盡管英特爾的至強(qiáng)(Xeon)處理器在服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用上，擁有絕對(duì)主導(dǎo)的市場(chǎng)份額。但在未來(lái)數(shù)月至數(shù)年的時(shí)間里，它將迎來(lái)更多的競(jìng)爭(zhēng)者。從Applied Micro到高通，都在宣稱要提供基于ARM的服務(wù)器SoC，而且主打的就是低成本和高能效。英特爾深知這種威脅，因此也針對(duì)低功耗與低負(fù)載的應(yīng)用，而發(fā)布了基于Atom的Avoton處理器。

　　不過(guò)，與今天要介紹的Xeon D相比，Avoton就有點(diǎn)小巫見(jiàn)大巫了。英特爾為Xeon D加入了全新的技術(shù)，面向刀片服務(wù)器或其它節(jié)點(diǎn)致密型的應(yīng)用。

　　有趣的是，Xeon D并非所謂的“單芯片”，而是在一片基板上整合了兩個(gè)部分。其主核心會(huì)承擔(dān)幾乎所有重要的工作。雖然沒(méi)有傳統(tǒng)的I/O，但該芯片已自帶了緊湊型服務(wù)器節(jié)點(diǎn)所需的完整功能。

　　此外，Xeon D處理器的TDP也僅在20瓦到45瓦之間，遠(yuǎn)低于性能彪悍的Xeon EP芯片。

　　上圖簡(jiǎn)要說(shuō)明了Xeon D的基本架構(gòu)，其主芯片采用了世界一流的14nm制程和三柵極晶體管制造工藝，八個(gè)基于Broadwell微架構(gòu)的CPU核心。而在超線程技術(shù)的幫助下，每個(gè)物理核心都能夠支持雙線程。

　　得益于微架構(gòu)上的優(yōu)化調(diào)整、以及新指令的加入，Broadwell每個(gè)時(shí)鐘周期的指令吞吐量，較當(dāng)前一代的Haswell核心要高出5.5個(gè)百分點(diǎn)。

　　另外，每個(gè)核心都有高達(dá)1.5MB的最后一級(jí)緩存，而由于這部分緩存可以共享，因此Xeon D三級(jí)緩存的總?cè)萘烤瓦_(dá)到了12MB。

　　內(nèi)存方面，Xeon D能夠支持雙通道的DDR3L-1600或DDR4-2133。如果使用REG內(nèi)存，其支持的最高容量為128GB;如果搭配unbuffered DIMM或SO-DIMM，最大容量就只有64GB了。

　　帶寬方面，Xeon D擁有多組高速I(mǎi)/O，其中就包括了24條Gen3 PCI-E總線——它還可以進(jìn)一步拆分成1組x16和一組x8、或者打散成更小的組合——同時(shí)集成的還有兩路10Gbps的以太網(wǎng)MACs。

　　Broadwell D擁有獨(dú)立的南橋芯片，因此支持各種形式的傳統(tǒng)I/O接口，比如6個(gè)SATA3、8X PCIe Gen 2通道、以及USB。不過(guò)這些較慢的接口，可能會(huì)借助更加簡(jiǎn)易的大制程來(lái)制作。

　　簡(jiǎn)而言之，Xeon D是一顆8核心/16線程的處理器，同時(shí)擁有12MB三級(jí)緩存、以及24條PCIe Gen3和雙10GigE通道。

　　Xeon D不只是對(duì)移動(dòng)版Broadwell的重新定義，它還包括了諸多服務(wù)器級(jí)別的功能，比如ECC內(nèi)存保護(hù)、以及Haswell-EP上的每核心功率狀態(tài)調(diào)整等。

　　電源管理方面，得益于從Haswell-EP那借來(lái)的big-ticket技術(shù)，Xeon D可以更好地均衡性能功耗。除此之外，Xeon D還帶來(lái)了更強(qiáng)大的“硬件能耗管理”。

　　Xeon D應(yīng)該會(huì)在云服務(wù)和Web服務(wù)領(lǐng)域大放異彩，預(yù)計(jì)Google和Facebook等企業(yè)會(huì)對(duì)這類產(chǎn)品產(chǎn)生濃厚的興趣。

　　英特爾暫未公布Xeon D的具體報(bào)價(jià)和上市日期，不過(guò)我們已獲知Xeon D-1450將擁有八個(gè)2.0GHz的核心(可睿頻至2.5GHz)，單核心工作時(shí)更可飆升至2.6GHz。

　　此外，Xeon D-1520將配備四個(gè)2.2GHz的核心(可睿頻至2.5GHz)，單核峰值頻率則可以達(dá)到2.6GHz。上述兩款芯片均有望于本月上市。