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          FRAM存儲“多、快、省”

          作者: 時間:2015-03-09 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            近日,半導(dǎo)體(上海)有限公司市場部經(jīng)理蔡振宇介紹了(鐵電存儲器)產(chǎn)品在應(yīng)用中的獨(dú)特優(yōu)勢。擁有15年量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的半導(dǎo)體,用“多、快、省”形象地概括出的特點(diǎn)。“多”指的是FRAM的高讀寫耐久性(1萬億次)的特點(diǎn),可以頻繁記錄操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài);“快”指的是FRAM的高速燒寫(是的40000倍)特性,這可以幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)者解決突然斷電數(shù)據(jù)丟失的問題;“省”是FRAM超低功耗(是的1/1,000)特性,特別是寫入時無需升壓。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/270708.htm

            因此,采用串行接口的FRAM可以替代或串行閃存,而采用并行接口的FRAM產(chǎn)品可以代替低功耗SRAM或PSRAM (Pseudo SRAM)。在封裝方面,目前FRAM基本可以直接替換EEPROM,F(xiàn)RAM的封裝和EEPROM的封裝是完全兼容的。

            由于掌握著從FRAM的研發(fā)、設(shè)計(jì)到量產(chǎn)及封裝的整個流程,加上多年的經(jīng)驗(yàn),半導(dǎo)體因而能保證FRAM產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨,并且產(chǎn)品線相當(dāng)寬泛,容量從4Kb到4Mb,涵蓋SPI和I2C串行接口、并行接口?,F(xiàn)在該公司已經(jīng)在著手研發(fā)8Mb、16Mb的產(chǎn)品。

            另悉,富士通半導(dǎo)體的FRAM最開始是以日本國內(nèi)應(yīng)用為主,后來逐漸拓展至醫(yī)療、智能儀表、工業(yè)自動化設(shè)備等多元化應(yīng)用領(lǐng)域?,F(xiàn)在,該公司的FRAM主要包括三大類(單體FRAM、RFID和內(nèi)嵌FRAM的認(rèn)證芯片),在很多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了批量應(yīng)用。

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          關(guān)鍵詞: 富士通 FRAM EEPROM 201503

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