通過修改演示板的電感和電容值，設(shè)定好300mΩ的目標(biāo)阻抗，然后將演示板放進(jìn)探測夾具。

　　根據(jù)18mV電壓偏移和58mA電流階躍計算出來的被測轉(zhuǎn)換器阻抗約為320mΩ。通過平均這個測量結(jié)果去除輸出紋波電壓后就可以得到純凈的波形。注意，電壓響應(yīng)中一點都沒有上沖或下沖現(xiàn)象，見圖3.

　　雖然這個例子提供了代表低功耗應(yīng)用的300mΩ輸出阻抗，但PEB控制可以針對任何功耗電平進(jìn)行調(diào)整。運算要求也很低，可以采用數(shù)字或模擬電路實現(xiàn)。想必控制器能夠集成進(jìn)單片芯片中。

　　PEB控制器是獨立于硬件的，允許控制硅MOSFET功率級電路，或用于更高頻率工作和具有最佳效率的氮化鎵功率級電路。PEB控制器還可以用作支持動態(tài)電壓編程的放大器，同樣不會有上沖或下沖。當(dāng)為PDN應(yīng)用考慮許多新的開關(guān)拓?fù)鋾r，PEB控制可以提供諸多有用的好處。希望未來能夠進(jìn)一步拓展這個拓?fù)洹?/p>