日本德州儀器（日本TI）日前就模擬IC量產(chǎn)中采用的新工藝技術(shù)“LBC7”召開了一場記者說明會。LBC7是一種能夠集成耐壓30V的LDMOS（laterally diffused MOS）的雙極CMOS技術(shù)，相當(dāng)于現(xiàn)有雙極CMOS技術(shù)“LBC6”（可集成耐壓18V的LDMOS）的后續(xù)技術(shù)。今后，美國德州儀器公司（TI）將運(yùn)用LBC7，在2005年下半年至2006年陸續(xù)投產(chǎn)最大耐壓達(dá)數(shù)10V的電源IC、硬盤等馬達(dá)驅(qū)動IC與伺服驅(qū)動IC，以及車用半導(dǎo)體產(chǎn)品等。LBC7的生產(chǎn)線位于日本茨城縣美浦工廠。

　　與LBC6相比，LBC7對特性及制造技術(shù)等都進(jìn)行了改進(jìn)。首先，將LDMOS的導(dǎo)通電阻減小了15～20％。比如，Vdss為30V時導(dǎo)通電阻約為0.1mΩ