英特爾閃存生產(chǎn)工藝將向65nm過渡 —— 作者： 時(shí)間：2007-08-24 來(lái)源： 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫(kù)查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 美國(guó)英特爾2007年8月21日宣布，NOR閃存生產(chǎn)工藝將向65nm過渡。計(jì)劃2008年上半年面向客戶供應(yīng)樣品。該公司的閃存主要面向手機(jī)及數(shù)字家電等產(chǎn)品。該公司表示，生產(chǎn)工藝向65nm過渡將有利于提高性價(jià)比。 英特爾的閃存產(chǎn)品包括低成本產(chǎn)品“StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器”和“嵌入式閃存”以及串行產(chǎn)品“串行閃存”等。
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