聯(lián)華電子採用晶圓專工業(yè)界第一個(gè)0.11微米eFlash製程,量產(chǎn)觸控IC
聯(lián)華電子今日(22日)宣佈已採用0.11微米eFlash製程量產(chǎn)觸控IC應(yīng)用產(chǎn)品。此特殊技術(shù)最初于2012年底于聯(lián)華電子推出,是為晶圓專工業(yè)界第一個(gè)結(jié)合12V與純鋁后段(BEoL)製程,以因應(yīng)次世代觸控控制器及物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品的需求。在整合更高密度嵌入式快閃記憶體與SRAM,以便用于各尺寸觸控螢?zāi)划a(chǎn)品的微控制器時(shí),0.11微米製程可提供比0.18微米製程更小更快的邏輯元件,并可達(dá)到更高效能。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/280551.htm聯(lián)華電子市場行銷處資深處長黃克勤表示:「觸控面板已是今日電子產(chǎn)品主流的操作介面。聯(lián)華電子觸控平臺(tái)解決方案其中一項(xiàng)重要特點(diǎn),就是我們的0.11微米eFlash解決方案,包含了可提供晶片設(shè)計(jì)公司的專有快閃記憶體macro設(shè)計(jì)服務(wù)。并藉由結(jié)合鋁后段製程來提供最佳成本效益,服務(wù)高度競爭的觸控IC市場。此外,就如本公司0.18微米eFlash製程一樣,12V可滿足今日更大尺寸觸控螢?zāi)?,與瀏覽網(wǎng)頁時(shí)在觸控螢?zāi)簧蠎腋∮|控(hover)應(yīng)用的高信噪比需求?!?/p>
聯(lián)華電子0.11微米觸控IC平臺(tái)與現(xiàn)今廣泛採用的3.3V解決方案相比,信噪比可改善超過三倍,可驅(qū)動(dòng)晶片設(shè)計(jì)公司創(chuàng)造新世代更先進(jìn)的觸控產(chǎn)品。聯(lián)華電子擁有製造觸控控制器IC的豐富經(jīng)驗(yàn),有超過30家生產(chǎn)中的觸控客戶,每月出貨量逾4000萬顆IC。0.11微米製程以8吋晶圓製造,并採用純鋁后段技術(shù),使觸控晶片設(shè)計(jì)公司能夠享有更低的一次性工程費(fèi)用與相關(guān)成本,以提高市場競爭力。聯(lián)華電子同時(shí)提供自行研發(fā)的快閃記憶體硅智財(cái),協(xié)助加速產(chǎn)品上市時(shí)程并促進(jìn)客製化,以因應(yīng)當(dāng)今市場趨勢(shì)。聯(lián)華電子也開發(fā)極低漏電製程(uLL),進(jìn)一步降低元件與SRAM的核心電流達(dá)最高四倍。
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