根據(jù)HKEPC的報道，Intel公司正式宣布，由新一代high-k金屬閘極 (high-k metal gate) 45nm制程開始，未來Intel處理器均采用100% 無鉛設計，預計將于今年下半年開始量產(chǎn)。Intel副總裁、技術與制造事業(yè)群組裝測試技術開發(fā)總監(jiān) Nasser Grayeli 表示，Intel爾正積極朝協(xié)助環(huán)境永續(xù)發(fā)展而努力，包含了全面采用無鉛制程、重視產(chǎn)品能源效率運用、減少廢氣排放，以及大規(guī)?；厥赵倮盟Y源與制造材料等。 

　　據(jù)了解，由于鉛可能影響環(huán)境和公眾健康，但數(shù)十年以來，電子零組件持續(xù)使用鉛的原因是因為它具備適當?shù)碾姎夂蜋C械特性，要尋找能滿足效能和可靠性需求的鉛替代材料是一大科學及技術挑戰(zhàn)。為此，Intel針對過往仍存于處理器封裝之內部連接點 (interconnect) 第一層內之5% (約0.02公克) 的含鉛焊錫 (lead solder)，或以錫、銀、銅合金 (tin/silver/copper alloy) 取代以鉛/錫為主的焊錫。由于Intel先進硅晶技術含有復雜的連接結構，必須投入大量的工程資源，才能使Intel處理器封裝完全不使用鉛，并推動整合新的焊錫合金系統(tǒng)。 

　　無論是采用何種封裝設計，包括PGA (pin grid array)、BGA (ball grid array) 和LGA (land grid array) 等方式，Intel45 nm Hi-k技術均將100%使用無鉛設計。Intel也將于2008年將65nm制程所制造的芯片組產(chǎn)品全面改采100% 無鉛技術。