DRAM廠減產 DRAM售價瀕臨變動成本
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過去幾個月以來全球DRAM售價不斷出現(xiàn)暴跌,雖說目前價格略微回穩(wěn),不過整體來說DRAM廠還是面臨到嚴重虧損壓力,DRAM廠坦承這樣的售價幾乎已是跌到DRAM廠采用12英寸廠90納米工藝技術時所需的變動成本,估計其變動成本大約在1.1美元左右。也就是說再向下跌個0.2~0.3美元左右,所有DRAM廠寧可選擇關閉晶圓廠,也不愿多做多賠。
目前除了部分DRAM廠必須加速降低生產成本,不斷將工藝技術進一步推進到70納米工藝,其余的國際DRAM大廠到則開始選擇降低標準型DRAM的產出比重,比如海力士(Hynix)當前也已開始啟動產能轉換計劃,也就是將原本用于投產標準型DRAM產能,進一步轉換到NAND Flash產品。
另外如奇夢達也開始提高顯示卡用存儲器DRAM,最主要是看準2007年下半年Vist
a所帶來的顯卡存儲器商機,再者奇夢達于一些特殊型DRAM上也不斷拉高產能,目的同樣是為了進一步有效調降標準型DRAM產出比重。
三星與海力士同樣也開始轉換產能至NAND Flash身上,亦看好接下來NAND Flash市場龐大商機;除了蘋果的iPhone需要龐大NAND Flash產能外,一些消費性電子產品也需要愈來愈多NAND Flash因應,因而也開始調配產能增加NAND Flash投片量。
DRAM廠認為當前這些排名前幾大DRAM廠開始轉換產能,將有助于DRAM整體產業(yè)供需平穩(wěn),而依照DRAM廠的轉換產能時間推估,這波轉緩效應可在第三季度陸續(xù)浮現(xiàn),也就是說到時DRAM售價也將有機會進一步止跌回升。
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