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          Semitel推出超低電容高分子ESD保護(hù)元件

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          作者: 時間:2007-11-06 來源:EEPW 收藏

            全面線路保護(hù)方案供應(yīng)商繼半導(dǎo)體全面保護(hù)方案之后,結(jié)合新材料和多層印制線路板技術(shù),推出了超低電容的高分子的專利產(chǎn)品。目前其產(chǎn)品的電容值最低已經(jīng)能做到0.15pF,完全適合超高速傳輸?shù)膽?yīng)用場合。

            在需要超高速傳輸信號的場合,如高清晰多媒體接口(HDMI),數(shù)字影像接口(DVI),USB2.0接口,手機(jī)天線等,其傳輸速率多在3Gbps以上,當(dāng)保護(hù)器件的電容大于1pF時,其寄生電容會對信號的傳輸造成非常大的影響。采用傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工藝制作的半導(dǎo)體保護(hù)元件,其電容一般都在幾個皮法以上,其產(chǎn)品很難適用于以上場合。想要降低它們的電容必須采用更為先進(jìn)的技術(shù),這就造成了產(chǎn)品的成本很高,很難被市場所接受。為了解決上述問題,推出了基于最新技術(shù)的高分子ESD元件。

            推出的高分子ESD保護(hù)元件,其半導(dǎo)體壓敏材料隱匿于多層線路板之內(nèi),當(dāng)靜電加在外電極上,靜電上升到高分子ESD的箝位電壓時,會通過內(nèi)電極之間的縫隙之間的壓敏材料放電,從而使后面的IC受到保護(hù)。

            下圖是Semitel的MLSEP12A-0402(0402表面貼裝型)典型的靜電保護(hù)圖,它能將靜電波形鉗制在一個非常小的范圍內(nèi),從而大大地減少了后面的器件受到靜電沖擊的能量,很好地保護(hù)了該器件。ESD保護(hù)器件對電路的影響主要體現(xiàn)在其電容值對信號的干擾上。采用低電容的高分子ESD對HDMI接口的傳輸信號幾乎沒有任何影響,而使用高電容的半導(dǎo)體ESD保護(hù)器件對信號的影響非常大。

            

          Semitel推出超低電容高分子ESD保護(hù)元件

            高分子ESD靜電保護(hù)圖



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