靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場領(lǐng)導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正碼(ECC)的4Mb異步SRAM正在出樣。這些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的數(shù)據(jù)可靠性，而無需額外的錯誤校正芯片，從而簡化了設(shè)計，并縮小了電路板尺寸。該器件可在工業(yè)、軍事、通訊、數(shù)據(jù)處理、醫(yī)療、消費及汽車等應(yīng)用中確保數(shù)據(jù)的可靠性。

　　由背景輻射引起的軟錯誤可損壞存儲器中的內(nèi)容，造成重要數(shù)據(jù)的遺失。賽普拉斯新型異步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有的錯誤校正功能，而無需用戶干預，能達到業(yè)界最佳的小于0.1 FIT/Mb的軟錯誤率(SER)性能(一個FIT等于器件每工作十億小時發(fā)生一次錯誤)。這些新款器件與現(xiàn)有的快速異步和低功耗SRAM管腳兼容，客戶無需改變電路板設(shè)計，即可提高系統(tǒng)的可靠性。這些4Mb SRAM還有可選的錯誤指示信號，可指示單比特錯誤的校正。

　　賽普拉斯異步SRAM業(yè)務(wù)部高級總監(jiān)Sunil Thamaran說：“去年我們推出了首款具有片上ECC功能的16Mb異步SRAM，客戶反響強烈。增加一款不同容量的產(chǎn)品，可使片上ECC技術(shù)造福于更多的應(yīng)用。賽普拉斯一直致力于開發(fā)新的SRAM技術(shù)，為客戶更好地服務(wù)，同時鞏固我們在市場中不可撼動的領(lǐng)導地位。”

　　賽普拉斯4Mb異步SRAM有三款可選——快速4Mb SRAM、MoBL(更長電池壽命)4Mb SRAM、帶PowerSnooze™功能的快速4Mb SRAM(附加深度睡眠節(jié)能模式，該模式下最大電流僅為15 uA)。每款均為業(yè)界標準的x8或x16配置。這些器件可在多種電壓下工作(1.8V、3V和5V)，溫度范圍是-40°C 到 +85°C(工業(yè)級)和-40°C 到 +125°C(汽車E級)。

　　供貨情況

　　這些新款SRAM的工業(yè)級溫度范圍產(chǎn)品目前正在出樣，預計2015年7月量產(chǎn)。封裝方式為符合RoHS標準的32-pin SOIC、32-pin TSOP II、36-pin SOJ、44-pin SOJ、44-pin TSOP II 以及 48-ball VFBGA。