東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布其已開發(fā)了用于Ku波段(12GHz到18GHz)頻率范圍的氮化鎵(GaN)功率場效應晶體管(FET)，使該頻率范圍在14.5GHz上實現(xiàn)了65.4瓦的輸出功率，這也是迄今為止該頻率范圍所能支持的最高性能水平。該新型晶體管主要應用于衛(wèi)星微波通信基站，用以傳輸包括高清晰廣播在內(nèi)的大容量信號。東芝公司計劃于2007年底供應該新型功率場效應晶體管的樣品，并于2008年3月底進行大規(guī)模生產(chǎn)。 

    Ku波段微波放大器的主要優(yōu)點是以半導體，特別是氮化鎵設備取代傳統(tǒng)電子管應用于該帶寬，這些晶體管能以更高的微波頻率提供優(yōu)越的高功率特性。 

    該新型功率場效應晶體管具有高電子遷移率晶體管(HEMT)結構，東芝公司面向Ku波段對該結構進行了優(yōu)化。該公司用通路孔技術代替了源線焊接，降低了寄生電感，同時改進了Ku波段頻率實際應用中的配套電路的整體設計。 

    用于雷達及衛(wèi)星微波通信基站的氮化鎵功率場效應晶體管將取代電子管用于新設備中，對它們的需求一直穩(wěn)步增長。東芝公司通過提前將其新型Ku波段功率場效應晶體管進行商業(yè)化，將使這一需求得到滿足。