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用先進(jìn)的SPICE模型模擬MOSFET電流-電壓特性
- 在本文中，我們使用90nm CMOS的SPICE模型來(lái)繪制NMOS晶體管的關(guān)鍵電學(xué)關(guān)系。在前一篇文章中，我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級(jí)SPICE模型，并將其納入LTspice仿真中。然后，我們使用這個(gè)模型來(lái)研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中，我們將使用相同的模型來(lái)生成直觀地傳達(dá)晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流（ID）與漏極-源極電壓（VDS）的基本圖開(kāi)始。為此，我們將柵極電壓設(shè)置為遠(yuǎn)高于閾值電壓的固定值，然后執(zhí)行直流掃描模擬，其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
- 關(guān)鍵字： LTspice MOSFET NMOS
NMOS和PMOS詳解
- 一、簡(jiǎn)介MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
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【E問(wèn)E答】用MOS管防止電源反接的原理？
- 一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決，不過(guò)，由于二極管有壓降，會(huì)給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場(chǎng)合，本來(lái)電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時(shí)間大減?！ OS管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計(jì)?，F(xiàn)在的MOS管可以做到幾個(gè)毫歐的內(nèi)阻，假設(shè)是6.5毫歐，通過(guò)的電流為1A(這個(gè)電流已經(jīng)很大了)，在他上面的壓降只有6.5毫伏?！ ∮捎贛OS管越來(lái)越便宜，所以人們逐漸開(kāi)始使用MOS管防電源反接了。 NMOS管防止電源反接電路： &
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圖說(shuō)三極管的三個(gè)工作狀態(tài)
- 大家都知道三極管是電流控制型元件，三極管工作在放大狀態(tài)下存在Ic=βIb的關(guān)系，怎么理解三極管的放大模型呢?這兒我們拋開(kāi)三極管內(nèi)部空穴和電子的運(yùn)動(dòng)，還是那句話(huà)只談應(yīng)用不談原理，希望通過(guò)下面的“圖解”讓初學(xué)者對(duì)三極管有一個(gè)形象的認(rèn)識(shí)。 三極管是一個(gè)以b(基極)電流Ib 來(lái)驅(qū)動(dòng)流過(guò)CE 的電流Ic 的器件，它的工作原理很像一個(gè)可控制的閥門(mén)?！ ?nbsp; 圖1 左邊細(xì)管子里藍(lán)色的小水流沖動(dòng)杠桿使大水管的閥門(mén)開(kāi)大，就可允許較大紅色的水流通過(guò)這
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MOS管工作原理，就是這么簡(jiǎn)單
- 1. MOS管工作原理--MOS管簡(jiǎn)介 MOS管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。MOS英文全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體，確切的說(shuō)，這個(gè)名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。 2. MOS管工作原理--Mos管的
- 關(guān)鍵字： MOS管 工作原理 NMOS MOS管工作原理
Diodes低壓升壓型直流-直流轉(zhuǎn)換器有效提升效率
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出低壓1MHz升壓型直流-直流轉(zhuǎn)換器PAM2401，旨在滿(mǎn)足備用電池、無(wú)線(xiàn)電話(huà)及全球定位系統(tǒng)接收器等便攜式產(chǎn)品對(duì)效率愈見(jiàn)嚴(yán)格的要求。這款同步轉(zhuǎn)換器可維持高達(dá)95%的工作效率，提供真正的輸出斷接功能以防漏電，并確保產(chǎn)品在低至1V的輸入電壓下安全啟動(dòng)。 PAM2401為0.9V到4.75V較低的工作電壓輸入范圍提供1.0A到3.0A的可編程電流限制。為了盡量延長(zhǎng)電池壽命，該器件在驅(qū)動(dòng)輕載時(shí)自動(dòng)設(shè)定為高效率的脈沖跳躍模式。器件在關(guān)閉狀態(tài)下
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設(shè)計(jì)超低功耗的嵌入式應(yīng)用：簡(jiǎn)化電源域
- 不是所有便攜式系統(tǒng)都像圖1(參見(jiàn)本系列文章的第二部分)所示的系統(tǒng)這么簡(jiǎn)單。圖3給出了可穿戴電子設(shè)備的典型方框圖。由于存在大量功能塊和子系統(tǒng)，設(shè)計(jì)復(fù)雜性進(jìn)一步提高。 ? 圖3：手表的高層次方框圖 一個(gè)符合邏輯的辦法是將整個(gè)系統(tǒng)拆分為不同的子系統(tǒng)，并分析各個(gè)子系統(tǒng)的功耗。這也有助于簡(jiǎn)化電源域的設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)低功耗功能。 顯示和觸摸控制器部分的功耗主要取決于背光驅(qū)動(dòng)和顯示屏本身。大多數(shù)設(shè)計(jì)都針對(duì)顯示屏采用基于定時(shí)器的超時(shí)斷電模式。一般說(shuō)來(lái)，在固定時(shí)間T1后，背光會(huì)降
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一款四象限 DC/DC 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的實(shí)現(xiàn)
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： DC/DC轉(zhuǎn)換器 FPGA NMOS 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
德州儀器 (TI)推出首款 7 通道 NMOS低側(cè)驅(qū)動(dòng)器 可取代高電壓系統(tǒng)中的達(dá)林頓晶體管陣列
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款 7 通道 NMOS 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，該款驅(qū)動(dòng)器使用插槽兼容型低功耗集成電路 (IC) 取代標(biāo)準(zhǔn)達(dá)林頓晶體管陣列。此款 TPL7407L 可將此前驅(qū)動(dòng)大負(fù)載電流所需晶體管陣列減少一半，依舊可驅(qū)動(dòng)同級(jí)別的負(fù)載電流，這為從前需要大量晶體管陣列或電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的高電壓系統(tǒng)提供了一個(gè)新的選擇。這款最新驅(qū)動(dòng)器不僅可將功耗降低 40%，而且還可高效驅(qū)動(dòng)高電壓應(yīng)用中的 LED 矩陣、繼電器或步進(jìn)電機(jī)，適用于大型家用電器、樓宇自動(dòng)化、照明以及 HVAC 等。如欲了解更多詳情或訂購(gòu)樣片
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 NMOS 達(dá)林頓晶體管
便攜式多媒體處理器供電問(wèn)題的解決方案
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： STw4141 轉(zhuǎn)換器 NMOS
nmos介紹
nmos簡(jiǎn)介
英文全稱(chēng)為：N-Mental-Oxide-Senmiconductor。
Metal-Oxide-SemIConductor的意思為金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為MOS晶體管。
有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由 [ 查看詳細(xì) ]
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