(gòu)由兩路面對(duì)面微帶探針經(jīng)波導(dǎo)E面插入,實(shí)現(xiàn)同相寬帶功率分配/合成,同時(shí)又完成波導(dǎo)與微帶間的過(guò)渡轉(zhuǎn)換。兩微帶線處于面對(duì)面位置,當(dāng)集成固態(tài)功率器件時(shí),可提供良好的散熱通道,保證器件可靠工作和性能發(fā)揮。為獲得足夠的固態(tài)功率器件安裝空間,適當(dāng)增加合成網(wǎng)絡(luò)部分波導(dǎo)尺寸,為滿足標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)端口條件,根據(jù)工作帶寬要求,選擇適當(dāng)?shù)牟▽?dǎo)阻抗變換段。電磁場(chǎng)分析表明,在55~60 GHz范圍內(nèi),該結(jié)構(gòu)損耗<2 dB,與單個(gè)波導(dǎo)微帶過(guò)渡結(jié)構(gòu)相當(dāng);由于結(jié)構(gòu)對(duì)稱原因,兩微帶端口具有良好的幅度和相位平衡特性。

            

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