我國電子元器件領域 “十一五”發(fā)展重點
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“十一五”時期，是我國信息產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)強國戰(zhàn)略的重要起步期。電子信息產(chǎn)業(yè)主要是圍繞從規(guī)模速度型向創(chuàng)新效益型轉變的發(fā)展思路，加強自主創(chuàng)新，提升產(chǎn)業(yè)技術水平；優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，加快產(chǎn)業(yè)結構調整；壯大核心基礎產(chǎn)業(yè)，延伸完善產(chǎn)業(yè)鏈；培育一批骨干企業(yè)和知名品牌，提高產(chǎn)業(yè)競爭能力。主要任務是大力發(fā)展核心基礎產(chǎn)業(yè)，重點培育新的產(chǎn)業(yè)群，積極推進產(chǎn)業(yè)集聚式發(fā)展。
在電子元器件方面，力爭使集成電路、新型元器件等核心產(chǎn)業(yè)的規(guī)模翻兩番，產(chǎn)業(yè)鏈進一步向上游延伸，元器件、材料、專用設備國內(nèi)配套能力得到顯著增強，集聚優(yōu)勢資源，形成一批在全球具有特色和影響力的產(chǎn)業(yè)基地和產(chǎn)業(yè)園，以及一批效益突出、國際競爭力較強的優(yōu)勢企業(yè)。
集成電路
在集成電路領域，我國對外依存度一直很高，CPU、DSP、存儲器、手機基帶芯片等計算機、移動通信、音視頻等主流整機產(chǎn)品所需的高端芯片主要依賴進口，貿(mào)易逆差持續(xù)擴大。2005年我國集成電路的貿(mào)易逆差高達672.7億美元，同比增長50%，集成電路關鍵裝備基本依賴國外。因此，“十一五”期間，我國集成電路領域的發(fā)展重點是完善集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，通過設計、芯片制造、封裝檢測、關鍵裝備和基礎材料各環(huán)節(jié)的協(xié)調發(fā)展，建立起植根于國內(nèi)、具有核心競爭力的產(chǎn)業(yè)體系。
要優(yōu)先發(fā)展集成電路設計業(yè)，重點發(fā)展通用的、新結構的CPU、DSP、數(shù)/模、模/數(shù)轉換器、存儲器、可編程器件等核心關鍵芯片。在SOC核心芯片設計、SOC設計方法和設計自動化等領域集中部署一批對SOC發(fā)展起支撐作用的原創(chuàng)研究和關鍵技術研究，積極研發(fā)下一代集成電路設計工具，開發(fā)一批關鍵可復用IP核產(chǎn)品，產(chǎn)生一批集成電路設計領域的專利、標準和專有技術，提升我國集成電路設計業(yè)的自主創(chuàng)新能力。
積極發(fā)展集成器件制造(IDM)模式，鼓勵新一代芯片生產(chǎn)線建設，推動現(xiàn)有生產(chǎn)線的技術升級。在集成電路制造工藝方面，要重點發(fā)展面向8～12英寸圓片的90納米、65納米、45納米大生產(chǎn)工藝技術、特種工藝技術，形成工藝自主開發(fā)能力，開發(fā)新型集成電路封裝技術及產(chǎn)品，積極采用新型封裝測試技術，重點發(fā)展球柵陣列（BGA）、針柵陣列（PGA）、芯片級封裝（CSP）、多芯片組件（MCM）、系統(tǒng)級封裝（SIP）等高密度封裝技術。在半導體集成電路制造裝備方面，著力在關鍵核心設備上集中投入，形成突破，贏得裝備發(fā)展的主動權。
預計到2010年，我國集成電路制造業(yè)大生產(chǎn)技術將達到12英寸、90～65納米；封裝測試業(yè)進入國際主流領域，實現(xiàn)BGA、SIP、CSP、MCM等新型封裝形式的規(guī)模生產(chǎn)能力，部分關鍵技術裝備、材料將取得突破。集成電路設計業(yè)具備采用屆時國際最先進大生產(chǎn)工藝進行產(chǎn)品設計，支撐網(wǎng)絡通信、信息安全和數(shù)字家電等關鍵電子信息產(chǎn)品自主發(fā)展的能力，在設計方法學和設計工具的部分領域取得突破性進展。
元器件
隨著全球信息技術從模擬向數(shù)字轉變，電子元器件正面臨著升級換代，新型平板顯示器件正在逐步替代CRT，微型化、高性能等片式元器件正逐步替代傳統(tǒng)器件。
然而，我國國內(nèi)整機產(chǎn)品所需的新型元器件還大量依賴進口，貿(mào)易逆差在逐步加大。因此，“十一五”期間，要繼續(xù)鞏固我國在傳統(tǒng)元器件領域的優(yōu)勢，堅持跟蹤與突破相結合、引進與創(chuàng)新相結合，加快新型元器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。重點發(fā)展平板顯示器件及其他片式化、微型化、集成化、高性能、綠色環(huán)保的新型元器件。
