不久前，ROHM面向需要大功率(高電壓×大電流)的通信基站和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，開發(fā)出耐壓高達80V、電流最大3A的MOSFET內(nèi)置型DC/DC轉(zhuǎn)換器——BD9G341AEFJ。

　　ROHM公司LSI商品開發(fā)本部工業(yè)設(shè)備戰(zhàn)略部部長上林忠史稱：在工業(yè)領(lǐng)域，48V電源用量很多，例如通信基站主流是48V，特點是可保持長距離供電情況下，電壓下降不是很大;在緊急供電應(yīng)用中，48V也是種很好的選擇。此次發(fā)布的新產(chǎn)品是旗艦產(chǎn)品，今后希望繼續(xù)擴展該產(chǎn)品家族。

　　耐壓80V的DC/DC產(chǎn)品，不僅在于提升各單元的電壓承受能力，同時需要在模擬電路設(shè)計上做出更多的探討。首先由于需要更寬的工作范圍，在電路設(shè)計和結(jié)構(gòu)上需要一些特別的處理，而且芯片里會集成若干二極管、電阻和電容，耐壓提高后帶來了寄生電容特性變化，因此模擬電路設(shè)計時要充分考慮到。再有，電壓提高后，抗靜電方面也需要考慮，即在電路設(shè)計方面需要考慮可靠性。

　　“制造高耐壓DC/DC產(chǎn)品，最重要是工藝?！?a class="contentlabel" href="http://cafeforensic.com/news/listbylabel/label/ROHM">ROHM半導(dǎo)體(上海)有限公司設(shè)計中心應(yīng)用技術(shù)二部的高級經(jīng)理周勁指出。此款產(chǎn)品采用了BiCDMOS工藝，把BiPolar(雙極型，掌管模擬電路)、CMOS(特點低耐壓，掌管MCU等的邏輯電路)、DMOS(掌管高耐壓、大電流的功率輸出部分)結(jié)合在一個LSI(大規(guī)模集成電路)制程中。20年前ROHM就推出了3.0微米，2003年實現(xiàn)了0.6微米工藝，現(xiàn)在已達到0.13微米工藝。但此次新產(chǎn)品只采用0.6微米、300mm晶圓工藝設(shè)計。原因是特征尺寸更小的工藝適合電腦等邏輯控制復(fù)雜、耐壓較低的產(chǎn)品。而0.6微米不僅耐壓較高，而且工藝較成熟，例如在消費類電子上已推出了1600種產(chǎn)品，在車載上也有應(yīng)用，因此不用擔(dān)心工藝可靠性的問題。

　　此次新產(chǎn)品的另一個亮點是采用了二次外延工藝(如圖1)，以適合高耐壓。因為耐壓提高后，也需要更好的絕緣效果，通常的做法是把外延拉長，一般來說縱向與橫向都會拉大，橫向加大后會致使芯片尺寸增加。而二次外延工藝使縱向尺寸加大的同時，橫向沒有變化。因此，同樣管芯(die)情況下，ROHM的芯片尺寸會比競爭對手的尺寸小。

　　最后，ROHM的特色是一條龍生產(chǎn)，即從晶圓生產(chǎn)到掩膜、組裝全部由ROHM掌控，保證供貨穩(wěn)定，不會因為末端代工晶圓廠的生產(chǎn)排期而影響供貨。另外可以保證長時間的生產(chǎn)供貨，確保10年或更長時間的持續(xù)穩(wěn)定供貨。再有，開發(fā)設(shè)計、晶圓生產(chǎn)等整個流程在公司內(nèi)部控制中，可保證產(chǎn)品高品質(zhì)，設(shè)計和工藝可以完全匹配。