拓墣產業(yè)研究所(TopologyResearchInstitute)發(fā)表全球半導體產業(yè)調查報告指出，預計2008年全球半導體總產值將達2,752億美元，年增長率將由2007年的2.87%大幅攀升至2008年的8%。而在全球半導體庫存有效去化、IDM大廠提升外包比率及北京奧運商機的催化下，2008年臺灣IC產值可達新臺幣1兆7,000億，年增長率18.9%，遠優(yōu)于全球IC產業(yè)表現(xiàn)。

　　在半導體產業(yè)庫存逐步調整之際，加上主要IDM大廠紛紛轉型為FAB-Lite或FAB-less，預計將帶動IC產業(yè)Out-sourcing風潮;由于全球名列前茅的晶圓代工廠及封測廠商都在臺灣，預計臺灣將是這一波Out-sourcing需求下最大受惠者。

　　此外，北京奧運帶來消費性及通訊產品需求，如DTV/HDTV、DSC、MP3、GPS、3G手機及移動電視，也為臺灣IC產業(yè)帶來龐大商機，因此拓墣認為2008年臺灣整體IC產業(yè)增長動能將優(yōu)于全球。預計2008年臺灣IC設計產值為4,324億新臺幣，IC制造產值為9,023億新臺幣，IC封測產值為3,863億，而YoY(Year-on-yearpercentage)分別為12%、22%及20%，IC整體產值為17,210億新臺幣，YoY為18.9%。

　　針對未來高效能與節(jié)能需求，半導體產業(yè)將朝向“高度系統(tǒng)整合”與“制程微縮”兩大技術趨勢發(fā)展。“高度系統(tǒng)整合技術”如SoC、SiP及3DIC，除可縮小終端系統(tǒng)產品體積，耗電、效能、成本表現(xiàn)也較傳統(tǒng)制程為優(yōu)。

　　“制程微縮”可提升效能與節(jié)能并降低IC價格，例如45nm制程將比前一代65nm制程提升40%的效能，同時功耗降低10-20%;低功耗制程部分，45nm的靜態(tài)(static)功耗和65nm制程相比，降低幅度則高達50%;而FDSOI(全空乏絕緣層覆硅)制程功耗也將比BulkCMOS制程降低40%。