近日，應(yīng)用材料公司推出具有業(yè)界最高生產(chǎn)力的DUV(深紫外)亮場硅片檢測工具UVision® 3系統(tǒng)，它能滿足45納米前端制程和浸沒式光刻對于關(guān)鍵缺陷檢測靈敏度的要求。這個新一代的系統(tǒng)為應(yīng)用材料公司突破性的UVision技術(shù)帶來了重要的進步，它將掃描硅片的激光束數(shù)量提升至3倍，使其生產(chǎn)速度比任何競爭對手的系統(tǒng)快40%。兩個新的成像模式將靈敏度擴展至20納米，全新靈活的自動缺陷分類引擎能夠迅速標(biāo)定出有害缺陷從而達(dá)到更快的成品率學(xué)習(xí)進程。

　　應(yīng)用材料公司副總裁，工藝診斷控制事業(yè)部總經(jīng)理Gilad Almogy博士表示：“UVision 3系統(tǒng)的多光束DUV(深紫外)激光結(jié)構(gòu)能夠突破傳統(tǒng)光學(xué)檢測的精度限制。領(lǐng)先的存儲器和浸沒式光刻制造商可以使用這個增強的系統(tǒng)以工程靈敏度進行量產(chǎn)，在更短的周期內(nèi)得到有意義的數(shù)據(jù)。多套UVision 3系統(tǒng)已經(jīng)運送給一些領(lǐng)先的客戶，該系統(tǒng)出眾的的靈敏度和突破性的DUV(深紫外)亮場檢測生產(chǎn)速度已經(jīng)得到了驗證?！?/P>

　　在結(jié)合獨特的激光DUV(深紫外)結(jié)構(gòu)，靈敏的光電倍增器(PMT)和可變偏振的情況下，UVision 3系統(tǒng)也能夠應(yīng)對32納米存儲器發(fā)展的挑戰(zhàn)。在照射和收集光路下新的亮場成像模式滿足了浸沒式光刻對于多種對比度的要求。此外，該系統(tǒng)創(chuàng)新的高準(zhǔn)確度缺陷檢測算法和(stitch-to-stitch)逐禎檢測提高了周邊邏輯區(qū)域的靈敏度，這是任何其他亮場系統(tǒng)都不具備的關(guān)鍵優(yōu)勢。