據(jù)國外媒體報道，本周四美光科技宣布，它與英特爾的合資企業(yè)IM Flash科技公司已經(jīng)開發(fā)出處于行業(yè)領(lǐng)先水平的50納米MLC(多層單元)NAND閃存芯片樣品。

美光稱，與SLC(單層單元)閃存組件相比，新的MLC 閃存組件體積更小，能量效益更高，能夠更理想的使用在目前的計算和消費電子產(chǎn)品中。MLC 閃存組件的密度為16GB，而SLC閃存組件的密度僅4GB。

英特爾NAND閃存部門副總裁兼總經(jīng)理Randy Wilhelm表示，我們與美光的合資公司提前開發(fā)出了行業(yè)中領(lǐng)先水平的米MLC芯片架構(gòu)超過了我們先前的時間預(yù)期，去年七月份，我們首先在行業(yè)中開發(fā)出了50納米SLC 閃存樣品，開發(fā)出行業(yè)中最先進的50納米MLC架構(gòu)進一步證明了我們的開發(fā)和制造實力。