在這個(gè)三部分系列博文中，我已經(jīng)討論了生成兩個(gè)良好匹配、低漂移電壓基準(zhǔn)的解決方案。我們?cè)诘谝徊糠謴娜齻€(gè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開始，在第二部分比較和對(duì)比了性能方面的不同?，F(xiàn)在，我們來看一看這三個(gè)解決方案的其他設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)：占用的空間和成本。

　　空間占用和成本

　　除了系統(tǒng)性能之外，在高密度應(yīng)用中，PCB面積要求會(huì)十分關(guān)鍵。圖1中給出了每個(gè)解決方案的總PCB空間一覽(未考慮去耦合電容器)。

　　下方的表1顯示所需空間的簡單計(jì)算結(jié)果(只考慮器件本體尺寸)。通過從一個(gè)封裝尺寸為4.64 mm2的集成解決方案中提供雙輸出，相對(duì)于解決方案1和解決方案2，REF2030將占用的總空間分別減少了83%和67%。從成本角度看，REF2030僅為1.4美元，比解決方案1和2分別低52%和30%。

　　表1：空間占用和成本

　　結(jié)論

　　解決方案1

　　有兩個(gè)獨(dú)立的電壓基準(zhǔn)構(gòu)成，解決方案1非常簡單直接且易于實(shí)現(xiàn)。然而，其缺點(diǎn)也很明顯：電壓選項(xiàng)有限，在輸出間無直接漂移跟蹤。此外，解決方案1中使用的兩個(gè)低漂移高精度基準(zhǔn)價(jià)格很高。

　　解決方案2

　　雖然需要使用更多組件并占用更大主板空間，解決方案2比解決方案1的成本更低，并具有更好的漂移跟蹤。然而，解決方案2中VBIAS的精度要遜于解決方案1，這是因?yàn)樗Q于VREF的漂移、分壓器和緩沖放大器。在有利方面，解決方案2在設(shè)計(jì)不同偏置電壓時(shí)比較靈活，在這些設(shè)計(jì)中，VBIAS≠ VREF/2。

　　解決方案3

　　解決方案3最顯著的不同就是其單芯片解決方案。這個(gè)設(shè)計(jì)具有最佳的初始精度、更低的成本以及更小的PCB空間占用。事實(shí)上，解決方案3輸出匹配比解決方案2好90%，占用的空間小67%，成本降低30%。換句話說，如果你的設(shè)計(jì)目標(biāo)是一款低漂移系統(tǒng)，并且你不想在獲得高精度性能方面花費(fèi)過多的話，解決方案3 (REF2030) 會(huì)是一個(gè)好的選擇。

　　表2：最終比較結(jié)果