DRAM現(xiàn)貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清
現(xiàn)貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后,暫時止跌并微幅反彈,在1.02至1.05美元震蕩,以1.03美元做收,跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元,下跌2.9%。在DDR1市場方面,由于現(xiàn)貨市場供給數(shù)量仍舊不足,上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況,價格持續(xù)小幅上揚,DDR512Mb400MHz以2.66美元做收,上漲5.6%。
十月份合約市場相當(dāng)清淡,OEM拿貨意愿低落,部分廠商甚至認為,倘若預(yù)期十一月DRAM價格沒有反彈行情,下旬就沒有太大的拿貨意愿。十月截至目前為止,部分OEM甚至完全沒有任何采購DRAM的動作,整體市況較九月上、下旬都還要冷清。
需求不振、供給過剩,近期市場依然疲弱
根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新觀察報告指出,縱使中國市場結(jié)束十一長假,市場參與者皆已回籠,然而現(xiàn)貨市場成交量并無顯著的放大。整體而言,十月需求在今年并未出現(xiàn),加上目前大模塊廠應(yīng)備的庫存水位已足夠,小模塊廠則是抱著“貨好賣才買”的心態(tài),使得現(xiàn)貨市場緩沖區(qū)機制消失,價格變得更為敏感??v使量縮價格敏感,近期DDR2512MbeTT價格在跌至1美元附近后的反彈力道并不強,可見市場賣壓仍沉重。當(dāng)今不論在現(xiàn)貨市場或合約市場,DDR2交投都相當(dāng)冷清,買方意愿薄弱,近期就算有任何的利多,也未對市場產(chǎn)生太大的加溫跡象。
十月上旬NANDFlash合約價下跌0-10%;短期內(nèi)可望相對持穩(wěn)
十月上旬NANDFlash合約價平均跌幅在0-10%左右,其中MLC顆粒跌幅較大,主要是反應(yīng)供貨商新制程所開出的MLC產(chǎn)出量將在今年第四季有明顯增加;至于低容量的SLC顆粒,則因為供給量逐漸減少的關(guān)系,價格呈現(xiàn)止穩(wěn)小漲的情況。自九月以來NANDFlash價格已經(jīng)大幅向下修正過,然而下游客戶以降價來刺激買氣,反應(yīng)NANDFlash成本下降的動作,通常會比較延滯一段時間。市場預(yù)期來自降價效應(yīng)的買氣將在十月下旬至十一月才會逐漸浮現(xiàn),因此集邦科技(DRAMeXchange)預(yù)期在短期內(nèi)NANDFlash合約價格有機會相對持穩(wěn)。
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