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拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝
- 三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續(xù)重新定義可穿戴技術的極限。這款最新型號承襲了其前身產(chǎn)品的成功之處，同時在性能、健康追蹤和用戶體驗方面實現(xiàn)了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實驗室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在對其進行拆解和詳細的技術分析。敬請期待我們對Galaxy Watch 7內(nèi)部結構的深入分析，我們將揭示這款設備在智能手表領域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
- 關鍵字： 三星 Galaxy Watch 7 Exynos W1000 處理器 3nm GAA
拜登政府恐對中國大陸封鎖最強GAA技術
- 美中貿(mào)易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國將再次出手打擊大陸半導體產(chǎn)業(yè)，針對最新的環(huán)繞閘極場效晶體管（GAA）技術祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術的能力，換言之，美國將防堵大陸取得先進芯片，擴大受管制的范圍。 美國財經(jīng)媒體引述知情人士消息報導，拜登政府考慮新一波的半導體限制措施，以避免大陸能夠提升技術，進而增強軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術，但確切狀況仍得等官方進一步說明，且不清楚官員何時會宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進半導體將大受打擊。目前三星從3納米開始使用GAA技術，臺積電則從2納米
- 關鍵字： GAA 臺積電 三星
三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失敗：3nm GAA工藝仍存缺陷
- 最新報道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質量問題，未能通過三星內(nèi)部的質量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產(chǎn)計劃，還導致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產(chǎn)階段。值得關注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構，升級之處在于將采用全新的
- 關鍵字： 三星 Exynos 芯片 3nm GAA
消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問號
- 2 月 2 日消息，根據(jù)韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試，導致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產(chǎn)。此前報道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構，同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
- 關鍵字： 三星 3nm GAA Exynos 2500 芯片
臺積電2nm制程進展順利 晶圓廠最快4月進機
- 臺積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產(chǎn)之后，研發(fā)和量產(chǎn)的重點隨之轉向下一代2nm制程工藝，計劃在2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著工廠及相關的設備要做好準備，以確保按計劃順利量產(chǎn)。臺積電進入GAA時代的2nm制程進展順利，最新援引供應鏈合作伙伴的消息報道稱，位于新竹科學園區(qū)的寶山2nm首座晶圓廠P1已經(jīng)完成鋼構工程，并正在進行無塵室等內(nèi)部工程 —— 最快4月啟動設備安裝工作，相關動線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計劃在2025年開始制造采用此項技術的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預定
- 關鍵字： 臺積電 2nm 制程 晶圓廠 GAA
日立高新技術公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)
- 日立高新技術公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)。GT2000利用日立高新技術在CD-SEM*1方面的技術和專業(yè)知識，在那里占有最大的市場份額。GT2000配備了用于尖端3D半導體器件的新型檢測系統(tǒng)。它還利用低損傷高速多點測量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產(chǎn)的產(chǎn)率。日立高新技術（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠實現(xiàn)高級半導體器件制造過程中的高精度、高速測量和檢測，這些半導體器件正變得越來越小型化和復雜化，并有助
- 關鍵字： 日立高新 測試測量 GAA CFET
GAA技術才開始，半導體大廠已著手研發(fā)下一代CFET技術
- 外媒eNewsEurope報道，英特爾和臺積電將在國際電子元件會議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場效晶體管進展，這有望使CFET成為十年內(nèi)最可能接替全環(huán)繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進制程。CFET場效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起，以實現(xiàn)更高的密度。該項技術最初由比利時微電子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。雖然，大多數(shù)早期研究以學術界為主，但英特爾和臺積電等半導體企業(yè)現(xiàn)在已經(jīng)開始這一領域的研發(fā)，借此積極探索這種下一代先進晶體管技術。英特爾表示，研究員建構一個單片3DCFET，
- 關鍵字： GAA CFET
三星電子：目標到 2027 年將芯片代工廠產(chǎn)能提高三倍以上
- IT之家 10 月 21 日消息，據(jù) BusinessKorea 報道，三星電子 10 月 20 日在首爾江南區(qū)舉行了 2022 年三星代工論壇。該公司代工業(yè)務部技術開發(fā)部副總裁 Jeong Ki-tae 表示，三星電子今年在世界范圍內(nèi)首次成功地量產(chǎn)了基于 GAA 技術的 3 納米芯片，與 5 納米芯片相比，3 納米芯片的功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面積減少了 16%。三星電子還計劃不遺余力地擴大其芯片代工廠的生產(chǎn)能力，其目標是到 2027 年將其生產(chǎn)能力提高三倍以上。為此，這家芯片
- 關鍵字： 三星 GAA 技術
臺積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術
- 據(jù)臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱GAA)技術。臺積電臺媒稱，三星已決定在3nm率先導入GAA技術，并宣稱要到2030年超過臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術重大突破，成功找到切入GAA路徑。臺積電負責研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入。臺積電3nm制程預計明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，業(yè)界以
- 關鍵字： 臺積電 2nm GAA
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