5月20日消息，三星電子昨天宣布開(kāi)發(fā)出了首款應(yīng)用90納米技術(shù)的512Mb XDR DRAM樣品，這是目前多媒體應(yīng)用領(lǐng)域速度最快的存儲(chǔ)器。 

　　三星該款512Mb XDR DRAM能夠以每秒高達(dá)9.6GB的速度傳輸數(shù)據(jù)，其傳輸速度是DDR400存儲(chǔ)器的12倍，同時(shí)也是目前最快的RDRAM (PC 800)存儲(chǔ)器的6倍。它應(yīng)用了先進(jìn)的90納米技術(shù)，能夠在1.8伏的工作電壓下，達(dá)到最高每秒4.8Gb的運(yùn)行速度。 

    這款存儲(chǔ)器的目標(biāo)市場(chǎng)，集中在需要先進(jìn)數(shù)字成像以及3D制圖的高性能寬帶應(yīng)用領(lǐng)域，例如最新的游戲引擎、數(shù)字電視、高端服務(wù)器以及高級(jí)工作站。 

　　索尼公司的計(jì)算機(jī)娛樂(lè)部門(mén)將選擇三星的XDR DRAM，并將其應(yīng)用于下一代的電腦游戲系統(tǒng)PS3之上。 

　　三星半導(dǎo)體部門(mén)存儲(chǔ)器市場(chǎng)副總裁Yeong Ho Kang先生表示：“我們同索尼公司的計(jì)算機(jī)娛樂(lè)部門(mén)通力合作，滿(mǎn)足其PS3發(fā)布的基本需求：具備最理想熱效能的極速系統(tǒng)存儲(chǔ)器?！?nbsp;

　　三星的XDR DRAM采用了基于Rambus公司的XDR存儲(chǔ)器接口技術(shù)。該技術(shù)能夠滿(mǎn)足各種規(guī)格的數(shù)據(jù)輸入和輸出需求，并且適用于x2, x4, x8 和x16多種配置。 

　　根據(jù)市場(chǎng)研究公司IDC的調(diào)查，在接下來(lái)的四年之內(nèi)(從2006年到2009年)，XDR DRAM市場(chǎng)將會(huì)穩(wěn)步地增長(zhǎng)，內(nèi)存產(chǎn)量將達(dá)到8億個(gè)256Mb。