在平板顯示器件方面，要優(yōu)先發(fā)展TFT-LCD和PDP，促進研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的結合，提高自主創(chuàng)新能力。支持建設第六代以上TFT-LCD面板生產(chǎn)線，加快國內(nèi)關鍵配套件的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進程，力爭在TFT-LCD用彩色濾光片、基板玻璃、偏光片、新型背光源、部分生產(chǎn)設備以及材料上取得突破；重點發(fā)展42英寸以上PDP顯示屏、驅動電路及模塊，掌握規(guī)模量產(chǎn)技術，建設PDP顯示屏及模塊生產(chǎn)線，鼓勵引導設備和專用材料的開發(fā)和國產(chǎn)化。
積極組織OLED/PLED、SED器件和模塊的基礎技術研發(fā)，掌握部分關鍵技術，為產(chǎn)業(yè)化奠定基礎；積極發(fā)展小尺寸手機主/副屏、PDA和MP3所用OLED顯示屏，力爭滿足國內(nèi)市場需求。加快傳統(tǒng)彩管產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略轉移，積極發(fā)展高清晰度、短管頸等高端彩管產(chǎn)品。
在元器件產(chǎn)業(yè)方面，要以片式化、微型化、集成化、高性能化、無害化為目標，突破關鍵技術，調整產(chǎn)品結構，促進產(chǎn)業(yè)鏈上下游互動發(fā)展，著力培育優(yōu)勢骨干企業(yè)，推動產(chǎn)業(yè)結構升級。重點圍繞計算機、網(wǎng)絡通信、數(shù)字化家電產(chǎn)品、汽車電子、環(huán)保節(jié)能產(chǎn)品以及改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的需求，發(fā)展相關的片式電子元器件、印制電路板、敏感元件和傳感器、混合集成電路、新型機電組件、綠色電池、新型電力電子器件、光通信器件、高亮度發(fā)光二極管。
預計到2010年，我國電子元器件總產(chǎn)量將達到3萬億只，銷售收入達到2.6萬億元，阻容感片式化率達到90%。電子元器件國際市場占有率達到30%，國內(nèi)市場占有率達到50%。新型顯示器件產(chǎn)業(yè)具有較強的國際競爭力，建立起以企業(yè)為主體，產(chǎn)學研相結合的創(chuàng)新體系，形成可持續(xù)發(fā)展能力。逐步提高國產(chǎn)化水平，實現(xiàn)中、高檔產(chǎn)品滿足國內(nèi)市場需求的50%以上，中、低檔產(chǎn)品基本滿足國內(nèi)市場的需求。
電子材料和專用設備儀器
電子材料和電子專用設備儀器是我國電子信息制造業(yè)的核心基礎產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，位于整個產(chǎn)業(yè)鏈的前端。然而，我國電子材料的基礎薄弱，缺乏骨干企業(yè)，研發(fā)能力不強，國內(nèi)急需的電子材料基本被國外企業(yè)控制，電子專用設備儀器的總體水平距離世界先進水平有很大距離，集成電路關鍵設備基本依賴進口。這些都成為制約我國電子產(chǎn)品制造業(yè)由大到強的瓶頸。因此，從國家的中長期科技發(fā)展規(guī)劃和信息產(chǎn)業(yè)“十一五”規(guī)劃中，都強調電子專用設備儀器材料等基礎產(chǎn)業(yè)的重要地位，強調要加強產(chǎn)業(yè)鏈的延伸和完善。
在電子材料領域，“十一五”重點要提高電子專用材料配套能力，重點加大基礎技術研究和產(chǎn)品工藝技術的開發(fā)，提高電子材料的本地化水平；重
點發(fā)展半導體關鍵材料；提高平板顯示器件重要材料的國產(chǎn)化配套能力；鼓勵量大面廣的電子材料的升級換代，發(fā)展環(huán)保型電子材料。
在電子專用設備儀器方面，加大國際合作，加強共性基礎技術研究，突破部分關鍵技術，縮小電子專用設備和儀器、工模具與國外先進水平的差距。
以數(shù)字電視和新一代移動通信等產(chǎn)業(yè)發(fā)展為契機，推動產(chǎn)品工藝與設備儀器開發(fā)相結合，促進產(chǎn)用結合。加強政策引導，加大政府投入，大力發(fā)展集成電路、平板顯示器件等重大技術裝備，鼓勵開發(fā)量大面廣的新型元器件生產(chǎn)設備、表面貼裝和支持無鉛工藝的整機裝聯(lián)設備，加大高性能測試儀器的研發(fā)力度。
經(jīng)過“十一五”的發(fā)展，到2010年，使我國電子材料產(chǎn)業(yè)國內(nèi)平均自我配套能力達到30%以上，培育若干名牌產(chǎn)品和重點企業(yè)，主要電子信息材料的技術水平和產(chǎn)品性能與當時的國際水平相當，并形成相應的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。部分電子專用設備產(chǎn)品技術水平接近國際先進水平。電子測量儀器產(chǎn)業(yè)基本實現(xiàn)以正向設計為主的開發(fā)模式，初步掌握核心技術并部分擁有自主知識產(chǎn)權。
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