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          品佳集團(tuán)積極推廣 NXP高效能超低噪聲的微波晶體管

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          作者: 時間:2007-05-10 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            近期積極推廣高效能超低噪聲的,高頻應(yīng)用(20GHz以下)的NPNBFU725F 可提供極佳的高切換頻率、高增益和低噪聲等組合性能。藉由其超低的噪聲系數(shù),非常適用于敏感度高的 RF module 及 High performance mobile phones;此外,其高切換頻率的特色可用作 10GHz ~ 30GHz 之微波應(yīng)用如衛(wèi)星電視接收器及汽車防撞雷達(dá)的解決方案。

            BFU725F 采用了創(chuàng)新的硅鍺碳 (SiGe:C) BiCMOS制程–QUBiC4X,這是專門為符合現(xiàn)實(shí)生活中的高頻應(yīng)用要求所設(shè)計(jì)的,可提供優(yōu)越的高功率增益及動態(tài)范圍組合性能,這個晶體管可謂將砷化鎵 (GaAs) 的性能及硅鍺碳的可靠性結(jié)為一體,但不需像使用砷化鎵組件時還要再增加負(fù)偏置電壓 (negative biasing voltages)的設(shè)計(jì),所以在產(chǎn)品應(yīng)用上更能為客戶帶來成本效益,此產(chǎn)品目前巳有樣品可提供申請,預(yù)計(jì)于2007年第三季可量產(chǎn)供貨。

           

          Key Features
          ‧Very low noice of 0.69dB at 6GHz
          ‧High Maximum stable gain (Gms) 27.8dB at 1.8GHz
          ‧High switching frequency – fT > 100GHz, fmax > 150GHz
          ‧Plastic surface mounted package, SOT343F

          Key Benefits
          ‧Very low noise of 0.4dB at 1.8GHz
          ‧High gain of 10dB at 18GHz
          ‧SiGe:C process ensures high switching frequency
          ‧Cost-effective alternative to GaAs devices

          Key Applications
          ‧GPS system
          ‧DECT Phone
          ‧2nd stage LNA and mixer in DBS and LNB
          ‧Satellite Radio
          ‧WLAN and CDMA applications
          ‧Low-noise microwave applications

          Quick reference date for the BFU725F (SOT343F)
           

          Transition frequency as a function of collector current (typical values)
           

          Gain as a function for frequency (typical values)
           



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