飛兆半導(dǎo)體推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設(shè)計(jì)而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機(jī)驅(qū)動和電燈驅(qū)動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在單一封裝中集成了一個P溝道高端MOSFET和一個N溝道低端MOSFET，因而容許器件內(nèi)共漏連接，從而簡化電路板布局并縮短設(shè)計(jì)時間。

飛兆半導(dǎo)體通信和消費(fèi)產(chǎn)品市務(wù)經(jīng)理Mike Speed 表示：“飛兆半導(dǎo)體的FDD8424H使到顯示器設(shè)計(jì)人員能夠?qū)δ孀兤髟O(shè)計(jì)的占位面積和熱性能進(jìn)行優(yōu)化。相比傳統(tǒng)的SO8 封裝解決方案，雙DPAK封裝中優(yōu)化的導(dǎo)通阻抗RDS(ON)和柵極電荷 (Qg) 增強(qiáng)了開關(guān)性能，因此能降低熱耗及提高效率。而且，在驅(qū)動8個CCFL燈的背光逆變器中，F(xiàn)DD8424H可使外殼溫度降低12%?！?

FDD8424H的主要特性包括：

優(yōu)化RDS(ON)和柵極電荷 (Qg) 的組合，提供出色的開關(guān)性能 
N溝道提供4.1C/W的同類最小熱阻抗 (θJC)，P溝道則為3.5 C/W 
單一封裝中集成半橋解決方案，能減小器件占位面積及降低系統(tǒng)總體成本 
P溝道和N溝道MOSFET的共漏連接集成，能簡化線路板布局 
這種無鉛產(chǎn)品能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。